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Integrierte Schaltungen (ICS) (5782)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS42VS16100C1-10TI | - - - |  | 9903 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 50-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42VS16100 | Sdram | 1,7 V ~ 1,9 V. | 50-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 100 MHz | Flüchtig | 16mbit | 7 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | |||
 | IS25CD512-JKLE | - - - | | 8411 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | IS25CD512 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 512Kbit | Blitz | 64k x 8 | Spi | 5 ms | ||||
 | IS61VPD51236A-250B3-TR | - - - | | 5950 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61VPD51236 | SRAM - Quad -Port, Synchron | 2.375 V ~ 2,625 V. | 165-PBGA (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | 250 MHz | Flüchtig | 18mbit | 2.6 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | |||
 | IS61DDPB42M36A-400M3L | 100.1770 | | 5355 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | IS61DDPB42 | SRAM - Synchron, DDR IIP | 1,71 V ~ 1,89 V. | 165-LFBGA (15x17) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | Flüchtig | 72Mbit | Sram | 2m x 36 | Parallel | - - - | ||||
 | IS61NLP204818B-250B3L | 94.1664 | | 8722 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61NLP204818 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 2,8 ns | Sram | 2m x 18 | Parallel | - - - | |||
 | IS42S32200C1-7TI | - - - | | 1715 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32200 | Sdram | 3,15 V ~ 3,45 V. | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.5 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | - - - | |||
 | IS25WE256E-RHLA3 | 5.0440 | | 2379 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WE256E-RHLA3 | 480 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms | ||||||
 | IS45S16160D-7BLA2 | - - - | | 8453 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS45S16160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 143 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | - - - | |||
 | IS25WD040-JNLE-TR | - - - | | 2046 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IS25WD040 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 80 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | Blitz | 512k x 8 | Spi | 3 ms | ||||
| IS61VPS51236A-250B3L | - - - | | 1534 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61VPS51236 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Flüchtig | 18mbit | 2.6 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | |||
 | IS42SM32400G-6BLI | - - - | | 2625 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42SM32400 | Sdram - Mobil | 2,7 V ~ 3,6 V. | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.5 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | - - - | |||
 | IS43TR16512A-15HBLI-TR | - - - | | 7719 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-LFBGA | IS43TR16512 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-LFBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 667 MHz | Flüchtig | 8gbit | 20 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | 15ns | Nicht Verifiziert | ||
 | IS43LD16128B-25BL-TR | 9.3750 | | 4030 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-tfbga | IS43LD16128 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 134-tfbga (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 400 MHz | Flüchtig | 2Gbit | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||||
 | IS49NLS18320-25BLI | - - - | | 5540 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | IS49NLS18320 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-FCBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 576mbit | 20 ns | Dram | 32m x 18 | Parallel | - - - | |||
| IS25LP064D-JBLE-TR | 1.2082 | | 5883 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LP064D-Jble-tr | 2.000 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | |||||||
 | IS61LV2568L-10KLI | - - - | | 6913 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 36-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS61LV2568 | SRAM - Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V. | 36-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 19 | Flüchtig | 2mbit | 10 ns | Sram | 256k x 8 | Parallel | 10ns | ||||
| IS43LR16160H-6BL-TR | 4.2766 | | 8478 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-TFBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LR16160H-6BL-TR | 2.000 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | ||||||
 | IS63WV1288DBLL-10JLI | 2.2841 | | 4540 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit) | IS63WV1288 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 32-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 25 | Flüchtig | 1Mbit | 10 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 10ns | ||||
 | IS64WV2568EDBLL-10CTLA3-TR | 5.3284 | | 8741 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS64WV2568 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 2mbit | 10 ns | Sram | 256k x 8 | Parallel | 10ns | ||||
 | IS43TR16640B-125JBL | - - - | | 8733 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16640 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |||
 | IS25WP512M-RMLA3-TY | 9.1840 | | 8046 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Flash - Nor | 1,7 V ~ 1,95 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25WP512M-RMLA3-TY | 176 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | 7,5 ns | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 50 µs, 2 ms | |||||
 | IS43DR81280B-3DBLI | 7.1992 | | 5283 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS43DR81280 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 333 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 450 ps | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | |||
| IS62WV51216EFBLL-45TLI-TR | 4.4831 | | 7831 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS62WV51216 | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 8mbit | 45 ns | Sram | 512k x 16 | Parallel | 55ns | ||||
| IS42S32200E-6TLI-TR | - - - | | 7006 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32200 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.5 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | - - - | |||
| IS46TR16256AL-125KBLA2 | - - - | | 2954 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16256 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | 15ns | |||
 | IS62WV10248EBLL-45BLI | 6.5500 | | 43 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-VFBGA | IS62WV10248 | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 48-VFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 8mbit | 45 ns | Sram | 1m x 8 | Parallel | 45ns | ||||
| IS46TR16640BL-125JBLA25 | - - - | | 8026 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 115 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16640 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR16640BL-125JBLA25 | Ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| IS29GL128-70FLET-TR | 4.5047 | | 9483 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | Flash - Nor (SLC) | 3v ~ 3,6 V | 64-LFBGA (11x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS29GL128-70flet-tr | 2.000 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 70 ns | Blitz | 16 mx 8 | CFI | 70 ns, 200 µs | |||||||
| IS46LQ32640AL-062TBLA1-TR | - - - | | 3983 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 200-TFBGA (10x14,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46LQ32640AL-062TBLA1-TR | 2.500 | 1,6 GHz | Flüchtig | 2Gbit | 3,5 ns | Dram | 64m x 32 | LVSTL | 18ns | ||||||
 | IS62WV102416BLL-25MI-TR | - - - | | 6299 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS62WV102416 | SRAM - Asynchron | 1,65 V ~ 3,6 V. | 48-minibga (9x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 16mbit | 25 ns | Sram | 1m x 16 | Parallel | 25ns |
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