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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS45S16800F-7TLA1-TR | 3.9209 |  | 7537 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS45S16800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 143 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS49NLS96400A-25WBLI | 51.8860 | | 9897 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 144-TFBGA | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS49NLS96400A-25WBLI | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 576Mbit | 20 ns | DRAM | 64M x 9 | HSTL | - | ||||
 | IS43R86400F-5BLI-TR | 5.7900 | | 1415 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS43R86400 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 200 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 700 PS | DRAM | 64M x 8 | Parallel | 15ns | ||
 | IS49NLS18320A-25WBL | 52.8000 | | 3211 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 144-TFBGA | IS49NLS18320 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 576Mbit | 20 ns | DRAM | 32M x 18 | Parallel | - | ||
 | IS61NLP51236-250B3I-TR | - | | 9665 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61NLP51236 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 250 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 2,6 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallel | - | ||
 | IS42S16100C1-7BL-TR | - | | 4104 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS42S16100 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 60-TFBGA (6,4x10,1) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 16Mbit | 5,5 ns | DRAM | 1M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS34MW02G084-TLI-TR | 4.8842 | | 4209 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | IS34MW02 | FLASH - NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-TSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht flüchtig | 2Gbit | 45 ns | BLITZ | 256M x 8 | Parallel | 45ns | |||
| IS43LQ32256A-062BLI-TR | 19.8968 | | 5145 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 200-TFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-TFBGA (10x14,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LQ32256A-062BLI-TR | 2.500 | 1,6 GHz | Flüchtig | 8Gbit | 3,5 ns | DRAM | 256M x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
 | IS25LP128-JMLE | 3.1800 | | 423 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | IS25LP128 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-1343 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 128 Mbit | BLITZ | 16M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI | 1ms | ||
 | IS42S32160C-6BI-TR | - | | 8595 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-LFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-WBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS41LV16105B-50TL-TR | - | | 5628 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS41LV16105 | DRAM - FP | 3V ~ 3,6V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | Flüchtig | 16Mbit | 25 ns | DRAM | 1M x 16 | Parallel | - | |||
 | IS46DR16128A-3DBLA2 | - | | 9968 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 84-LFBGA | IS46DR16128 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-LFBGA (10,5x13,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 162 | 333 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 450 PS | DRAM | 128M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS43TR16256B-125KBLI-TR | 7.7314 | | 7040 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS43TR16256B-125KBLI-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256M x 16 | Parallel | 15ns | |
 | IS25CQ032-JKLE-TR | - | | 8338 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | IS25CQ032 | BLITZ | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 32Mbit | BLITZ | 4M x 8 | SPI | 4 ms | |||
 | IS61LPS12836A-250TQL-TR | 7,5837 | | 6735 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61LPS12836 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 250 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 2,6 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallel | - | ||
| IS43TR81024BL-125KBLI-TR | 20.9076 | | 9874 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-TWBGA (10x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR81024BL-125KBLI-TR | 2.000 | 800 MHz | Flüchtig | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 1G x 8 | Parallel | 15ns | |||||
 | IS41LV16105C-50KLI | - | | 6056 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 42-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) | IS41LV16105 | DRAM - FP | 3V ~ 3,6V | 42-SOJ | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 16 | Flüchtig | 16Mbit | 25 ns | DRAM | 1M x 16 | Parallel | - | |||
 | IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR | 3.4373 | | 5099 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-VFBGA | IS66WVC2M16 | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | PSRAM | 2M x 16 | Parallel | 70er Jahre | |||
| IS42S16400D-7TL-TR | - | | 5396 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S16400 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS43R16160D-6TLI-TR | 3.5735 | | 2990 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS43R16160 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 700 PS | DRAM | 16M x 16 | Parallel | 15ns | ||
| IS62WV5128EALL-55BLI | - | | 9883 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 36-TFBGA | IS62WV5128 | SRAM – Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V | 36-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 512K x 8 | Parallel | 55ns | |||
| IS22TF08G-JCLA2 | 21.3557 | | 6239 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 153-VFBGA | FLASH - NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS22TF08G-JCLA2 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | Nicht flüchtig | 64Gbit | BLITZ | 8G x 8 | eMMC_5.1 | - | |||
 | IS42S32160F-6TLI | 13.0430 | | 3253 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S32160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 86-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 167 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 32 | Parallel | - | ||
| IS46TR16128D-125KBLA2-TR | 5.4312 | | 2641 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS46TR16128D-125KBLA2-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128M x 16 | Parallel | 15ns | |
 | IS42RM16160E-75BLI | - | | 6204 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TFBGA | IS42RM16160 | SDRAM – Mobil | 2,3 V ~ 3 V | 54-TFBGA (8x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 348 | 133 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 6 ns | DRAM | 16M x 16 | Parallel | - | ||
| IS42SM32400H-75BLI | 4.8188 | | 1305 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42SM32400 | SDRAM – Mobil | 2,7 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 6 ns | DRAM | 4M x 32 | Parallel | - | ||
| IS42S32800D-7B-TR | - | | 7936 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8M x 32 | Parallel | - | ||
| IS25LP512MH-JLLE | 6.7057 | | 8288 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | FLASH – NOR (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (8x6) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LP512MH-JLLE | 480 | 166 MHz | Nicht flüchtig | 512Mbit | BLITZ | 64M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 50µs, 1ms | ||||||
 | IS25LQ080-JNLE-TR | - | | 2085 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | IS25LQ080 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 8Mbit | BLITZ | 1M x 8 | SPI – Quad-I/O | 1ms | |||
| IS42VM32160E-6BLI | 9.5651 | | 9595 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42VM32160 | SDRAM – Mobil | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,5 ns | DRAM | 16M x 32 | Parallel | - |
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