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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS61WV102416DALL-10BLI-TR | - - - |  | 4342 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS61WV102416 | SRAM - Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V. | 48-minibga (9x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 16mbit | 10 ns | Sram | 1m x 16 | Parallel | 10ns | |||
 | IS43TR16640B-125KBLI-TR | - - - | | 5136 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16640 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | ||
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 | IS61QDP2B21M18A-333M3L | 44.1540 | | 6117 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | IS61QDP2 | SRAM - Synchron, Quadp | 1,71 V ~ 1,89 V. | 165-LFBGA (15x17) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 105 | 333 MHz | Flüchtig | 18mbit | 8.4 ns | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | ||
| IS62WV25616BLL-55BI-TR | - - - | | 7966 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS62WV25616 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 55ns | |||
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 | IS61NVP51236-250B3 | - - - | | 8736 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61NVP51236 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Flüchtig | 18mbit | 2.6 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | ||
 | IS42VS16100C1-10TL | - - - | | 9811 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 50-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42VS16100 | Sdram | 1,7 V ~ 1,9 V. | 50-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 100 MHz | Flüchtig | 16mbit | 7 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | ||
 | IS43R32400E-4B-TR | - - - | | 7234 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-lfbga | IS43R32400 | SDRAM - DDR | 2,4 V ~ 2,6 V. | 144-LFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 250 MHz | Flüchtig | 128mbit | 700 ps | Dram | 4m x 32 | Parallel | 16ns | ||
 | IS46TR16640ED-15HBLA3 | - - - | | 3928 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46TR16640ED-15HBLA3 | 190 | 667 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | |||||
| IS62WV25616DBLL-55TLI | - - - | | 9730 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS62WV25616 | SRAM - Asynchron | 2,3 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 55ns | |||
 | IS62C256AL-25uli-TR | 1.1969 | | 7139 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-Soic (0,330 ", 8,38 mm Breit) | IS62C256 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-Bünd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 256Kbit | 25 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 25ns | |||
| IS64WV25616BLL-10CTLA3-TR | 7.8750 | | 4953 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS64WV25616 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 10ns | |||
| IS61WV51216EDALL-20TLI-TR | 11.5500 | | 5307 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS61WV51216 | SRAM - Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 8mbit | 20 ns | Sram | 512k x 16 | Parallel | 20ns | |||
 | IS25WP080D-JNLE-TR | 0,5836 | | 7686 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IS25WP080 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 800 µs | |||
 | IS43DR86400C-3DBLI | 6.4693 | | 9655 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS43DR86400 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 242 | 333 MHz | Flüchtig | 512mbit | 450 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||
| IS61LPS51236B-200B3LI | 20.7400 | | 3701 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61LPS51236 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | ||
 | IS42S32400E-7TLI | - - - | | 2329 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | - - - | ||
 | IS45S16400J-6CTLA1 | 4.2782 | | 6309 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS45S16400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | - - - | ||
| IS25LQ020A-JNLE | - - - | | 5822 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IS25LQ020 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-soic | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 80 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | Blitz | 256k x 8 | Spi - quad i/o | 400 µs | |||
 | IS25WP016D-JLLE-TR | 0,8389 | | 3639 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | IS25WP016 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-Wson (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 800 µs | |||
 | IS41LV16100D-50KLI | - - - | | 3632 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 42-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Beitite) | IS41LV16100 | Dram - Edo | 3v ~ 3,6 V | 42-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 16 | Flüchtig | 16mbit | 25 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | |||
 | IS25WP016D-JBLE-TR | 0,7574 | | 5361 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | IS25WP016 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 800 µs | |||
| IS42RM32800E-6BLI | 9.2729 | | 5441 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42RM32800 | Sdram - Mobil | 2,3 V ~ 3V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | - - - | ||
| IS42RM32160C-75BL-TR | - - - | | 1477 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-LFBGA | IS42RM32160 | Sdram - Mobil | 2,3 V ~ 3V | 90-WBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | - - - | ||
| IS42S16160J-6TL | 2.9622 | | 1797 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | - - - | ||
 | IS43TR81280CL-125JBLI | 3.8222 | | 3150 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS43TR81280 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR81280CL-125JBLI | Ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | |
 | IS43LR16400C-6BLI-Tr | 3.0608 | | 7589 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS43LR16400 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-TFBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.000 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.5 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | 15ns |
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