SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
IS66WVE1M16BLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE1M16BLL-55BLI-TR - - -
RFQ
ECAD 1365 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga IS66WVE1M16 Psram (pseudo sram) 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tfbga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0041 2.500 Flüchtig 16mbit 55 ns Psram 1m x 16 Parallel 55ns
IS63WV1024BLL-12BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1024BLL-12BLI 2.4384
RFQ
ECAD 4431 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga IS63WV1024 SRAM - Asynchron 3v ~ 3,6 V 48-tfbga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3A991B2B 8542.32.0041 480 Flüchtig 1Mbit 12 ns Sram 128k x 8 Parallel 12ns
IS43DR82560B-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560B-3DBLI-TR - - -
RFQ
ECAD 6353 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga IS43DR82560 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-TWBGA (10,5x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.500 333 MHz Flüchtig 2Gbit 450 ps Dram 256 mx 8 Parallel 15ns
IS42S32800B-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7BLI - - -
RFQ
ECAD 5206 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-LFBGA IS42S32800 Sdram 3v ~ 3,6 V 90-LFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 240 143 MHz Flüchtig 256mbit 5.5 ns Dram 8m x 32 Parallel - - -
IS66WV51216DBLL-70TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216DBLL-70TLI-TR - - -
RFQ
ECAD 7023 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS66WV51216 Psram (pseudo sram) 2,5 V ~ 3,6 V. 44-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0041 1.000 Flüchtig 8mbit 70 ns Psram 512k x 16 Parallel 70ns
IS43TR81280A-15GBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280A-15GBL 2.2300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 78-tfbga IS43TR81280 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 78-TWBGA (8x10.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 242 667 MHz Flüchtig 1Gbit 20 ns Dram 128 MX 8 Parallel 15ns
IS62WV25616DBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DBLL-45BLI-TR - - -
RFQ
ECAD 3702 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga IS62WV25616 SRAM - Asynchron 2,5 V ~ 3,6 V. 48-tfbga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 2.500 Flüchtig 4mbit 45 ns Sram 256k x 16 Parallel 45ns
IS64WV51216EEBLL-10BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EELLL-10BLA3 12.6754
RFQ
ECAD 8159 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga SRAM - Asynchron 2,4 V ~ 3,6 V. 48-tfbga (6x8) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS64WV51216EELLL-10BLA3 480 Flüchtig 8mbit 10 ns Sram 512k x 16 Parallel 10ns
IS66WVE2M16DBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE2M16DBLL-70BLI - - -
RFQ
ECAD 8119 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga IS66WVE2M16 Psram (pseudo sram) 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tfbga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0041 480 Flüchtig 32Mbit 70 ns Psram 2m x 16 Parallel 70ns
IS42S32800G-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-7BI - - -
RFQ
ECAD 5951 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-tfbga IS42S32800 Sdram 3v ~ 3,6 V 90-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 240 143 MHz Flüchtig 256mbit Dram 8m x 32 Parallel - - -
IS42VM16160E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160E-75BLI-TR - - -
RFQ
ECAD 3339 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-tfbga IS42VM16160 Sdram - Mobil 1,7 V ~ 1,95 V. 54-TFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 2.500 133 MHz Flüchtig 256mbit 6 ns Dram 16m x 16 Parallel - - -
IS25LE256E-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LE256E-RMLE-TR 3.9621
RFQ
ECAD 1351 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) Flash - Nor (SLC) 2,3 V ~ 3,6 V. 16-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS25LE256E-RMLE-TR 1.000 166 MHz Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 50 µs, 1 ms
IS43R16320D-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-5TLI 8.3656
RFQ
ECAD 3870 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS43R16320 SDRAM - DDR 2,5 V ~ 2,7 V 66-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 108 200 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
IS43R83200D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200D-6TL-TR 4.7033
RFQ
ECAD 6228 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS43R83200 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.500 166 MHz Flüchtig 256mbit 700 ps Dram 32m x 8 Parallel 15ns
IS61LF51236A-6.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-6.5B3-TR - - -
RFQ
ECAD 4948 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga IS61LF51236 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 165-tfbga (13x15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 2.000 133 MHz Flüchtig 18mbit 6,5 ns Sram 512k x 36 Parallel - - -
IS42S16800D-6T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-6T-tr - - -
