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Integrierte Schaltkreise (ICs)(5782)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Anwendungen | Montageart | Paket/Koffer | Typ | Basisproduktnummer | Frequenz | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Strom – Ausgang/Kanal | Taktfrequenz | Anzahl der Ausgänge | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite | Interner Schalter | Topologie | Spannung – Versorgung (max.) | Dimmen | Spannung – Versorgung (Min.) | Spannung – Ausgang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS61DDB42M18-250M3L | - |  | 2457 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-LBGA | IS61DDB42 | SRAM – Synchron, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 5,85 ns | SRAM | 2M x 18 | Parallel | - | |||||||||||||
| IS61QDPB41M36A-400M3L | 75.0000 | | 5048 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-LBGA | IS61QDPB41 | SRAM – Synchron, QUADP | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 400 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 8,4 ns | SRAM | 1M x 36 | Parallel | - | |||||||||||||
 | IS21TF32G-JQLI-TR | 36.0000 | | 7751 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LBGA | IS21TF32G | FLASH - NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-LFBGA (14x18) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS21TF32G-JQLI-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Nicht flüchtig | 256 Gbit | BLITZ | 32G x 8 | MMC | - | |||||||||||||
 | IS61NLP102418B-200B3LI-TR | 14.6300 | | 6881 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61NLP102418 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 200 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 3 ns | SRAM | 1M x 18 | Parallel | - | |||||||||||||
 | IS61WV102416EDBLL-10TLI-TR | 11.7300 | | 5853 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | IS61WV102416 | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.500 | Flüchtig | 16Mbit | 10 ns | SRAM | 1M x 16 | Parallel | 10ns | ||||||||||||||
 | IS25LX064-JHLA3 | 2.5064 | | 3841 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | IS25LX064 | BLITZ | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS25LX064-JHLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 64Mbit | BLITZ | 8M x 8 | SPI – Oktaler I/O | - | |||||||||||||
 | IS62WV25616EBLL-45TLI | 3.4300 | | 7 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS62WV25616 | SRAM – Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-1468 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 256K x 16 | Parallel | 45ns | |||||||||||||
 | IS46TR16640CL-107MBLA1-TR | 3.6095 | | 4285 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS46TR16640CL-107MBLA1-TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 933 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64M x 16 | Parallel | 15ns | ||||||||||||
 | IS49NLS18160-33BI | - | | 4395 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 144-TFBGA | IS49NLS18160 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | Flüchtig | 288 Mbit | 20 ns | DRAM | 16M x 18 | Parallel | - | |||||||||||||
| IS25LP512MG-JLLE | 6.6100 | | 3 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | IS25LP512 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-WSON (8x6) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS25LP512MG-JLLE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 166 MHz | Nicht flüchtig | 512Mbit | 5,5 ns | BLITZ | 64M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 50µs, 1ms | ||||||||||||
 | IS46TR85120BL-125KBLA1-TR | - | | 1462 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | IS46TR85120 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-TWBGA (8x10,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS46TR85120BL-125KBLA1-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 512M x 8 | Parallel | 15ns | ||||||||||||
 | IS43LR32100D-6BLI | 3.0454 | | 3947 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS43LR32100 | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 32Mbit | 5,5 ns | DRAM | 1M x 32 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
| IS46TR16256AL-125KBLA2-TR | - | | 4002 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS46TR16256 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256M x 16 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
| IS43TR82560D-107MBL-TR | 4.0485 | | 7575 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-TWBGA (8x10,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR82560D-107MBL-TR | 2.000 | 933 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 256M x 8 | Parallel | 15ns | ||||||||||||||||
 | IS61NLF25618A-7.5TQLI-TR | 7,5837 | | 1521 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61NLF25618 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 7,5 ns | SRAM | 256K x 18 | Parallel | - | |||||||||||||
| IS49RL18640-107EBLI | 120.0345 | | 7896 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 168-LBGA | RLDRAM 3 | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5 x 13,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS49RL18640-107EBLI | 119 | 933 MHz | Flüchtig | 1.152 Gbit | 8 ns | DRAM | 64M x 18 | Parallel | - | |||||||||||||||
| IS64WV51216EEBLL-10BLA3 | 12.6754 | | 8159 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS64WV51216EEBLL-10BLA3 | 480 | Flüchtig | 8Mbit | 10 ns | SRAM | 512K x 16 | Parallel | 10ns | |||||||||||||||||
 | IS62WV10248BLL-55BI-TR | - | | 5884 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | IS62WV10248 | SRAM – Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V | 48-miniBGA (7,2 x 8,7) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 8Mbit | 55 ns | SRAM | 1M x 8 | Parallel | 55ns | ||||||||||||||
| IS64WV6416EEBLL-10BLA3 | 3.9922 | | 2256 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS64WV6416EEBLL-10BLA3 | 480 | Flüchtig | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallel | 10ns | |||||||||||||||||
 | IS43DR86400C-3DBLI | 6.4693 | | 9655 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS43DR86400 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (8x10,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 242 | 333 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 450 PS | DRAM | 64M x 8 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
 | IS43DR16320D-25DBLI-TR | 5.5050 | | 6973 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 400 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 400 PS | DRAM | 32M x 16 | Parallel | 15ns | |||||||||||||
| IS32LT3129A-GRLA3-TR | - | | 1535 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TJ) | LED-Beleuchtung | Oberflächenmontage | 20-TSSOP (0,173 Zoll, 4,40 mm Breite) freiliegendes Pad | Linear | - | 20-eTSSOP | - | 3 (168 Stunden) | 2.500 | 30mA, 150mA | 3 | NEIN | - | 42V | I²C, PWM | 5V | - | |||||||||||||||||
 | IS42S16400D-7BLI-TR | - | | 4045 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS42S16400 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 60-MiniBGA (6,4x10,1) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4M x 16 | Parallel | - | |||||||||||||
| IS61NLF102418-7.5B3I | - | | 1329 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61NLF102418 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 7,5 ns | SRAM | 1M x 18 | Parallel | - | |||||||||||||
| IS43DR16640C-25DBL | 3.9700 | | 21 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 84-TFBGA | IS43DR16640 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-1562 | EAR99 | 8542.32.0032 | 209 | 400 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 400 PS | DRAM | 64M x 16 | Parallel | 15ns | ||||||||||||
 | IS45S16800F-7CTLA2 | 7.2012 | | 9661 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS45S16800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8M x 16 | Parallel | - | |||||||||||||
 | IS49RL36160-107EBLI | - | | 3860 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 168-LBGA | IS49RL36160 | DRAM | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5 x 13,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 119 | 933 MHz | Flüchtig | 576Mbit | 8 ns | DRAM | 16M x 36 | Parallel | - | |||||||||||||
| IS64LF102436B-7.5TQLA3 | 132.3258 | | 7589 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS64LF102436 | SRAM – Asynchron | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 7,5 ns | SRAM | 1M x 36 | Parallel | - | |||||||||||||
 | IS42S16100H-7TL-TR | 1.0540 | | 2168 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 50-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S16100 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 50-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 1.000 | 143 MHz | Flüchtig | 16Mbit | 5,5 ns | DRAM | 1M x 16 | Parallel | - | |||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-8BLI | 6.9500 | | 459 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | IS61WV25616 | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 4Mbit | 8 ns | SRAM | 256K x 16 | Parallel | 8ns |
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