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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS43LR32100D-6BL-TR | 2.6516 | ![]() | 9540 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS43LR32100 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 32Mbit | 5.5 ns | Dram | 1m x 32 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS43LD32128C-18BPLI-TR | 11.5650 | ![]() | 7355 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43LD32128C-18BPLI-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | ||||||||||||||||
![]() | IS43TR16640CL-125JBL | 3.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16640 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR16640CL-125JBL | Ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS46TR16256ECL-125LB2LA1-TR | - - - | ![]() | 1323 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | SDRAM - DDR3L | - - - | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46TR16256ECL-125LB2LA1-TR | 2.000 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 512 MX 8 | Parallel | - - - | ||||||
![]() | IS46TR16256B-125KBLA2 | 9.6817 | ![]() | 8818 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16256 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR16256B-125KBLA2 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS25LP256D-JLLA3-TR | 3.5398 | ![]() | 1297 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LP256D-JLLA3-TR | 4.000 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 6,5 ns | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | |||||
![]() | IS43LD32640B-18BPL | - - - | ![]() | 2580 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | IS43LD32640 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 168 | 533 MHz | Flüchtig | 2Gbit | Dram | 64m x 32 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS66WVQ2M4DALL-200BLI-TR | 2.0139 | ![]() | 2642 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS66WVQ2M4DALL-200BLI-TR | 2.500 | 200 MHz | Flüchtig | 8mbit | Psram | 2m x 4 | Spi - quad i/o | 40ns | |||||
![]() | IS43TR85120BL-125KBL | 6.4066 | ![]() | 7251 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS43TR85120 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR85120BL-125KBL | Ear99 | 8542.32.0036 | 220 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 512 MX 8 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS22TF16G-JCLA2 | 28.0418 | ![]() | 6597 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-VFBGA | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-VFBGA (11,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS22TF16G-JCLA2 | 152 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - - - | ||||||
![]() | IS61WV10248EELLL-10TLI | 7.2875 | ![]() | 9846 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-is61WV10248eelll-10tli | 135 | Flüchtig | 8mbit | 10 ns | Sram | 1m x 8 | Parallel | 10ns | ||||||
![]() | IS42VM16400K-75BLI | - - - | ![]() | 6228 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42VM16400 | Sdram - Mobil | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 133 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 6 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS61LPD102418A-200TQI-TR | - - - | ![]() | 1966 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61LPD102418 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3.1 ns | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS43TR16128CL-15HBL | 5.6656 | ![]() | 1188 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS43LQ16256A-062TBLI-TR | 11.7306 | ![]() | 6188 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 200-TFBGA (10x14,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LQ16256A-062TBLI-TR | 2.500 | 1,6 GHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 256 mx 16 | LVSTL | - - - | ||||||
![]() | IS64WV25616EFBLL-10BLA3-TR | 6.6840 | ![]() | 4861 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS64WV25616EFBLL-10BLA3-TR | 2.500 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 10ns | ||||||
IS61WV51216EDBLL-10TLI | 11.7000 | ![]() | 312 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS61WV51216 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 8mbit | 10 ns | Sram | 512k x 16 | Parallel | 10ns | ||||
![]() | IS29GL256-70SLEB-TR | 5.2027 | ![]() | 4073 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 3v ~ 3,6 V | 56-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS29GL256-70SLEB-TR | 800 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 70 ns | Blitz | 32m x 8 | CFI | 70 ns, 200 µs | ||||||
![]() | IS22TF16G-JQLA1-TR | 25.4030 | ![]() | 5678 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 lbga | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100-LFBGA (14x18) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS22TF16G-JQLA1-TR | 1.000 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - - - | ||||||
![]() | IS61NVP25672-200B1I | - - - | ![]() | 2985 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 209-Bga | IS61NVP25672 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 209-LFBGA (14x22) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 84 | 200 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3.1 ns | Sram | 256k x 72 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS25LP128F-JBLE-TR | 1.7218 | ![]() | 7280 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | IS25LP128 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 800 µs | |||
![]() | IS43TR16256B-093NBLI-TR | - - - | ![]() | 6944 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16256 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR16256B-093NBLI-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 1.066 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS46TR16128B-125KBLA1-TR | - - - | ![]() | 3135 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS46R16160F-6TLA1 | 4.4051 | ![]() | 9766 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS46R16160 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 700 ps | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS22TF08G-JQLA1-TR | 16.6915 | ![]() | 3066 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 lbga | Flash - Nand (PSLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100-LFBGA (14x18) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS22TF08G-JQLA1-TR | 1.000 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | EMMC_5.1 | - - - | ||||||
![]() | IS43TR16640BL-125KBL-TR | - - - | ![]() | 1743 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16640 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR16640BL-125KBL-TR | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS46LQ32128AL-062BLA1-TR | - - - | ![]() | 9310 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-VFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 200-VFBGA (10x14,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46LQ32128AL-062BLA1-TR | 2.500 | 1,6 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 3,5 ns | Dram | 128 mx 32 | LVSTL | 18ns | |||||
IS46DR16640C-3DBLA1 | 5.9979 | ![]() | 2883 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS46DR16640 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 209 | 333 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 450 ps | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS64WV6416BLL-15BA3-TR | - - - | ![]() | 7858 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS64WV6416 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 1Mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS43LQ16128A-062BLI-TR | - - - | ![]() | 7431 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-VFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 200-VFBGA (10x14,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LQ16128A-062BLI-TR | 2.500 | 1,6 GHz | Flüchtig | 2Gbit | 3,5 ns | Dram | 128 MX 16 | LVSTL | 18ns |
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