RFQ
ECAD 6627 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S16800 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.500 166 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 8m x 16 Parallel - - -
IS49NLC36160-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160-25BLI - - -
RFQ
ECAD 7267 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 144-tfbga IS49NLC36160 RLDRAM 2 1,7 V ~ 1,9 V. 144-FCBGA (11x18.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 104 400 MHz Flüchtig 576mbit 20 ns Dram 16m x 36 Parallel - - -
IS62WV1288BLL-55HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288BLL-55HLI 2.2900
RFQ
ECAD 913 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 32-TFSOP (0,465 ", 11.80 mm Breit) IS62WV1288 SRAM - Asynchron 2,5 V ~ 3,6 V. 32-stSop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0041 234 Flüchtig 1Mbit 55 ns Sram 128k x 8 Parallel 55ns
IS62WV25616EBLL-45BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EBLL-45BI - - -
RFQ
ECAD 3241 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-VFBGA IS62WV25616 SRAM - Asynchron 2,2 V ~ 3,6 V. 48-VFBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1 Flüchtig 4mbit 45 ns Sram 256k x 16 Parallel 45ns
IS61VF51236A-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF51236A-7,5B3I-Tr - - -
RFQ
ECAD 1492 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga IS61VF51236 SRAM - Synchron, SDR 2.375 V ~ 2,625 V. 165-tfbga (13x15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 2.000 117 MHz Flüchtig 18mbit 7,5 ns Sram 512k x 36 Parallel - - -
IS42VM32400H-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32400H-6BLI 4.9065
RFQ
ECAD 6057 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-tfbga IS42VM32400 Sdram - Mobil 1,7 V ~ 1,95 V. 90-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0002 240 166 MHz Flüchtig 128mbit 5.5 ns Dram 4m x 32 Parallel - - -
IS41LV16100B-60TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-60TL - - -
RFQ
ECAD 6259 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS41LV16100 Dram - Edo 3v ~ 3,6 V 44-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 117 Flüchtig 16mbit 30 ns Dram 1m x 16 Parallel - - -
IS62WV5128EALL-55HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128ALL-55HLI - - -
RFQ
ECAD 8144 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 32-TFSOP (0,465 ", 11.80 mm Breit) IS62WV5128 SRAM - Asynchron 1,65 V ~ 2,2 V. 32-tsop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1 Flüchtig 4mbit 55 ns Sram 512k x 8 Parallel 55ns
IS43TR16256B-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256B-125KBL 7.7500
RFQ
ECAD 21 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga IS43TR16256 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 96-TWBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-1727 Ear99 8542.32.0036 190 800 MHz Flüchtig 4Gbit 20 ns Dram 256 mx 16 Parallel 15ns
IS61QDB41M36-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB41M36-250M3L - - -
RFQ
ECAD 5697 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-lbga IS61QDB41 SRAM - Synchron, Quad 1,71 V ~ 1,89 V. 165-LFBGA (15x17) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 105 250 MHz Flüchtig 36Mbit 7,5 ns Sram 1m x 36 Parallel - - -
IS22TF08G-JCLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF08G-JCLA2 21.3557
RFQ
ECAD 6239 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-VFBGA Flash - Nand (TLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 153-VFBGA (11,5x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS22TF08G-JCLA2 3a991b1a 8542.32.0071 152 200 MHz Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 EMMC_5.1 - - -
IS25LP080D-JVLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JVLE-TR - - -
RFQ
ECAD 5126 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) IS25LP080 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-vvsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.500 133 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 800 µs
IS46LD32320A-25BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32320A-25BLA1 - - -
RFQ
ECAD 7633 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 134-tfbga IS46LD32320 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 V ~ 1,95 V. 134-tfbga (10x11.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 171 400 MHz Flüchtig 1Gbit Dram 32m x 32 Parallel 15ns
IS43LD32320D-18BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32320D-18BLI-TR 6.7165
RFQ
ECAD 2566 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. * Band & Rollen (TR) Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS43LD32320D-18BLI-Tr 2.000
IS61VPS51236B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236B-200TQLI-TR 13.9821
RFQ
ECAD 3330 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP IS61VPS51236 SRAM - Synchron, SDR 2.375 V ~ 2,625 V. 100-LQFP (14x20) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 800 200 MHz Flüchtig 18mbit 3 ns Sram 512k x 36 Parallel - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus