SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
IS42VS16100C1-10TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VS16100C1-10TL - - -
RFQ
ECAD 9811 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 50-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42VS16100 Sdram 1,7 V ~ 1,9 V. 50-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 117 100 MHz Flüchtig 16mbit 7 ns Dram 1m x 16 Parallel - - -
IS43R32400E-4B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32400E-4B-TR - - -
RFQ
ECAD 7234 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 144-lfbga IS43R32400 SDRAM - DDR 2,4 V ~ 2,6 V. 144-LFBGA (12x12) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.500 250 MHz Flüchtig 128mbit 700 ps Dram 4m x 32 Parallel 16ns
IS46TR16640ED-15HBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640ED-15HBLA3 - - -
RFQ
ECAD 3928 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 96-TWBGA (9x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS46TR16640ED-15HBLA3 190 667 MHz Flüchtig 1Gbit 20 ns Dram 64m x 16 SSTL_15 15ns
IS62WV25616DBLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DBLL-55TLI - - -
RFQ
ECAD 9730 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS62WV25616 SRAM - Asynchron 2,3 V ~ 3,6 V. 44-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1 Flüchtig 4mbit 55 ns Sram 256k x 16 Parallel 55ns
IS62C256AL-25ULI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C256AL-25uli-TR 1.1969
RFQ
ECAD 7139 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 28-Soic (0,330 ", 8,38 mm Breit) IS62C256 SRAM - Asynchron 4,5 V ~ 5,5 V. 28-Bünd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0041 1.000 Flüchtig 256Kbit 25 ns Sram 32k x 8 Parallel 25ns
IS64WV25616BLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV25616BLL-10CTLA3-TR 7.8750
RFQ
ECAD 4953 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS64WV25616 SRAM - Asynchron 2,4 V ~ 3,6 V. 44-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1.000 Flüchtig 4mbit 10 ns Sram 256k x 16 Parallel 10ns
IS61WV51216EDALL-20TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EDALL-20TLI-TR 11.5500
RFQ
ECAD 5307 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS61WV51216 SRAM - Asynchron 1,65 V ~ 2,2 V. 44-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1.000 Flüchtig 8mbit 20 ns Sram 512k x 16 Parallel 20ns
IS25WP080D-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP080D-JNLE-TR 0,5836
RFQ
ECAD 7686 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) IS25WP080 Flash - Nor 1,65 V ~ 1,95 V. 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 800 µs
IS43DR86400C-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBLI 6.4693
RFQ
ECAD 9655 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga IS43DR86400 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-TWBGA (8x10.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 242 333 MHz Flüchtig 512mbit 450 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
IS61LPS51236B-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236B-200B3LI 20.7400
RFQ
ECAD 3701 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga IS61LPS51236 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 165-tfbga (13x15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 144 200 MHz Flüchtig 18mbit 3 ns Sram 512k x 36 Parallel - - -
IS42S32400E-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400E-7TLI - - -
RFQ
ECAD 2329 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S32400 Sdram 3v ~ 3,6 V 86-TSOP II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 108 143 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 4m x 32 Parallel - - -
IS45S16400J-6CTLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400J-6CTLA1 4.2782
RFQ
ECAD 6309 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS45S16400 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 108 166 MHz Flüchtig 64Mbit 5.4 ns Dram 4m x 16 Parallel - - -
IS25LQ020A-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020A-JNLE - - -
RFQ
ECAD 5822 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Rohr Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) IS25LQ020 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-soic - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 100 80 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o 400 µs
IS25WP016D-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016D-JLLE-TR 0,8389
RFQ
ECAD 3639 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad IS25WP016 Flash - Nor 1,65 V ~ 1,95 V. 8-Wson (8x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 4.000 133 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 800 µs
IS61LV25616AL-10T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10T - - -
RFQ
ECAD 2800 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS61LV25616 SRAM - Asynchron 3,135 V ~ 3,6 V. 44-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 135 Flüchtig 4mbit 10 ns Sram 256k x 16 Parallel 10ns
IS63WV1288DBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1288DBLL-10TLI 1.8062
RFQ
