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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43LQ32640AL-062BLI-TR | - - - |  | 9234 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-VFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 200-VFBGA (10x14,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LQ32640AL-062BLI-TR | 2.500 | 1,6 GHz | Flüchtig | 2Gbit | 3,5 ns | Dram | 64m x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
 | IS61NLP25636A-200B3LI-TR | 14.7000 | | 7880 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61NLP25636 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | 200 MHz | Flüchtig | 9mbit | 3.1 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | ||
 | IS43TR16256A-15HBL-TR | - - - | | 4258 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16256 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 667 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | 15ns | ||
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 | IS65C1024AL-45TLA3-TR | 3.9871 | | 8772 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | IS65C1024 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.500 | Flüchtig | 1Mbit | 45 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 45ns | |||
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| IS49NLS93200A-25EWBLI | 31.9177 | | 8301 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | IS49NLS93200 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-TWBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS49NLS93200A-25EWBLI | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 288mbit | 15 ns | Dram | 32m x 9 | Hstl | - - - | |||
| IS25WJ032F-JBLE | 1.0600 | | 365 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | IS25WJ032F | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25WJ032F-Jble | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 6 ns | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 1,6 ms | |
 | IS46DR81280C-3DBLA1 | - - - | | 6845 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS46DR81280 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 333 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 450 ps | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | ||
 | IS61LPS25636A-200tqi | - - - | | 3093 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61LPS25636 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Flüchtig | 9mbit | 3.1 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | ||
| IS25WP128F-RMLE | - - - | | 2794 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25WP128F-RMLE | Veraltet | 1 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | ||||
| IS61DDPB21M18A-400M3L | 45.0000 | | 5694 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | IS61DDPB21 | SRAM - Synchron, DDR IIP | 1,71 V ~ 1,89 V. | 165-LFBGA (15x17) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | Flüchtig | 18mbit | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | |||
| IS49RL18640-093ebl | 117.8521 | | 5470 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-lbga | RLDRAM 3 | 1,28 V ~ 1,42 V. | 168-FBGA (13,5x13,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS49RL18640-093ebl | 119 | 1.066 GHz | Flüchtig | 1.152Gbit | 8 ns | Dram | 64m x 18 | Parallel | - - - | ||||
 | IS25LQ010B-JVLE | - - - | | 8513 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IS25LQ010 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-vvsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25LQ010B-JVLE | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 1Mbit | 8 ns | Blitz | 128k x 8 | Spi - quad i/o | 800 µs | |
| IS46QR16256B-083RBLA2 | 10.5453 | | 2762 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 198 | ||||||||||||||
| IS46TR16128DL-125KBLA1 | 5.5503 | | 7678 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16128 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR16128DL-125KBLA1 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | |
 | IS45S32400F-6BLA1-TR | 6.3600 | | 1582 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS45S32400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | - - - | ||
| IS22TF128G-JCLA2 | 78.5928 | | 2474 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-VFBGA | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-VFBGA (11,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS22TF128G-JCLA2 | 152 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 1Tbit | Blitz | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - - - | ||||||
 | IS43LQ16256A-062BLI | - - - | | 4467 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | IS43LQ16256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 200-VFBGA (10x14,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43LQ16256a-062BLI | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 1,6 GHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 256 mx 16 | Parallel | - - - | ||
| IS42VM32800K-75BLI | 6.0630 | | 6372 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42VM32800 | Sdram - Mobil | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 6 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | - - - | ||
 | IS46DR16320E-25DBLA2-TR | 4.8869 | | 5772 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS46DR16320 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 400 MHz | Flüchtig | 512mbit | 400 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| IS46TR16640C-125JBLA2 | 4.2112 | | 5328 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16640 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR16640C-125JBLA2 | Ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |
| IS61WV102416BLL-10MLI-TR | 18.5250 | | 2304 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS61WV102416 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-minibga (9x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 16mbit | 10 ns | Sram | 1m x 16 | Parallel | 10ns | |||
| IS49NLS18320A-18WBL | 52.0065 | | 5567 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-TWBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS49NLS18320A-18WBL | 104 | 533 MHz | Flüchtig | 576mbit | 15 ns | Dram | 32m x 18 | Hstl | - - - | ||||
| IS64WV51216BLL-10MA3 | - - - | | 8841 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS64WV51216 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-minibga (9x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 220 | Flüchtig | 8mbit | 10 ns | Sram | 512k x 16 | Parallel | 10ns | |||
 | IS34ML01G084-TLI | 5.1000 | | 791 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | Is34ml01 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1632 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 25 ns | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | 25ns |
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