SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
IS61LF204818B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF204818B-7.5TQLI 80.9126
RFQ
ECAD 7045 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP IS61LF204818 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 100-LQFP (14x20) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 72 117 MHz Flüchtig 36Mbit 7,5 ns Sram 2m x 18 Parallel - - -
IS46DR16320E-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-25DBLA1-TR 4.2627
RFQ
ECAD 9216 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 84-tfbga IS46DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-TWBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 2.500 400 MHz Flüchtig 512mbit 400 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
IS25LP128F-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-JLLE 2.1408
RFQ
ECAD 1859 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad IS25LP128 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-Wson (8x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 480 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 800 µs
IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR 2.6189
RFQ
ECAD 3422 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga IS66WVE1M16 Psram (pseudo sram) 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tfbga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 2.500 Flüchtig 16mbit 70 ns Psram 1m x 16 Parallel 70ns
IS49NLC96400A-25EWBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400A-25EWBLI 54.4856
RFQ
ECAD 8796 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 144-tfbga RLDRAM 2 1,7 V ~ 1,9 V. 144-TWBGA (11x18.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS49NLC96400A-25EWBLI 104 400 MHz Flüchtig 576mbit 15 ns Dram 64m x 9 Hstl - - -
IS61LV12816L-10TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10TL 4.5000
RFQ
ECAD 9822 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS61LV12816 SRAM - Asynchron 3,135 V ~ 3,6 V. 44-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 135 Flüchtig 2mbit 10 ns Sram 128k x 16 Parallel 10ns
IS42S16320B-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-6BLI-TR - - -
RFQ
ECAD 1911 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-tfbga IS42S16320 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-WBGA (11x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 2.000 166 MHz Flüchtig 512mbit 5.4 ns Dram 32m x 16 Parallel - - -
IS62C5128BL-45QLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C5128BL-45QLI - - -
RFQ
ECAD 2253 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 32-Soic (0,445 ", 11,30 mm Breit) IS62C5128 SRAM - Asynchron 4,5 V ~ 5,5 V. 32-sout Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 84 Flüchtig 4mbit 45 ns Sram 512k x 8 Parallel 45ns
IS61NVP102418-250B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP102418-250B3 - - -
RFQ
ECAD 1554 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga IS61NVP102418 SRAM - Synchron, SDR 2.375 V ~ 2,625 V. 165-tfbga (13x15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 144 250 MHz Flüchtig 18mbit 2.6 ns Sram 1m x 18 Parallel - - -
IS46QR16512A-083TBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR16512A-083TBLA1 20.8421
RFQ
ECAD 4021 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 96-TWBGA (10x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS46QR16512A-083TBLA1 136 1,2 GHz Flüchtig 8gbit 18 ns Dram 512 mx 16 Parallel 15ns
IS25LP128F-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-RMLE - - -
RFQ
ECAD 8228 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Rohr Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) IS25LP128 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 16-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 44 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 800 µs
IS45S16400J-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400J-6BLA2 5.2394
RFQ
ECAD 6747 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-tfbga IS45S16400 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-TFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 348 166 MHz Flüchtig 64Mbit 5.4 ns Dram 4m x 16 Parallel - - -
IS42S16800D-75EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-75EBLI-TR - - -
RFQ
ECAD 2798 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-VFBGA IS42S16800 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-Minibga (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 2.500 133 MHz Flüchtig 128mbit 6,5 ns Dram 8m x 16 Parallel - - -
IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR 2.8952
RFQ
ECAD 3057 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS61WV5128 SRAM - Asynchron 2,4 V ~ 3,6 V. 44-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1.000 Flüchtig 4mbit 10 ns Sram 512k x 8 Parallel 10ns
IS62WV25616DBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DBLL-45TLI - - -
RFQ
ECAD 9600 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS62WV25616 SRAM - Asynchron 2,5 V ~ 3,6 V. 44-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 135 Flüchtig 4mbit 45 ns Sram 256k x 16 Parallel 45ns
IS43LD16160B-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16160B-25BLI-TR 4.8511
