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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | Taktfrequenz | Anzahl der Ausgänge | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | Interne Schalter (en) | Topologie | Spannung - Verrorane (max) | Dimm | Spannung - Verrorane (min) | Spannung - Ausgang |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS25LQ016-JNLE | - - - | ![]() | 6488 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IS25LQ016 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | 2 ms | ||||||||||||||
![]() | IS42S16160D-6TLI | - - - | ![]() | 2431 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | - - - | |||||||||||||
![]() | IS42S32800B-7B-TR | - - - | ![]() | 8739 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-LFBGA | IS42S32800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-LFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | - - - | |||||||||||||
![]() | IS43TR16256AL-107MBL-TR | - - - | ![]() | 2524 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16256 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 933 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS46TR81280B-125JBLA25-TR | - - - | ![]() | 1167 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 115 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS46TR81280 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR81280B-125JBLA25-TR | Ear99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS43TR16128B-093NBLI-TR | - - - | ![]() | 5891 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR16128B-093NBLI-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 1.066 GHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS42SM16160K-6BLI-TR | 5.2523 | ![]() | 6058 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42SM16160 | Sdram - Mobil | 2,7 V ~ 3,6 V. | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | - - - | |||||||||||||
![]() | IS62WV5128ALL-55T2LI | - - - | ![]() | 1680 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-Soic (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS62WV5128 | SRAM - Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V. | 32-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Sram | 512k x 8 | Parallel | 55ns | ||||||||||||||
![]() | IS46TR85120AL-107MBLA2-TR | - - - | ![]() | 1218 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS46TR85120 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (9x10.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR85120AL-107MBLA2-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 933 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 512 MX 8 | Parallel | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS46TR16640BL-107MBLA1-TR | - - - | ![]() | 4405 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16640 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR16640BL-107MBLA1-TR | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 933 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS46TR85120BL-125KBLA2-TR | - - - | ![]() | 2029 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS46TR85120 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR85120BL-125KBLA2-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 512 MX 8 | Parallel | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS62WV6416DBLL-45B2LI-TR | - - - | ![]() | 3350 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS62WV6416 | SRAM - Asynchron | 2,3 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 1Mbit | 45 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 45ns | ||||||||||||||
![]() | IS42VM16800E-75BLI-TR | - - - | ![]() | 9882 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42VM16800 | Sdram - Mobil | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | - - - | |||||||||||||
![]() | IS32LT3173-Grla3-tr | - - - | ![]() | 9728 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Automobil, BeleUteuntung | Oberflächenhalterung | 8-Soikale (0,154 ", 3,90 mm Breit) Exponiertebad | Linear | IS32LT3173 | - - - | 8-Bahn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.500 | 200 ma | 1 | Ja | - - - | 5,5 v | PWM | 2,5 v | 42V | ||||||||||||
![]() | IS61LPD51236A-200TQLI | 22.7346 | ![]() | 4609 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61LPD51236 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3.1 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | |||||||||||||
![]() | IS42SM16160K-75BLI-TR | 5.0239 | ![]() | 2185 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42SM16160 | Sdram - Mobil | 2,7 V ~ 3,6 V. | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 6 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | - - - | |||||||||||||
![]() | IS42RM16800H-75BLI | 4.4684 | ![]() | 2870 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42RM16800 | Sdram - Mobil | 2,3 V ~ 2,7 V | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 6 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | - - - | |||||||||||||
![]() | IS41LV16100D-50KLI | - - - | ![]() | 3632 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 42-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Beitite) | IS41LV16100 | Dram - Edo | 3v ~ 3,6 V | 42-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 16 | Flüchtig | 16mbit | 25 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | ||||||||||||||
![]() | IS42S32800D-7BL | - - - | ![]() | 5085 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42S32800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | - - - | |||||||||||||
![]() | IS62WV12816FBLL-45TLI | 1.6913 | ![]() | 1412 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS62WV12816FBLL-45TLI | 135 | Flüchtig | 2mbit | 45 ns | Sram | 128k x 16 | Parallel | 45ns | |||||||||||||||||
![]() | IS49NLC93200-25BI | - - - | ![]() | 7659 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | IS49NLC93200 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-FCBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 288mbit | 20 ns | Dram | 32m x 9 | Parallel | - - - | |||||||||||||
![]() | IS43TR82560B-15HBL-TR | - - - | ![]() | 7054 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS43TR82560 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 667 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 8 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS21TF16G-JQLI | 33.9200 | ![]() | 8464 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 lbga | IS21TF16G | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100-LFBGA (14x18) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS21TF16G-JQLI | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | MMC | - - - | |||||||||||||
![]() | IS43DR81280C-25DBLI-TR | 5.3550 | ![]() | 1756 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS43DR81280 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 400 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 400 ps | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
IS43LR16400C-6BLI-Tr | 3.0608 | ![]() | 7589 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS43LR16400 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-TFBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.000 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.5 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | 15ns | ||||||||||||||
![]() | IS42S16160J-6TL | 2.9622 | ![]() | 1797 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | - - - | |||||||||||||
![]() | IS43TR81280CL-125JBLI | 3.8222 | ![]() | 3150 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS43TR81280 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR81280CL-125JBLI | Ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS42S32800B-6TLI | - - - | ![]() | 6889 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | - - - | |||||||||||||
![]() | IS61VPS51236B-200TQLI | 17.2425 | ![]() | 5263 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61VPS51236 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | |||||||||||||
![]() | IS49FL004T-33VCE | - - - | ![]() | 3046 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,488 ", 12,40 mm BreiTe) | IS49FL004 | Blitz | 3v ~ 3,6 V | 32-vsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 208 | 33 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | 120 ns | Blitz | 512k x 8 | Parallel | - - - |
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