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Integrierte Schaltkreise (ICs)(5782)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS42SM32400H-75BLI | 4.8188 |  | 1305 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42SM32400 | SDRAM – Mobil | 2,7 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 6 ns | DRAM | 4M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS62WVS5128FALL-16NLI | - | | 9524 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | IS62WVS5128 | SRAM – Synchron, SDR | 1,65 V ~ 2,2 V | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS62WVS5128FALL-16NLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 100 | 16 MHz | Flüchtig | 4Mbit | SRAM | 512K x 8 | SPI – Quad-I/O | - | ||
 | IS43DR16128A-3DBLI-TR | - | | 6618 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 84-LFBGA | IS43DR16128 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-LFBGA (10,5x13,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 333 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 450 PS | DRAM | 128M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS45S16800E-7BLA2 | - | | 5234 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TFBGA | IS45S16800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TFBGA (8x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 143 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS61LV12816L-10BI-TR | - | | 8122 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | IS61LV12816 | SRAM – Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 16 | Parallel | 10ns | |||
 | IS61WV102416DBLL-10TLI-TR | 10.7100 | | 6683 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | IS61WV102416 | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.500 | Flüchtig | 16Mbit | 10 ns | SRAM | 1M x 16 | Parallel | 10ns | |||
| IS42VM32800E-75BLI-TR | - | | 1505 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42VM32800 | SDRAM – Mobil | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 6 ns | DRAM | 8M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS42S32800G-7BI | - | | 5951 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | DRAM | 8M x 32 | Parallel | - | |||
 | IS45S16320D-7CTLA1-TR | 19.6500 | | 1567 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS45S16320 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 143 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS25LQ016B-JMLE-TR | - | | 1884 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | IS25LQ016 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.000 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 16Mbit | BLITZ | 2M x 8 | SPI – Quad-I/O | 1ms | |||
 | IS43R83200D-6TL-TR | 4.7033 | | 6228 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS43R83200 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 700 PS | DRAM | 32M x 8 | Parallel | 15ns | ||
| IS43QR85120B-075UBLI-TR | 9,8287 | | 6290 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-TWBGA (10x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43QR85120B-075UBLI-TR | 2.000 | 1.333 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 19 ns | DRAM | 512M x 8 | POD | 15ns | |||||
| IS25LX128-JHLA3 | 3.7731 | | 4997 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | IS25LX128 | BLITZ | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS25LX128-JHLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 128 Mbit | BLITZ | 16M x 8 | SPI – Oktaler I/O | - | ||
| IS25LP064D-RMLE-TR | 1.3716 | | 3607 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | FLASH – NOR (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LP064D-RMLE-TR | 1.000 | 166 MHz | Nicht flüchtig | 64Mbit | BLITZ | 8M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 40µs, 800µs | ||||||
 | IS61LV12816L-10TLI-TR | - | | 9784 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS61LV12816 | SRAM – Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 16 | Parallel | 10ns | |||
 | IS43TR85120BL-125KBL-TR | 5.7021 | | 4497 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | IS43TR85120 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-TWBGA (8x10,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS43TR85120BL-125KBL-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 512M x 8 | Parallel | 15ns | |
 | IS41LV16256C-35TLI-TR | - | | 4330 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite), 40 Anschlüsse | IS41LV16256 | DRAM - EDO | 3V ~ 3,6V | 40-TSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | Flüchtig | 4Mbit | 18 ns | DRAM | 256K x 16 | Parallel | - | |||
 | IS61DDB24M18A-300B4LI | 74.4172 | | 4148 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-LBGA | IS61DDB24 | SRAM – Synchron, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 144 | 300 MHz | Flüchtig | 72Mbit | SRAM | 4M x 18 | Parallel | - | |||
 | IS46DR81280B-25DBLA2 | - | | 8538 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS46DR81280 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (8x10,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 242 | 400 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 400 PS | DRAM | 128M x 8 | Parallel | 15ns | ||
| IS46TR85120BL-125KBLA2-TR | - | | 2029 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | IS46TR85120 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-TWBGA (8x10,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS46TR85120BL-125KBLA2-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 512M x 8 | Parallel | 15ns | |
| IS25WX128-JHLE-TR | 3.1230 | | 8705 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | IS25WX128 | BLITZ | 1,7 V ~ 2 V | 24-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS25WX128-JHLE-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 200 MHz | Nicht flüchtig | 128 Mbit | BLITZ | 16M x 8 | SPI – Oktaler I/O | - | ||
 | IS21ES64G-JCLI | - | | 3318 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 153-VFBGA | IS21ES64 | FLASH - NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS21ES64G-JCLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | Nicht flüchtig | 512 Gbit | BLITZ | 64G x 8 | eMMC | - | ||
 | IS43TR16128D-093NBLI | - | | 4779 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS43TR16128D-093NBLI | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 1.066 GHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128M x 16 | Parallel | 15ns | |
| IS61LV12816L-8TL | - | | 5609 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS61LV12816 | SRAM – Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 2Mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 16 | Parallel | 8ns | |||
| IS42RM32400H-75BLI-TR | 4.2627 | | 4630 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42RM32400 | SDRAM – Mobil | 2,3 V ~ 3 V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 6 ns | DRAM | 4M x 32 | Parallel | - | ||
| IS42S83200B-7TI-TR | - | | 1473 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S83200 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 143 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32M x 8 | Parallel | - | ||
 | IS43LR16400B-6BLI | - | | 1855 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS43LR16400 | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 300 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 4M x 16 | Parallel | 15ns | ||
| IS61WV102416FALL-20TLI | 9.5453 | | 7469 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | SRAM – Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-TSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS61WV102416FALL-20TLI | 96 | Flüchtig | 16Mbit | 20 ns | SRAM | 1M x 16 | Parallel | 20ns | ||||||
| IS45S16800F-6CTLA1-TR | 4,7977 | | 7721 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS45S16800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS61NVP51236-250B3 | - | | 8736 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61NVP51236 | SRAM – Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2.625 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 2,6 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallel | - |
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