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Integrierte Schaltkreise (ICs)(5782)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS66WVC2M16ALL-7010BLI | - |  | 9424 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-VFBGA | IS66WVC2M16 | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | PSRAM | 2M x 16 | Parallel | 70er Jahre | |||
 | IS43LR32800H-6BLI-TR | 4.9180 | | 8552 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LR32800H-6BLI-TR | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,5 ns | DRAM | 8M x 32 | LVCMOS | 15ns | |||||
 | IS61DDB21M36C-300M3L | - | | 3251 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-LBGA | IS61DDB21 | SRAM – Synchron, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 8,4 ns | SRAM | 1M x 36 | Parallel | - | ||
 | IS61VPS51236A-200TQI | - | | 3534 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61VPS51236 | SRAM – Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2.625 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 3,1 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallel | - | ||
 | IS43R86400D-6TLI-TR | 7.5000 | | 8559 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS43R86400 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 700 PS | DRAM | 64M x 8 | Parallel | 15ns | ||
| IS43R16320E-5TL-TR | - | | 1146 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43R16320E-5TL-TR | 1.500 | 200 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 700 PS | DRAM | 32M x 16 | SSTL_2 | 15ns | |||||
 | IS42SM32400G-75BI | - | | 2457 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42SM32400 | SDRAM – Mobil | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 6 ns | DRAM | 4M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS61WV2568EDBLL-10BLI | 4.5984 | | 1465 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 36-TFBGA | IS61WV2568 | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 36-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 8 | Parallel | 10ns | |||
 | IS62WV102416EBLL-55BLI | 8.4950 | | 2364 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-VFBGA | IS62WV102416 | SRAM – Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 16Mbit | 55 ns | SRAM | 1M x 16 | Parallel | 55ns | |||
| IS46LQ16256AL-062BLA1-TR | - | | 9472 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 200-VFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS46LQ16256AL-062BLA1-TR | 2.500 | 1,6 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 3,5 ns | DRAM | 256M x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
 | IS61NLF51236-6.5B3 | - | | 6126 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61NLF51236 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 133 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 6,5 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallel | - | ||
 | IS42S32400B-7TL | - | | 9697 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S32400 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 86-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4M x 32 | Parallel | - | ||
| IS64LF12836A-7.5B3LA3-TR | 11.2024 | | 9926 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS64LF12836 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 117 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 7,5 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallel | - | ||
| IS22TF64G-JCLA1 | 50.6532 | | 7392 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 153-VFBGA | FLASH - NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS22TF64G-JCLA1 | 152 | 200 MHz | Nicht flüchtig | 512 Gbit | BLITZ | 64G x 8 | eMMC_5.1 | - | ||||||
 | IS42SM16800H-75BI | - | | 9813 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TFBGA | IS42SM16800 | SDRAM – Mobil | 3V ~ 3,6V | 54-TFBGA (8x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 133 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 6 ns | DRAM | 8M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS62WV5128DBLL-45BLI | - | | 4147 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 36-TFBGA | IS62WV5128 | SRAM – Asynchron | 2,3 V ~ 3,6 V | 36-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 512K x 8 | Parallel | 45ns | |||
| IS49RL36320-107EBLI | 120.0345 | | 3984 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 168-LBGA | RLDRAM 3 | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5 x 13,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS49RL36320-107EBLI | 119 | 933 MHz | Flüchtig | 1.152 Gbit | 8 ns | DRAM | 32M x 36 | Parallel | - | ||||
| IS42S32400F-6BLI | 6.4030 | | 7691 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42S32400 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS42S16320B-75ETL-TR | - | | 7257 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S16320 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 133 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,5 ns | DRAM | 32M x 16 | Parallel | - | ||
| IS25LX512M-LHLE | 9.3700 | | 1158 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | BLITZ | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LX512M-LHLE | 480 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 512Mbit | 6 ns | BLITZ | 64M x 8 | SPI – Oktaler I/O | 1,8 ms | |||||
| IS61LF102418A-6.5B3I-TR | - | | 6418 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61LF102418 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 133 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 6,5 ns | SRAM | 1M x 18 | Parallel | - | ||
| IS61NVF51236B-7.5TQLI | 17.2425 | | 3433 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61NVF51236 | SRAM – Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2.625 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 7,5 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallel | - | ||
| IS42S32400F-6B | - | | 6205 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42S32400 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | DRAM | 4M x 32 | Parallel | - | |||
| IS46TR16256B-107MBLA1 | 8.8181 | | 9446 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS46TR16256B-107MBLA1 | 190 | 933 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256M x 16 | Parallel | 15ns | |||||
 | IS62LV256-70U | - | | 6944 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 28-SOP | IS62LV256 | SRAM – Asynchron | 3.135 V ~ 3.465 V | 28-SOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0041 | 25 | Flüchtig | 256Kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | Parallel | 70er Jahre | |||
| IS45S16160J-7TLA1 | 4.6259 | | 4497 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS45S16160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS66WVE2M16BLL-70BLI-TR | - | | 5976 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | IS66WVE2M16 | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | PSRAM | 2M x 16 | Parallel | 70er Jahre | |||
 | IS43R16320E-6BI-TR | - | | 5548 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS43R16320 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 700 PS | DRAM | 32M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS42S16160B-6BL-TR | - | | 3912 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-LFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-LFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS25WP128-RMLE-TR | 2.1070 | | 4944 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | IS25WP128 | BLITZ - NOCH | 1,65 V ~ 1,95 V | 16-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 128 Mbit | 7 ns | BLITZ | 16M x 8 | SPI | 800µs |
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