RFQ
ECAD 1831 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 134-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. 134-tfbga (10x11.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS43LD16160B-25BLI-TR 2.000 400 MHz Flüchtig 256mbit 5.5 ns Dram 16m x 16 Hsul_12 15ns
IS42S32800J-75EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-75EBL 6.1375
RFQ
ECAD 4218 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-tfbga IS42S32800 Sdram 3v ~ 3,6 V 90-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 240 133 MHz Flüchtig 256mbit 6 ns Dram 8m x 32 Parallel - - -
IS42S16400F-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-7BL-TR - - -
RFQ
ECAD 8946 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-tfbga IS42S16400 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-TFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 2.500 143 MHz Flüchtig 64Mbit 5.4 ns Dram 4m x 16 Parallel - - -
IS61C5128AS-25HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C5128AS-25HLI-TR 3.4373
RFQ
ECAD 1775 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 32-TFSOP (0,465 ", 11.80 mm Breit) IS61C5128 SRAM - Asynchron 4,5 V ~ 5,5 V. 32-stSop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 2.000 Flüchtig 4mbit 25 ns Sram 512k x 8 Parallel 25ns
IS61NLF51218B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51218B-7.5TQLI-TR 11.4000
RFQ
ECAD 8814 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP IS61NLF51218 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 100-LQFP (14x20) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 800 117 MHz Flüchtig 9mbit 7,5 ns Sram 512k x 18 Parallel - - -
IS42S16160G-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-7TL-TR 3.2592
RFQ
ECAD 2928 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S16160 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.500 143 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 16m x 16 Parallel - - -
IS25LQ010B-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ010B-JNLE-TR - - -
RFQ
ECAD 1176 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) IS25LQ010 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 1Mbit Blitz 128k x 8 Spi - quad i/o 800 µs
IS42S16800E-75EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-75EBLI - - -
RFQ
ECAD 3322 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-tfbga IS42S16800 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-TFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 348 133 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 8m x 16 Parallel - - -
IS61NLF102418-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102418-7.5TQLI-TR - - -
RFQ
ECAD 8974 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP IS61NLF102418 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 100-LQFP (14x20) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 800 117 MHz Flüchtig 18mbit 7,5 ns Sram 1m x 18 Parallel - - -
IS46TR16640BL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-125KBLA2-TR - - -
RFQ
ECAD 9746 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga IS46TR16640 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-TWBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS46TR16640BL-125KBLA2-TR Ear99 8542.32.0032 1.500 800 MHz Flüchtig 1Gbit 20 ns Dram 64m x 16 Parallel 15ns
IS43DR16128B-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128B-3DBL - - -
RFQ
ECAD 2859 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga IS43DR16128 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-TW-BGA (10,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 162 333 MHz Flüchtig 2Gbit 450 ps Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
IS43TR16256B-093NBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256B-093NBLI - - -
RFQ
ECAD 8226 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga IS43TR16256 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 96-TWBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS43TR16256B-093NBLI Ear99 8542.32.0036 190 1.066 GHz Flüchtig 4Gbit 20 ns Dram 256 mx 16 Parallel 15ns
IS62WV25616BLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616BLL-55BLI-TR 3.4373
RFQ
ECAD 6178 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga IS62WV25616 SRAM - Asynchron 2,5 V ~ 3,6 V. 48-tfbga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 2.500 Flüchtig 4mbit 55 ns Sram 256k x 16 Parallel 55ns
IS46TR16640BL-107MBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-107MBLA1 - - -
RFQ
ECAD 8642 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga IS46TR16640 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-TWBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS46TR16640BL-107MBLA1 Ear99 8542.32.0032 190 933 MHz Flüchtig 1Gbit 20 ns Dram 64m x 16 Parallel 15ns
IS46TR16256BL-107MBLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256BL-107MBLA3-TR - - -
RFQ
ECAD 4993 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga IS46TR16256 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-TWBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS46TR16256BL-107MBLA3-TR Ear99 8542.32.0036 1.500 933 MHz Flüchtig 4Gbit 20 ns Dram 256 mx 16 Parallel 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus