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Integrierte Schaltkreise (ICs)(5782)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS61QDPB42M36A2-550B4LI | - |  | 1734 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-LBGA | IS61QDPB42 | SRAM – Quad-Port, synchron | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 550 MHz | Flüchtig | 72Mbit | SRAM | 2M x 36 | Parallel | - | |||
 | IS43LD16128B-18BL | 10.5339 | | 1206 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 134-TFBGA | IS43LD16128 | SDRAM – Mobiles LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 171 | 533 MHz | Flüchtig | 2Gbit | DRAM | 128M x 16 | Parallel | 15ns | |||
 | IS61DDB24M18A-250M3L | 52.5000 | | 9573 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-LBGA | IS61DDB24 | SRAM – Synchron, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Flüchtig | 72Mbit | SRAM | 4M x 18 | Parallel | - | |||
 | IS43QR85120B-075UBLI-TR | 9,8287 | | 6290 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-TWBGA (10x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43QR85120B-075UBLI-TR | 2.000 | 1.333 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 19 ns | DRAM | 512M x 8 | POD | 15ns | |||||
 | IS43DR81280C-25DBLI-TR | 5.3550 | | 1756 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS43DR81280 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (8x10,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 400 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 400 PS | DRAM | 128M x 8 | Parallel | 15ns | ||
 | IS42S16160D-7BL | - | | 1984 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TW-BGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS45S16800F-6CTLA1-TR | 4,7977 | | 7721 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS45S16800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8M x 16 | Parallel | - | ||
| IS25WP064D-JKLE | 1.3884 | | 1154 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | FLASH – NOR (SLC) | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-WSON (6x5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WP064D-JKLE | 570 | 166 MHz | Nicht flüchtig | 64Mbit | BLITZ | 8M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 40µs, 800µs | ||||||
 | IS21ES08G-JCLI-TR | - | | 3982 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 153-VFBGA | IS21ES08 | FLASH - NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | 200 MHz | Nicht flüchtig | 64Gbit | BLITZ | 8G x 8 | eMMC | - | |||
 | IS61NVP51236-250B3 | - | | 8736 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61NVP51236 | SRAM – Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2.625 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 2,6 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallel | - | ||
 | IS42S16100H-6TLI | 1.2499 | | 6426 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 50-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S16100 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 50-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 117 | 166 MHz | Flüchtig | 16Mbit | 5,5 ns | DRAM | 1M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS61NLP25672-200B1-TR | - | | 4003 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 209-BGA | IS61NLP25672 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 209-LFBGA (14x22) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 3,1 ns | SRAM | 256K x 72 | Parallel | - | ||
 | IS43DR16640C-3DBLI | 6.4000 | | 775 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 84-TFBGA | IS43DR16640 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-1565 | EAR99 | 8542.32.0032 | 209 | 333 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 450 PS | DRAM | 64M x 16 | Parallel | 15ns | |
| IS61DDB21M18A-300B4L | 32.3796 | | 9363 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-LBGA | IS61DDB21 | SRAM – Synchron, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 144 | 300 MHz | Flüchtig | 18Mbit | SRAM | 1M x 18 | Parallel | - | |||
| IS46DR16160B-3DBLA1 | 5.6812 | | 9275 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 84-TFBGA | IS46DR16160 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 209 | 333 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 450 PS | DRAM | 16M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS25LQ080B-JKLE-TR | - | | 1575 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | IS25LQ080 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 8Mbit | BLITZ | 1M x 8 | SPI – Quad-I/O | 1ms | |||
 | IS43QR16512A-083TBLI | 18.9660 | | 2909 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43QR16512 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-TWBGA (10x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS43QR16512A-083TBLI | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 1,2 GHz | Flüchtig | 8Gbit | 19 ns | DRAM | 512M x 16 | Parallel | 15ns | |
 | IS66WVE2M16TCLL-70BLI | 3.6544 | | 3782 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | IS66WVE2M16 | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | PSRAM | 2M x 16 | Parallel | 70er Jahre | |||
 | IS42SM32160E-6BLI-TR | - | | 8839 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42SM32160 | SDRAM – Mobil | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,5 ns | DRAM | 16M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS41C16105C-50TI | - | | 8876 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 50-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite), 44 Anschlüsse | IS41C16105 | DRAM - FP | 4,5 V ~ 5,5 V | 50-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | Flüchtig | 16Mbit | 25 ns | DRAM | 1M x 16 | Parallel | 84ns | |||
| IS61WV20488FBLL-8BLI | 9.7363 | | 1191 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS61WV20488FBLL-8BLI | 480 | Flüchtig | 16Mbit | 8 ns | SRAM | 2M x 8 | Parallel | 8ns | ||||||
| IS61NLP25636A-200B3I-TR | - | | 6909 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61NLP25636 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 200 MHz | Flüchtig | 9Mbit | 3,1 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallel | - | ||
 | IS61LV51216-10TLI | - | | 5947 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS61LV51216 | SRAM – Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 8Mbit | 10 ns | SRAM | 512K x 16 | Parallel | 10ns | |||
| IS61LPS51236A-250B3I-TR | - | | 4878 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61LPS51236 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 250 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 2,6 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallel | - | ||
| IS43DR16320D-3DBI | - | | 9040 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 209 | 333 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 450 PS | DRAM | 32M x 16 | Parallel | 15ns | ||
| IS29GL032-70TLED | 3.0443 | | 7850 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | FLASH – NOR (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS29GL032-70TLED | 96 | Nicht flüchtig | 32Mbit | 70 ns | BLITZ | 2M x 16 | CFI | 70er Jahre | ||||||
| IS61WV51216EEBLL-10TLI | 7.7827 | | 4720 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS61WV51216 | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 8Mbit | 10 ns | SRAM | 512K x 16 | Parallel | 10ns | |||
| IS42S32800G-6BL | 7.3485 | | 4267 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Nicht für neue Designs | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8M x 32 | Parallel | - | ||
| IS29GL032-70TLET | 3.0443 | | 5900 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | FLASH – NOR (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS29GL032-70TLET | 96 | Nicht flüchtig | 32Mbit | 70 ns | BLITZ | 2M x 16 | CFI | 70er Jahre | ||||||
| IS43QR16512A-083TBL | 17.2512 | | 7388 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43QR16512 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-TWBGA (10x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS43QR16512A-083TBL | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 1,2 GHz | Flüchtig | 8Gbit | 19 ns | DRAM | 512M x 16 | Parallel | 15ns |
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