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Integrierte Schaltkreise (ICs)(5782)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43TR81024BL-107MBLI-TR | 21.5460 |  | 4195 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-TWBGA (10x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR81024BL-107MBLI-TR | 2.000 | 933 MHz | Flüchtig | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 1G x 8 | Parallel | 15ns | |||||
 | IS61DDP2B42M36A-400M3L | 100.1770 | | 2029 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-LBGA | IS61DDP2 | SRAM – Synchron, DDR IIP | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | Flüchtig | 72Mbit | SRAM | 2M x 36 | Parallel | - | |||
 | IS43TR16256B-125KBL | 7.7500 | | 21 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-1727 | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256M x 16 | Parallel | 15ns | |
| IS43QR85120B-083RBL-TR | 8.6849 | | 4195 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-TWBGA (10x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43QR85120B-083RBL-TR | 2.000 | 1,2 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 19 ns | DRAM | 512M x 8 | POD | 15ns | |||||
 | IS42S32160B-6TLI-TR | - | | 6049 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S32160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 86-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS43LR32400F-6BLI-TR | - | | 2433 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS43LR32400 | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,5 ns | DRAM | 4M x 32 | Parallel | 15ns | ||
 | IS49NLS18320-25BI | - | | 1406 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 144-TFBGA | IS49NLS18320 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 576Mbit | 20 ns | DRAM | 32M x 18 | Parallel | - | ||
 | IS46R16160F-5BLA1-TR | 4.9174 | | 9741 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS46R16160 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 200 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 700 PS | DRAM | 16M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS46DR16320D-25DBA2 | - | | 2815 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 84-TFBGA | IS46DR16320 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS46DR16320D-25DBA2 | VERALTET | 209 | 400 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 400 PS | DRAM | 32M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS49RL36160A-107EBLI | 89.7000 | | 94 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 168-LBGA | IS49RL36160 | RLDRAM 3 | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5 x 13,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS49RL36160A-107EBLI | EAR99 | 8542.32.0032 | 119 | 933 MHz | Flüchtig | 576Mbit | 7,5 ns | DRAM | 16M x 36 | Parallel | - | |
 | IS61VPS51236B-200TQLI | 17.2425 | | 5263 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61VPS51236 | SRAM – Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2.625 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 3 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallel | - | ||
 | IS25WP040E-JNLE | 0,3196 | | 4772 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | IS25WP040 | BLITZ - NOCH | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-SOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS25WP040E-JNLE | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 4Mbit | 8 ns | BLITZ | 512K x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 1,2 ms | |
| IS46DR16640B-25DBLA2-TR | 10.4550 | | 8590 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 84-TFBGA | IS46DR16640 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 2.500 | 400 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 400 PS | DRAM | 64M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS62WV102416BLL-25TLI | 18.7837 | | 1153 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | IS62WV102416 | SRAM – Asynchron | 1,65 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 96 | Flüchtig | 16Mbit | 25 ns | SRAM | 1M x 16 | Parallel | 25ns | |||
| IS43TR16512B-107MBL | 19.3178 | | 2779 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (10x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR16512B-107MBL | 136 | 933 MHz | Flüchtig | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 512M x 16 | Parallel | 15ns | |||||
| IS46LQ32256AL-062BLA1-TR | 21.2800 | | 5942 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 200-TFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-TFBGA (10x14,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS46LQ32256AL-062BLA1-TR | 2.500 | 1,6 GHz | Flüchtig | 8Gbit | 3,5 ns | DRAM | 256M x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
 | IS43LR16160F-6BL-TR | - | | 7426 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS43LR16160 | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.000 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,5 ns | DRAM | 16M x 16 | Parallel | 15ns | ||
| IS25WP064D-JBLA3 | 1.7082 | | 3023 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) | FLASH – NOR (SLC) | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WP064D-JBLA3 | 90 | 166 MHz | Nicht flüchtig | 64Mbit | 5,5 ns | BLITZ | 8M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 40µs, 800µs | |||||
 | IS42S16160J-7BLI-TR | 2.9626 | | 4752 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TFBGA (8x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS25WQ040-JKLE | - | | 2951 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | IS25WQ040 | BLITZ - NOCH | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-WSON (6x5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 570 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 4Mbit | BLITZ | 512K x 8 | SPI | 1ms | |||
| IS42SM32200M-6BLI-TR | 3.3554 | | 2686 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42SM32200 | SDRAM – Mobil | 2,7 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 2M x 32 | Parallel | - | ||
| IS61LF51236A-7.5TQI-TR | - | | 1606 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61LF51236 | SRAM – Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 7,5 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallel | - |
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