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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
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![]() | IS43TR16128A-125KBLI-TR | - - - | ![]() | 6282 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS42S16800D-75EBL | - - - | ![]() | 7461 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | IS42S16800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-Minibga (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 6,5 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS61WV204816ALL-10TLI-TR | - - - | ![]() | 2011 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | IS61WV204816 | SRAM - Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.500 | Flüchtig | 32Mbit | 10 ns | Sram | 2m x 16 | Parallel | 10ns | |||
![]() | IS61WV51216EELLL-10B2LI | 7.3822 | ![]() | 2179 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS61WV51216 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 8mbit | 10 ns | Sram | 512k x 16 | Parallel | 10ns | |||
![]() | IS49RL36160-093ebl | - - - | ![]() | 1063 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 168-lbga | IS49RL36160 | Dram | 1,28 V ~ 1,42 V. | 168-FBGA (13,5x13,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 1.066 GHz | Flüchtig | 576mbit | 8 ns | Dram | 16m x 36 | Parallel | - - - | ||
IS61WV12816DBLL-10TLI-TR | 2.7298 | ![]() | 7280 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS61WV12816 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 2mbit | 10 ns | Sram | 128k x 16 | Parallel | 10ns | ||||
![]() | IS61NLP25636A-200TQLI-TR | 12.7500 | ![]() | 5720 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61NLP25636 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Flüchtig | 9mbit | 3.1 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS61LPS102436A-166TQLI-TR | - - - | ![]() | 2910 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61LPS102436 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 800 | 166 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 3,5 ns | Sram | 1m x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS42SM16400K-6BLI-TR | - - - | ![]() | 9882 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42SM16400 | Sdram - Mobil | 3v ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.5 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS62WV51216HBLL-45TLI | 5.3900 | ![]() | 270 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS62WV51216HBLL-45TLI | 135 | Flüchtig | 8mbit | 45 ns | Sram | 512k x 16 | Parallel | 45ns | ||||||
![]() | IS42S32200L-6TL-TR | 2.8787 | ![]() | 5597 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32200 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS62WV12816FBLL-45TLI-TR | 1.5749 | ![]() | 4559 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS62WV12816FBLL-45TLI-TR | 1.000 | Flüchtig | 2mbit | 45 ns | Sram | 128k x 16 | Parallel | 45ns | ||||||
![]() | IS42S16160J-7TLI | 3.6500 | ![]() | 775 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS61LF51236A-7.5B3-TR | - - - | ![]() | 1829 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61LF51236 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | 117 MHz | Flüchtig | 18mbit | 7,5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS25LP512M-Rhalle | 7.2202 | ![]() | 5563 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | IS25LP512 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 1,6 ms | |||
IS61LV5128AL-10BLI | - - - | ![]() | 9947 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 36-tfbga | IS61LV5128 | SRAM - Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V. | 36-minibga (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 512k x 8 | Parallel | 10ns | ||||
IS43DR16640B-3DBLI-TR | 6.3750 | ![]() | 9151 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS43DR16640 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 2.500 | 333 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 450 ps | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS64WV102416EDBLL-12B4A3 | - - - | ![]() | 8098 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS64WV102416 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS64WV102416EDBLL-12B4A3 | Veraltet | 210 | Flüchtig | 16mbit | 12 ns | Sram | 1m x 16 | Parallel | 12ns | |||
![]() | IS45VM16800E-75BLA2-TR | - - - | ![]() | 3388 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS45VM16800 | Sdram - Mobil | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS64WV51216EELLL-10CT2LA3 | 12.6597 | ![]() | 5771 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS64WV51216eebll-10CT2LA3 | 96 | Flüchtig | 8mbit | 10 ns | Sram | 512k x 16 | Parallel | 10ns | ||||||
![]() | IS43LD16128C-18BLI-TR | 9.8250 | ![]() | 4995 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 134-tfbga (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43LD16128C-18BLI-TR | 2.000 | 533 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5.5 ns | Dram | 128 MX 16 | Hsul_12 | 15ns | ||||
![]() | IS49RL18640-107ebli | 120.0345 | ![]() | 7896 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-lbga | RLDRAM 3 | 1,28 V ~ 1,42 V. | 168-FBGA (13,5x13,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS49RL18640-107ebli | 119 | 933 MHz | Flüchtig | 1.152Gbit | 8 ns | Dram | 64m x 18 | Parallel | - - - | ||||
![]() | IS29GL064-70TLET-TR | 2.9898 | ![]() | 4459 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS29GL064-70TLet-tr | 1.500 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 4m x 16 | CFI | 70ns | ||||||
![]() | IS43QR16256B-083RBLI-TR | 9.3100 | ![]() | 8679 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-Bga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 96-Bga | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43QR16256B-083RBLI-TR | 2.500 | 1,2 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 19 ns | Dram | 256 mx 16 | Pod | 15ns | |||||
![]() | IS61LPS51236A-200B3LI | - - - | ![]() | 1667 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61LPS51236 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3.1 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS64LF25636B-7,5B3LA3 | 19.4937 | ![]() | 4730 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,465V | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS64LF25636B-7,5B3LA3 | 144 | 117 MHz | Flüchtig | 9mbit | 7,5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |||||
![]() | IS43QR85120B-075ubli-Tr | 9.8287 | ![]() | 6290 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-TWBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43QR85120B-075ubli-Tr | 2.000 | 1,333 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 19 ns | Dram | 512 MX 8 | Pod | 15ns | |||||
![]() | IS43LD32128B-25BPL | - - - | ![]() | 6321 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | IS43LD32128 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43LD32128B-25BPL | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5.5 ns | Dram | 128 mx 32 | Hsul_12 | 15ns | |
IS62WV51216ALL-55TLI | 5.5197 | ![]() | 6540 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS62WV51216 | SRAM - Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 8mbit | 55 ns | Sram | 512k x 16 | Parallel | 55ns | ||||
![]() | IS43LR16160H-6BLI-TR | 4.6615 | ![]() | 6756 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-TFBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LR16160H-6BLI-TR | 2.000 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns |
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