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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Feuchtigitesempfindlich (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS42S32160A-75BLI-TR | - - - | ![]() | 1635 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-LFBGA | IS42S32160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-LFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 6 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS42S16160D-7BI-Tr | - - - | ![]() | 9773 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42S16160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-TW-BGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS61VPD102418A-250B3 | - - - | ![]() | 3920 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61VPD102418 | SRAM - Quad -Port, Synchron | 2.375 V ~ 2,625 V. | 165-PBGA (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Flüchtig | 18mbit | 2.6 ns | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR | - - - | ![]() | 2450 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | IS66WVH16M8 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 128mbit | 36 ns | Psram | 16 mx 8 | Parallel | 36ns | ||
![]() | IS42S86400B-7TLI | - - - | ![]() | 5783 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S86400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 64m x 8 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS21TF16G-JCLI | 33.7200 | ![]() | 107 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-VFBGA | IS21TF16G | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-VFBGA (11,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS21TF16G-JCLI | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | MMC | - - - | ||
![]() | IS42S16800F-6TL-TR | 2.1697 | ![]() | 5624 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS61LF12836A-7,5B2I-TR | - - - | ![]() | 5104 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 119-BBGA | IS61LF12836 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V. | 119-PBGA (14x22) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | 117 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 7,5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS45S16800E-6BLA1-TR | - - - | ![]() | 9657 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS45S16800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS25LP080D-JNLE | 0,8200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IS25LP080 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1580 | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 800 µs | ||
IS46DR16640C-25DBLA2 | 7.0301 | ![]() | 9571 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS46DR16640 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 209 | 400 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 400 ps | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS42S32800G-6BL-TR | 6.7200 | ![]() | 1482 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42S32800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | - - - | ||
IS43DR16160A-25ebl-tr | - - - | ![]() | 5944 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS43DR16160 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 400 MHz | Flüchtig | 256mbit | 400 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS46LD32640C-18BLA2 | - - - | ![]() | 6906 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 134-tfbga (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46LD32640C-18BLA2 | 1 | 533 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5.5 ns | Dram | 64m x 32 | Hsul_12 | 15ns | ||||
![]() | IS66WVH16M8DALL-166B1LI | 5.0400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | IS66WVH16M8 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 480 | 166 MHz | Flüchtig | 128mbit | 36 ns | Psram | 16 mx 8 | Parallel | 36ns | ||
![]() | IS49NLC18160-33B | - - - | ![]() | 1608 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | IS49NLC18160 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-FCBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | Flüchtig | 288mbit | 20 ns | Dram | 16m x 18 | Parallel | - - - | ||
IS41LV16105B-60TL | - - - | ![]() | 7481 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS41LV16105 | DRAM - FP | 3v ~ 3,6 V | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 117 | Flüchtig | 16mbit | 30 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | ||||
![]() | IS62WV51216HBLL-45BLI-TR | 3.8489 | ![]() | 1258 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-VFBGA | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 48-VFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS62WV51216HBLL-45BLI-TR | 2.500 | Flüchtig | 8mbit | 45 ns | Sram | 512k x 16 | Parallel | 45ns | ||||||
IS46DR16320E-25DBLA2 | 5.5581 | ![]() | 1677 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS46DR16320 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 209 | 400 MHz | Flüchtig | 512mbit | 400 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS61LF51236A-6.5B3I-TR | - - - | ![]() | 6667 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61LF51236 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | 133 MHz | Flüchtig | 18mbit | 6,5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | ||
IS61LV6416-10TLI-TR | - - - | ![]() | 1276 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS61LV6416 | SRAM - Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 1Mbit | 10 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 10ns | ||||
![]() | IS43TR16128A-15HBLI-TR | - - - | ![]() | 3027 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 667 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS42S86400F-7TLI-TR | 12.0000 | ![]() | 8897 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S86400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 143 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 64m x 8 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS49NLC36800-33BL | - - - | ![]() | 8387 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | IS49NLC36800 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-FCBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | Flüchtig | 288mbit | 20 ns | Dram | 8m x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS63LV1024-12KL-TR | - - - | ![]() | 9656 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS63LV1024 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 32-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 800 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 12ns | |||
![]() | IS49NLC93200-33WBLI | - - - | ![]() | 4921 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | IS49NLC93200 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-TWBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | Flüchtig | 288mbit | 20 ns | Dram | 32m x 9 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS66WVO16M8DBLL-133BLI-TR | 3.6017 | ![]() | 1064 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Psram (pseudo sram) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS66WVO16M8DBLL-133BLI-TR | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | Psram | 16 mx 8 | Spi - oktal i/o | 37,5ns | ||||||
![]() | IS42S16320D-7TLI-TR | 13.8300 | ![]() | 7481 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16320 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 143 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS46TR85120A-125KBLA2 | - - - | ![]() | 7237 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS46TR85120 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-TWBGA (9x10.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR85120A-125KBLA2 | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 512 MX 8 | Parallel | 15ns | |
IS41LV16100B-50TL | - - - | ![]() | 9357 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS41LV16100 | Dram - Edo | 3v ~ 3,6 V | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 117 | Flüchtig | 16mbit | 25 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - |
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