ECAD 3536 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 32-Soic (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS63WV1288 SRAM - Asynchron 2,4 V ~ 3,6 V. 32-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0041 117 Flüchtig 1Mbit 10 ns Sram 128k x 8 Parallel 10ns
IS61WV6416BLL-12BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416BLL-12BLI-TR 1.8198
RFQ
ECAD 6901 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga IS61WV6416 SRAM - Asynchron 3v ~ 3,6 V 48-tfbga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3A991B2B 8542.32.0041 2.500 Flüchtig 1Mbit 12 ns Sram 64k x 16 Parallel 12ns
IS61LF51218A-7.5TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51218A-7.5TQI - - -
RFQ
ECAD 3017 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP IS61LF51218 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,6 V. 100-LQFP (14x20) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 72 117 MHz Flüchtig 9mbit 7,5 ns Sram 512k x 18 Parallel - - -
IS42S16160B-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7BLI - - -
RFQ
ECAD 3446 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-lfbga IS42S16160 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-LFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 240 143 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 16m x 16 Parallel - - -
IS46R16160D-5BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160D-5BLA1 7.1841
RFQ
ECAD 4012 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga IS46R16160 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 60-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 190 200 MHz Flüchtig 256mbit 700 ps Dram 16m x 16 Parallel 15ns
IS46DR16640B-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-25DBLA1-TR 8.3100
RFQ
ECAD 4733 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 84-tfbga IS46DR16640 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-TWBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 2.500 400 MHz Flüchtig 1Gbit 400 ps Dram 64m x 16 Parallel 15ns
IS43DR86400E-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-3DBL 2.7669
RFQ
ECAD 6233 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-tfbga IS43DR86400 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-TWBGA (8x10.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-1559 Ear99 8542.32.0028 242 333 MHz Flüchtig 512mbit 450 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
IS25WP032A-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032A-JKLE - - -
RFQ
ECAD 2824 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad IS25WP032 Flash - Nor 1,65 V ~ 1,95 V. 8-Wson (6x5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 570 133 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 800 µs
IS49RL36160-107EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160-107EBL - - -
RFQ
ECAD 3004 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 168-lbga IS49RL36160 Dram 1,28 V ~ 1,42 V. 168-FBGA (13,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 119 933 MHz Flüchtig 576mbit 8 ns Dram 16m x 36 Parallel - - -
IS42S86400B-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400B-7TLI-TR - - -
RFQ
ECAD 8811 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S86400 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.500 143 MHz Flüchtig 512mbit 5.4 ns Dram 64m x 8 Parallel - - -
IS43TR16640C-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640C-125JBLI 4.4000
RFQ
ECAD 186 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga IS43TR16640 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 96-TWBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS43TR16640C-125JBLI Ear99 8542.32.0032 190 800 MHz Flüchtig 1Gbit 20 ns Dram 64m x 16 Parallel 15ns
IS42S16160D-75ETL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-75ETL-TR - - -
RFQ
ECAD 3053 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S16160 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.500 133 MHz Flüchtig 256mbit 5.5 ns Dram 16m x 16 Parallel - - -
IS62WV5128BLL-55T2I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55T2I - - -
RFQ
ECAD 1365 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 32-Soic (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS62WV5128 SRAM - Asynchron 2,5 V ~ 3,6 V. 32-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 117 Flüchtig 4mbit 55 ns Sram 512k x 8 Parallel 55ns
IS45S32400B-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400B-6BLA1 - - -
RFQ
ECAD 8550 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-tfbga IS45S32400 Sdram 3v ~ 3,6 V 90-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 144 166 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 4m x 32 Parallel - - -
IS62C256-70U-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C256-70U-tr - - -
RFQ
ECAD 6080 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 28-Bünd IS62C256 SRAM - Asynchron 4,5 V ~ 5,5 V. 28-Bünd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0041 1.000 Flüchtig 256Kbit 70 ns Sram 32k x 8 Parallel 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus