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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
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![]() | IS66WVE4M16EBLL-55BLI-TR | - - - | ![]() | 2412 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS66WVE4M16 | Psram (pseudo sram) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 64Mbit | 55 ns | Psram | 4m x 16 | Parallel | 55ns | |||
IS62WV25616DBLL-45TI-TR | - - - | ![]() | 8295 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS62WV25616 | SRAM - Asynchron | 2,3 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 45 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 45ns | ||||
![]() | IS61QDP2B22M36A1-333B4L | 105.0000 | ![]() | 9025 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | IS61QDP2 | SRAM - Synchron, Quadp | 1,71 V ~ 1,89 V. | 165-LFBGA (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 105 | 333 MHz | Flüchtig | 72Mbit | 8.4 ns | Sram | 2m x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS64WV6416EELLL-10BLA3-TR | 3.7550 | ![]() | 6444 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS64WV6416EELLL-10BLA3-TR | 2.500 | Flüchtig | 1Mbit | 10 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 10ns | ||||||
![]() | IS61WV102416FBLL-8TLI | 10.8090 | ![]() | 8424 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | IS61WV102416 | SRAM - Dual -Port, Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 96 | Flüchtig | 16mbit | 8 ns | Sram | 1m x 16 | Parallel | 8ns | |||
![]() | IS46TR16640BL-125JBLA1-TR | - - - | ![]() | 3377 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16640 | SDRAM - DDR3 | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | - - - | ||
IS64WV12816EDBLL-10CTLA3-TR | 5.0336 | ![]() | 8312 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS64WV12816 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 2mbit | 10 ns | Sram | 128k x 16 | Parallel | 10ns | ||||
![]() | IS45S16400J-7CTLA2-TR | 4.2943 | ![]() | 1028 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS45S16400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS41LV16105D-50TLI-TR | 5.3797 | ![]() | 1138 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 50-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit), 44 Leads | IS41LV16105 | DRAM - FP | 3v ~ 3,6 V | 50-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | Flüchtig | 16mbit | 25 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | |||
![]() | IS43TR82560D-125KBLI-TR | 4.2623 | ![]() | 8025 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS43TR82560 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR82560D-125KBLI-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 8 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS25LP256D-JLLE | 5.1400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | IS25LP256 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 800 µs | |||
![]() | IS61DDB251236A-250M3L | 32.3796 | ![]() | 8712 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | IS61DDB251236 | SRAM - Synchron, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V. | 165-LFBGA (15x17) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0002 | 105 | 250 MHz | Flüchtig | 18mbit | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | IS43TR81280BL-125JBL | - - - | ![]() | 1476 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS43TR81280 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS46TR16640CL-107MBLA2-TR | 3.7706 | ![]() | 7437 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16640 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR16640CL-107MBLA2-TR | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 933 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS61LPD102418A-250B3 | - - - | ![]() | 8623 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61LPD102418 | SRAM - Quad -Port, Synchron | 3,135 V ~ 3,465V | 165-PBGA (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Flüchtig | 18mbit | 2.6 ns | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS49NLC18320-25ebli | - - - | ![]() | 6095 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | IS49NLC18320 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-FCBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 576mbit | 15 ns | Dram | 32m x 18 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS45S16160D-7TLA2 | - - - | ![]() | 5307 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS45S16160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS42S16400D-7TL-TR | - - - | ![]() | 5396 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS42S32400B-6TL | - - - | ![]() | 7461 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS42S16100C1-7BL-TR | - - - | ![]() | 4104 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS42S16100 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 60-TFBGA (6.4x10.1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 16mbit | 5.5 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS62WV10248BLL-55BI-TR | - - - | ![]() | 5884 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS62WV10248 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 48-minibga (7,2x8,7) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 8mbit | 55 ns | Sram | 1m x 8 | Parallel | 55ns | |||
![]() | IS61DDB22M18-250M3L | - - - | ![]() | 3403 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | IS61DDB22 | SRAM - Synchron, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V. | 165-LFBGA (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0002 | 105 | 250 MHz | Flüchtig | 36Mbit | Sram | 2m x 18 | Parallel | - - - | |||
![]() | IS46R16320E-6TLA1-TR | 6.9878 | ![]() | 7283 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS46R16320 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS62WV5128DALL-55HLI | - - - | ![]() | 4318 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,465 ", 11.80 mm Breit) | IS62WV5128 | SRAM - Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V. | 32-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Sram | 512k x 8 | Parallel | 55ns | |||
![]() | IS43R16160B-5TLI-TR | - - - | ![]() | 4848 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS43R16160 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 200 MHz | Flüchtig | 256mbit | 700 ps | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS46TR16256BL-125KBLA1 | 8.5453 | ![]() | 5407 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16256 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR16256BL-125KBLA1 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS43LD32640B-25BPL | - - - | ![]() | 5075 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | IS43LD32640 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 168 | 400 MHz | Flüchtig | 2Gbit | Dram | 64m x 32 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS42S32200C1-6TLI-TR | - - - | ![]() | 8474 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32200 | Sdram | 3,15 V ~ 3,45 V. | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.5 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS61DDB42M18-250M3L | - - - | ![]() | 2457 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | IS61DDB42 | SRAM - Synchron, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V. | 165-LFBGA (15x17) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 5.85 ns | Sram | 2m x 18 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS42S32400B-6T | - - - | ![]() | 2542 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | - - - |
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