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Integrierte Schaltkreise (ICs)(5782)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS42S32200C1-55TL | - |  | 6107 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S32200 | SDRAM | 3,15 V ~ 3,45 V | 86-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 183 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5 ns | DRAM | 2M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS61WV102416DALL-10TLI | - | | 6196 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | IS61WV102416 | SRAM – Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-TSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 96 | Flüchtig | 16Mbit | 10 ns | SRAM | 1M x 16 | Parallel | 10ns | |||
 | IS43R16320E-6TLI-TR | 6.3636 | | 4004 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS43R16320 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 700 PS | DRAM | 32M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS29GL128-70GLEB | 4.9552 | | 9994 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 56-TFBGA | FLASH – NOR (SLC) | 3V ~ 3,6V | 56-TFBGA (7x9) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS29GL128-70GLEB | 240 | Nicht flüchtig | 128 Mbit | 70 ns | BLITZ | 16M x 8 | CFI | 70 ns, 200 µs | ||||||
 | IS41LV16100B-60KLI-TR | - | | 7062 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 42-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) | IS41LV16100 | DRAM - EDO | 3V ~ 3,6V | 42-SOJ | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | Flüchtig | 16Mbit | 30 ns | DRAM | 1M x 16 | Parallel | - | |||
| IS25WP040E-JNLE-TR | 0,3011 | | 1671 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | FLASH – NOR (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-SOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WP040E-JNLE-TR | 3.000 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 4Mbit | 8 ns | BLITZ | 512K x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI | 40µs, 1,2ms | |||||
 | IS21TF32G-JQLI | 48.3300 | | 29 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LBGA | IS21TF32G | FLASH - NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-LFBGA (14x18) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS21TF32G-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | Nicht flüchtig | 256 Gbit | BLITZ | 32G x 8 | MMC | - | ||
| IS62WV12816ALL-70BI-TR | - | | 9278 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | IS62WV12816 | SRAM – Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 2Mbit | 70 ns | SRAM | 128K x 16 | Parallel | 70er Jahre | |||
 | IS43LR16800G-6BL-TR | 3.9447 | | 3102 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS43LR16800 | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.000 | 166 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,5 ns | DRAM | 8M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS42S16320F-6TLI-TR | 11.4600 | | 6207 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S16320 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 167 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS42S32800D-7B | - | | 7843 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS66WV51216EBLL-70TLI | 2.4473 | | 5649 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS66WV51216 | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 2,5 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 8Mbit | 70 ns | PSRAM | 512K x 16 | Parallel | 70er Jahre | |||
| IS21ES32G-JQLI | - | | 4915 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LBGA | IS21ES32 | FLASH - NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,3 V | 100-LFBGA (14x18) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS21ES32G-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | Nicht flüchtig | 256 Gbit | BLITZ | 32G x 8 | eMMC | - | ||
 | IS61NLP102418-200B3 | - | | 2356 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61NLP102418 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 3,1 ns | SRAM | 1M x 18 | Parallel | - | ||
| IS46R16320D-6TLA2-TR | 10.3500 | | 5279 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS46R16320 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 700 PS | DRAM | 32M x 16 | Parallel | 15ns | ||
| IS43LR32640A-6BLI | 16.6700 | | 7063 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-LFBGA | IS43LR32640 | SDRAM - DDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-WBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5 ns | DRAM | 64M x 32 | Parallel | 15ns | ||
 | IS61WV102416ALL-20MLI-TR | 21.7500 | | 5155 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | IS61WV102416 | SRAM – Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-miniBGA (9x11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 16Mbit | 20 ns | SRAM | 1M x 16 | Parallel | 20ns | |||
 | IS62WV5128BLL-55TI-TR | - | | 4630 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | IS62WV5128 | SRAM – Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V | 32-TSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.500 | Flüchtig | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 512K x 8 | Parallel | 55ns | |||
 | IS63WV1288DBLL-10HLI-TR | 1.6544 | | 9929 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-TFSOP (0,465", 11,80 mm Breite) | IS63WV1288 | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 32-TSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 8 | Parallel | 10ns | |||
 | IS46TR16640BL-107MBLA2 | - | | 7240 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS46TR16640BL-107MBLA2 | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 933 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64M x 16 | Parallel | 15ns | |
 | IS21ES08GA-JCLI-TR | 17.4700 | | 721 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 153-VFBGA | IS21ES08 | FLASH - NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | Nicht flüchtig | 64Gbit | BLITZ | 8G x 8 | eMMC | - | ||||
| IS45S32400E-7TLA2-TR | - | | 1169 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS45S32400 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 86-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 143 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS29GL128-70FLEB | 7.2900 | | 288 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 64-LBGA | IS29GL128 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-LFBGA (11x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS29GL128-70FLEB | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | Nicht flüchtig | 128 Mbit | 70 ns | BLITZ | 16M x 8 | Parallel | 200µs | ||
| IS25WX128-JHLE | 3.3203 | | 3870 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | IS25WX128 | BLITZ | 1,7 V ~ 2 V | 24-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS25WX128-JHLE | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 200 MHz | Nicht flüchtig | 128 Mbit | BLITZ | 16M x 8 | SPI – Oktaler I/O | - | ||
| IS46TR16640BL-125JBLA1 | - | | 1957 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM - DDR3 | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64M x 16 | Parallel | - | ||
| IS43TR16128B-15HBLI | - | | 8940 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS61LF6436A-8.5TQI-TR | - | | 4289 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61LF6436 | SRAM – Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 90 MHz | Flüchtig | 2Mbit | 8,5 ns | SRAM | 64K x 36 | Parallel | - | ||
| IS41LV16100D-50KLI-TR | - | | 3506 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 42-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) | IS41LV16100 | DRAM - EDO | 3V ~ 3,6V | 42-SOJ | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | Flüchtig | 16Mbit | 25 ns | DRAM | 1M x 16 | Parallel | - | |||
 | IS46DR16320E-3DBLA1 | 5.1360 | | 9989 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 84-TFBGA | IS46DR16320 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 209 | 333 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 450 PS | DRAM | 32M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS37SML01G1-LLI-TR | 3.5652 | | 7397 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | IS37SML01 | FLASH - NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (8x6) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 1Gbit | 8 ns | BLITZ | 128M x 8 | SPI | - |
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