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Integrierte Schaltungen (ICS) (2120)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Anwendungen Montagetyp Paket / Herbst Typ Merkmale Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Spannung - Eingang Spannung - Eingang (max) Ausgangstyp Verhöltnis - Eingang: Ausgang SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Anzahl der Elemente Fungion Spannung - Verrorane, Single/Dual (±) Spannung - Eingangversatz (max) Strom - Eingangsverzerrung (max) Strom - Ausgang (Typ) Strom - Ruhend (max) CMRR, PSRR (Typ) Ausbreitungsverzögerung (max) Hysterer Strom - Ausgang / Kanal Spannung - Verorgung (VCC/VDD) Schnittstelle Anzahl der Ausgänge Strom - ruhe (IQ) Strom - Verrorane (max) Interne Schalter (en) Topologie Frequenz - Schalten Fehmlerschutz Steuerfunktionen Spannung - Verrorane (max) AUSGABEKONfiguration Synchroner Gleichrichter Erfassungsmethode GENAUIGKEIT Strom - Ausgabe RDS AUF (Typ) Spannung - zuletzt Motortyp - Stepper Motortyp - AC, DC Schrittlösung Dimm Spannung - Verrorane (min) Spannung - Ausgang Schaltertyp Strom - Ausgang (max) Spannung - Ausgang (Min/Fest) Spannung - Ausgang (max) Spannung - Eingang (min) Anzahl der Regulierungsbehörden Spannungsabfall (max) PSRR SchutzmerkMale
TCR2DG14,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG14, LF 0,1394
RFQ
 ECAD 7900 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR2DG Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-Ufbga, WLCSP 5,5 v Uhben 4-WCSP (0,79 x 0,79) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8542.39.0001 3.000 70 µA Aktivieren Positiv 200 ma 1,4 v - - - 1 0,6 V @ 100 mA - - - Überstrom Übertemperatur
TCR8BM095A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM095A, L3F 0,4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR8BM Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-xdfn exponiert Pad 5,5 v Uhben 5-DFNB (1,2x1,2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 36 µA Aktuelle Grenze, Aktivieren Positiv 800 mA 0,95 v - - - 1 0,225 V @ 800 mA - - - Überstrom Übertemperatur Einer -Spannungssperrung (UVLO)
TCR8BM105A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM105A, L3F 0,4600
RFQ
 ECAD 6505 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR8BM Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-xdfn exponiert Pad TCR8BM105 5,5 v Uhben 5-DFNB (1,2x1,2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 36 µA Aktivieren Positiv 800 mA 1,05 v - - - 1 0,24 V @ 800 mA 98 dB (1KHz) Überstrom Übertemperatur Einer -Spannungssperrung (UVLO)
TCR2EF135,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF135, LM (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 3206 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR2ef Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 TCR2EF135 5,5 v Uhben SMV Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 60 µA Aktivieren Positiv 200 ma 1,35 v - - - 1 - - - 73 dB (1 kHz) Über Strom
TCR5BM105,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM105, L3F 0,4100
RFQ
 ECAD 333 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR5BM Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-xdfn exponiert Pad TCR5BM105 5,5 v Uhben 5-DFNB (1,2x1,2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 36 µA Aktivieren Positiv 500 mA 1,05 v - - - 1 0,14 V @ 500 mA 98 dB (1KHz) Überstrom Übertemperatur
TCR3DF335,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF335, LM (CT 0,4900
RFQ
 ECAD 2885 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR3DF Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 TCR3DF335 5,5 v Uhben SMV Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Aktivieren Positiv 300 ma 3.35 V - - - 1 0,25 V @ 300 mA 70 dB (1 kHz) Stromstrom Überstrom über die Temperatur
TCK207AN,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK207an, lf 0,8900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 4-xfdfn exponiert Pad Lastentladung, SchwindelgesChwindigeit Kontrollierert TCK207 Nicht Invertierend N-Kanal 1: 1 4-dfna (1,2x1.2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 Nicht Erforderlich Ein/Aus 1 Rückstrom HOHE SETE 21,5 Mohm 0,75 V ~ 3,6 V. Allgemein Zweck 2a
KIA78L24BP Toshiba Semiconductor and Storage KIA78L24BP - - -
RFQ
