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Integrierte Schaltungen (ICS) (5782)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | Taktfrequenz | Anzahl der Ausgänge | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | Interne Schalter (en) | Topologie | Spannung - Verrorane (max) | Dimm | Spannung - Verrorane (min) | Spannung - Ausgang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS42SM32160C-75BLI-TR | - - - |  | 1127 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-LFBGA | IS42SM32160 | Sdram - Mobil | 2,7 V ~ 3,6 V. | 90-WBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | - - - | |||||||||||||
| IS42S32160A-75BL | - - - | | 9680 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-LFBGA | IS42S32160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-LFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1061 | Ear99 | 8542.32.0024 | 144 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 6 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | - - - | ||||||||||||
 | IS49NLC18320A-33WBL | - - - | | 4292 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | IS49NLC18320 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-TWBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 300 MHz | Flüchtig | 576mbit | 20 ns | Dram | 32m x 18 | Parallel | - - - | |||||||||||||
 | IS43TR16256BL-125KBLI-TR | 7.8554 | | 8955 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16256 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR16256BL-125KBLI-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | 15ns | ||||||||||||
 | IS61LPS25618ec-200tqli-Tr | 6.8099 | | 9720 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61LPS25618 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3.1 ns | Sram | 256k x 18 | Parallel | - - - | |||||||||||||
 | IS43LD16128B-25BLI | 11.0516 | | 3175 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-tfbga | IS43LD16128 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 134-tfbga (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 171 | 400 MHz | Flüchtig | 2Gbit | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||||||||||||||
 | IS42S16800D-75TLI-TR | - - - | | 9624 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 6,5 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | - - - | |||||||||||||
 | IS61WV51216EELLL-10T2LI | 7.7828 | | 5946 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | IS61WV51216 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 96 | Flüchtig | 8mbit | 10 ns | Sram | 512k x 16 | Parallel | 10ns | ||||||||||||||
| IS43LR32160B-6BL-TR | - - - | | 6023 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS43LR32160 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.5 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | 12ns | |||||||||||||
| IS43LD16128B-18BL-TR | 9.8250 | | 8087 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-tfbga | IS43LD16128 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 134-tfbga (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 533 MHz | Flüchtig | 2Gbit | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||||||||||||||
| IS42S16160D-75TLI | - - - | | 5482 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | - - - | |||||||||||||
 | IS42S32200L-5TL | 3.3234 | | 8405 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32200 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 200 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 4.8 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | - - - | |||||||||||||
| IS43TR16128DL-107MBLI-TR | 4.8164 | | 2666 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR16128DL-107MBLI-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 933 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||||||||||||
 | IS43R86400E-5TLI | - - - | | 9204 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS43R86400 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
 | IS45S16100C1-7BLA1-TR | - - - | | 7471 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS45S16100 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 60-minibga (6,4x10,1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 16mbit | 5.5 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | |||||||||||||
 | IS66WVQ4M4DALL-200BLI | 3.4400 | | 480 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | IS66WVQ4M4 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS66WVQ4M4DALL-200BLI | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 480 | 200 MHz | Flüchtig | 16mbit | Psram | 4m x 4 | Spi - quad i/o | 40ns | |||||||||||||
| IS42S16100C1-7BL | - - - | | 5301 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS42S16100 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 60-TFBGA (6.4x10.1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 286 | 143 MHz | Flüchtig | 16mbit | 5.5 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | |||||||||||||
 | IS43DR16320C-25DBLI | 6.5170 | | 7724 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS43DR16320 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 209 | 400 MHz | Flüchtig | 512mbit | 400 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
| IS42S32160B-7TLI | - - - | | 2000 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | - - - | |||||||||||||
 | IS43TR81280BL-107MBL | - - - | | 8146 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS43TR81280 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 933 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
 | IS61WV204816BLL-10BLI | 24.2500 | | 2 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS61WV204816 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1542 | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 32Mbit | 10 ns | Sram | 2m x 16 | Parallel | 10ns | |||||||||||||
| IS66WVQ8M4DBLL-133BLI-TR | 2.6055 | | 9912 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Psram (pseudo sram) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS66WVQ8M4DBLL-133BLI-TR | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 32Mbit | Psram | 8m x 4 | Spi - quad i/o | 45ns | ||||||||||||||||
 | IS62WV6416BLL-55TI-TR | - - - | | 7076 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS62WV6416 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 1Mbit | 55 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 55ns | ||||||||||||||
| IS43TR16512S2DL-107MBLI-TR | 20.6150 | | 9096 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-LFBGA | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-LWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR16512S2DL-107MBLI-TR | 1.500 | 933 MHz | Flüchtig | 8gbit | 20 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | 15ns | ||||||||||||||||
 | IS61LPS25672A-250B1-TR | - - - | | 5458 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 209-Bga | IS61LPS25672 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 209-LFBGA (14x22) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | 250 MHz | Flüchtig | 18mbit | 2.6 ns | Sram | 256k x 72 | Parallel | - - - | |||||||||||||
 | IS25LQ025B-JKLE | - - - | | 4200 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | IS25LQ025 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1327 | Ear99 | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 256Kbit | Blitz | 32k x 8 | Spi - quad i/o | 800 µs | |||||||||||||
| IS61NLF12836A-7.5TQI-TR | - - - | | 1095 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61NLF12836 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 7,5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |||||||||||||
 | IS31FL3216-QFLS2-TR | 0,8715 | | 2528 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - - - | Oberflächenhalterung | 28-WFQFN Exponiertes Pad | Linear | IS31FL3216 | - - - | 28-QFN (4x4) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.500 | 20 ma | 16 | Ja | - - - | 5,5 v | PWM | 2,7 v | - - - | ||||||||||||
 | IS61NLF51236-7.5B3I | - - - | | 3282 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61NLF51236 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | Flüchtig | 18mbit | 7,5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | |||||||||||||
| IS25LD020-JKLE | - - - | | 8220 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | IS25LD020 | Blitz | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | Blitz | 256k x 8 | Spi | 5 ms |
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