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Integrierte Schaltkreise (ICs)(5782)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS42S32160B-75BLI | - |  | 2177 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-LFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-LFBGA (13x11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 144 | 133 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,5 ns | DRAM | 16M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS41LV16105C-50KLI | - | | 6056 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 42-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) | IS41LV16105 | DRAM - FP | 3V ~ 3,6V | 42-SOJ | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 16 | Flüchtig | 16Mbit | 25 ns | DRAM | 1M x 16 | Parallel | - | |||
 | IS62WV1288BLL-55HLI | 2.2900 | | 913 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-TFSOP (0,465", 11,80 mm Breite) | IS62WV1288 | SRAM – Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V | 32-sTSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0041 | 234 | Flüchtig | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 8 | Parallel | 55ns | |||
 | IS61NVF51236-7.5TQI-TR | - | | 7597 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61NVF51236 | SRAM – Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2.625 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 7,5 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallel | - | ||
 | IS43LD32128B-25BLI-TR | 10.6400 | | 9035 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 134-TFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LD32128B-25BLI-TR | 2.000 | 400 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5,5 ns | DRAM | 128M x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||
 | IS61QDPB42M36A-500M3L | 111.7063 | | 7752 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-LBGA | IS61QDPB42 | SRAM – Synchron, QUADP | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 500 MHz | Flüchtig | 72Mbit | 8,4 ns | SRAM | 2M x 36 | Parallel | - | ||
 | IS42S32800J-7BL-TR | 5.3250 | | 6045 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS42S16400J-6TL | 1.9200 | | 42 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S16400 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS41C16256C-35TLI-TR | - | | 7275 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite), 40 Anschlüsse | IS41C16256 | DRAM - EDO | 4,5 V ~ 5,5 V | 40-TSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | Flüchtig | 4Mbit | 18 ns | DRAM | 256K x 16 | Parallel | - | |||
 | IS43R16160F-6BLI-TR | 4.0429 | | 5246 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS43R16160 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 700 PS | DRAM | 16M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS43DR16128C-25DBLI | 14.9100 | | 2 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 84-TFBGA | IS43DR16128 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-1568 | EAR99 | 8542.32.0036 | 209 | 400 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 400 ns | DRAM | 128M x 16 | Parallel | 15ns | |
 | IS43TR16640CL-107MBL | 3.3318 | | 6877 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS43TR16640CL-107MBL | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 933 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64M x 16 | Parallel | 15ns | |
 | IS61LV51216-10TLI-TR | - | | 6189 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS61LV51216 | SRAM – Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 8Mbit | 10 ns | SRAM | 512K x 16 | Parallel | 10ns | |||
 | IS25LP128-JLLE-TR | 1.8341 | | 7521 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | IS25LP128 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-WSON (8x6) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 128 Mbit | BLITZ | 16M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI | 1ms | |||
 | IS43R16160B-6TL | - | | 7982 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS43R16160 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 700 PS | DRAM | 16M x 16 | Parallel | 15ns | ||
| IS61NLP102436A-166TQLI | - | | 9109 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61NLP102436 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 3,5 ns | SRAM | 1M x 36 | Parallel | - | ||
 | IS61LV2568L-10KLI-TR | - | | 8715 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 36-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) | IS61LV2568 | SRAM – Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V | 36-SOJ | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | Flüchtig | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 8 | Parallel | 10ns | |||
| IS43DR16320E-25DBL | 3.4400 | | 6 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-1554 | EAR99 | 8542.32.0028 | 209 | 400 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 400 PS | DRAM | 32M x 16 | Parallel | 15ns | |
| IS61QDP2B44M18A-400M3L | 100.1770 | | 6065 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-LBGA | IS61QDP2 | SRAM – Synchron, QUADP | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 400 MHz | Flüchtig | 72Mbit | 8,4 ns | SRAM | 4M x 18 | Parallel | - | ||
 | IS25LD040-JKLE-TR | - | | 8299 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | IS25LD040 | BLITZ | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 100 MHz | Nicht flüchtig | 4Mbit | BLITZ | 512K x 8 | SPI | 5ms | |||
| IS62WV51216HBLL-45BLI | 4.1520 | | 7180 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-VFBGA | SRAM – Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS62WV51216HBLL-45BLI | 480 | Flüchtig | 8Mbit | 45 ns | SRAM | 512K x 16 | Parallel | 45ns | ||||||
 | IS25LQ032B-JNLE-TR | - | | 2322 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | IS25LQ032 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 32Mbit | BLITZ | 4M x 8 | SPI – Quad-I/O | 1ms | |||
| IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR | 3.0653 | | 1684 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR | 2.500 | 200 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 40 ns | PSRAM | 8M x 8 | HyperBus | 400ns | |||||
| IS46R16320D-5BLA1 | 10.5177 | | 4008 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS46R16320 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 700 PS | DRAM | 32M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS63WV1024BLL-12TLI-TR | 1.7660 | | 3057 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-SOIC (0,400", 10,16 mm Breite) | IS63WV1024 | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 32-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 8 | Parallel | 12ns | |||
| IS42SM32400H-75BLI | 4.8188 | | 1305 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42SM32400 | SDRAM – Mobil | 2,7 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 6 ns | DRAM | 4M x 32 | Parallel | - | ||
| IS62WVS5128FALL-16NLI | - | | 9524 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | IS62WVS5128 | SRAM – Synchron, SDR | 1,65 V ~ 2,2 V | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS62WVS5128FALL-16NLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 100 | 16 MHz | Flüchtig | 4Mbit | SRAM | 512K x 8 | SPI – Quad-I/O | - | ||
 | IS43DR16128A-3DBLI-TR | - | | 6618 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 84-LFBGA | IS43DR16128 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-LFBGA (10,5x13,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 333 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 450 PS | DRAM | 128M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS45S16800E-7BLA2 | - | | 5234 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TFBGA | IS45S16800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TFBGA (8x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 143 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS61LV12816L-10BI-TR | - | | 8122 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | IS61LV12816 | SRAM – Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 16 | Parallel | 10ns |
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