- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Integrierte Schaltungen (ICS) (5782)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | Taktfrequenz | Anzahl der Ausgänge | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | Interne Schalter (en) | Topologie | Spannung - Verrorane (max) | Dimm | Spannung - Verrorane (min) | Spannung - Ausgang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43TR85120AL-15HBLI | - - - |  | 6501 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS43TR85120 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (9x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 220 | 667 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 512 MX 8 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
 | IS43LR32400F-6BLI-TR | - - - | | 2433 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS43LR32400 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.5 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
 | IS43R86400F-6BLI | 6.3460 | | 1874 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS43R86400 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 190 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
 | IS46DR16128A-3DBLA2 | - - - | | 9968 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-LFBGA | IS46DR16128 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-LFBGA (10,5x13,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 162 | 333 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 450 ps | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
 | IS61WV204816ALL-10TLI | - - - | | 5990 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | IS61WV204816 | SRAM - Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 96 | Flüchtig | 32Mbit | 10 ns | Sram | 2m x 16 | Parallel | 10ns | ||||||||||||||
 | IS63LV1024-8kl | - - - | | 8512 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS63LV1024 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 32-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 21 | Flüchtig | 1Mbit | 8 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 8ns | ||||||||||||||
 | IS25LP032D-JBLE | 1.2100 | | 8 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | IS25LP032 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1584 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 800 µs | |||||||||||||
 | IS42S32200E-5TL-TR | - - - | | 8697 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32200 | Sdram | 3,15 V ~ 3,45 V. | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 200 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | - - - | |||||||||||||
 | IS42S16100C1-7BI-Tr | - - - | | 8672 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS42S16100 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 60-TFBGA (6.4x10.1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 16mbit | 5.5 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | |||||||||||||
 | IS43R16160B-5TL-TR | - - - | | 2398 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS43R16160 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 200 MHz | Flüchtig | 256mbit | 700 ps | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
 | IS43DR16640B-25ebl-TR | - - - | | 8749 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS43DR16640 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 2.500 | 400 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 450 ps | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
 | IS43DR86400E-25DBLI | 5.6424 | | 4644 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS43DR86400 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1560 | Ear99 | 8542.32.0028 | 242 | 400 MHz | Flüchtig | 512mbit | 400 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||||||||||||
 | IS49NLC36160A-25EWBLI | 54.4856 | | 6084 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-TWBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS49NLC36160A-25EWBLI | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 576mbit | 15 ns | Dram | 16m x 36 | Hstl | - - - | |||||||||||||||
| IS64LF25636B-7.5B3LA3-TR | 17.6890 | | 8400 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,465V | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS64LF25636B-7,5B3LA3-TR | 2.000 | 117 MHz | Flüchtig | 9mbit | 7,5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | ||||||||||||||||
| IS43TR85120AL-15HBLI-TR | - - - | | 3634 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS43TR85120 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (9x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 667 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 512 MX 8 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
 | IS31LT3172-GRLS2-TR | - - - | | 7700 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | BeleUteuntung | Oberflächenhalterung | 8-Soikale (0,154 ", 3,90 mm Breit) Exponiertebad | Linear | IS31LT3172 | - - - | 8-Bahn | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.500 | 200 ma | 1 | Ja | - - - | 42V | PWM | 5v | 42V | ||||||||||||
 | IS42S16100C1-7T-TR | - - - | | 4523 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 50-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16100 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 50-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 143 MHz | Flüchtig | 16mbit | 5.5 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | |||||||||||||
 | IS43TR16128D-093NBLI | - - - | | 4779 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR16128D-093NBLI | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 1.066 GHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||||||||||||
 | IS43R16160F-5BLI-TR | 3.8973 | | 5158 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS43R16160 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 200 MHz | Flüchtig | 256mbit | 700 ps | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
 | IS43TR16512BL-125KBL | 24.7500 | | 3 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16512 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1658 | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | Flüchtig | 8gbit | 20 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | - - - | ||||||||||||
 | IS61WV5128BLL-10BI-TR | - - - | | 7894 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 36-tfbga | IS61WV5128 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 36-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 512k x 8 | Parallel | 10ns | ||||||||||||||
| IS42S32160B-75TLI-TR | - - - | | 4682 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.5 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | - - - | |||||||||||||
 | IS61NLP51236-200B3LI-TR | - - - | | 8308 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61NLP51236 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | 200 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3.1 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | |||||||||||||
| IS43TR16128DL-107MBL | 6.0700 | | 31 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1722 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||||||||||||
 | IS61NLF25636A-7.5B2I-TR | - - - | | 4611 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 119-BBGA | IS61NLF25636 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 119-PBGA (14x22) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | 117 MHz | Flüchtig | 9mbit | 7,5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |||||||||||||
| IS43TR16128B-125KBL-TR | - - - | | 9527 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
 | IS62LV256AL-20JLI-TR | 1.1969 | | 1975 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit) | IS62LV256 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 28-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 256Kbit | 20 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 20ns | ||||||||||||||
| IS49NLS18320A-18WBLI | 57.2059 | | 2070 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-TWBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS49NLS18320A-18WBLI | 104 | 533 MHz | Flüchtig | 576mbit | 15 ns | Dram | 32m x 18 | Hstl | - - - | |||||||||||||||
 | IS25WP064A-JKLE-TR | 1.3068 | | 8662 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | IS25WP064 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-Wson (6x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 4.500 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 800 µs | ||||||||||||||
| IS43DR81280B-25DBL | 5.0116 | | 9349 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Nicht für Designs | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS43DR81280 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 400 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 400 ps | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)