 ECAD 4448 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung * Schüttgut Aktiv Kia78 - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1
TB67S512FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S512ftag, El 2.7700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 36-WFQFN Exponiertes Pad TB67S512 Power MOSFET 2v ~ 5,5 V 36-WQFN (6x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8542.39.0001 4.000 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe PWM Vorfahrer - Halbbrückke (4) 2a 10 V ~ 35 V Bipolar Gebürstet DC 1, 1/2, 1/4
TB62747AFNAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747afnag, El - - -
RFQ
 ECAD 7768 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - - Oberflächenhalterung 24-SSOP (0,154 ", 3,90 mm Breit) Linear TB62747 - - - 24-SSOP Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 45 ma 16 Ja Schichtregister 5,5 v - - - 3v 26v
TBD62304AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62304AFWG, El 1.1500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) - - - TBD62304 Invertieren N-Kanal 1: 1 16-so-sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 4,5 V ~ 5,5 V. Ein/Aus 7 - - - Niedrige Site 1,5 Ohm 50 V (max) Allgemein Zweck 400 ma
TB7101AF(T5L3.3,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF (T5L3.3, f) - - -
RFQ
 ECAD 3163 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-smd, Flaches Blei TB7101 5,5 v Uhben PS-8 (2,9x2,4) - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Abfahre 1 Bock 1MHz Positiv Ja 1a 3.3 v - - - 4.3 v
TCR3DM28,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM28, LF (SE 0,4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-udfn exponiert pad 5,5 v Uhben 4-DFN (1x1) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 Aktivieren Positiv 300 ma 2,8 v - - - 1 0,25 V @ 300 mA - - - Überstrom Übertemperatur
TCR2EF14,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF14, LM (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR2ef Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 TCR2EF14 5,5 v Uhben SMV Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 60 µA Aktivieren Positiv 200 ma 1,4 v - - - 1 0,42 V @ 150 mA 73 dB (1 kHz) Über Strom
TC78H653FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H653ftg, El 1.5600
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C. Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 16-VFQFN Exponiertes Pad TC78H653 DMOs 1,8 V ~ 7V 16-vqfn (3x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 4.000 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe - - - Halbbrücke (4) 4a 1,8 V ~ 7V Bipolar Gebürstet DC - - -
TCR3DM13,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM13, LF (SE 0,4800
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-udfn exponiert pad 5,5 v Uhben 4-DFN (1x1) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 Aktivieren Positiv 300 ma 1,3 v - - - 1 0,55 V @ 300 mA - - - Überstrom Übertemperatur
TCR2EE27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE27, LM (CT 0,0680
RFQ
 ECAD 1161 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr2ee Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SOT-553 Tcr2ee27 5,5 v Uhben ESV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 4.000 60 µA Aktivieren Positiv 200 ma 2,7 v - - - 1 0,23 V @ 150 mA 73 dB (1 kHz) Über Strom
TCR2EF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF19, LM (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR2ef Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 TCR2EF19 5,5 v Uhben SMV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 60 µA Aktivieren Positiv 200 ma 1,9 v - - - 1 0,31 V @ 150 mA 73 dB (1 kHz) Über Strom
TCR4DG105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG105, LF 0,1357
RFQ
 ECAD 9636 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR4DG Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG105 5,5 v Uhben 4-WCSPE (0,65 x 0,65) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 Aktivieren Positiv 420 Ma 1,05 v - - - 1 0,991V @ 420 Ma 70 dB (1 kHz) Überstrom Übertemperatur
TCR2EF20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF20, LM (CT 0,3300
RFQ
 ECAD 8680 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR2ef Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 TCR2EF20 5,5 v Uhben SMV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 60 µA Aktivieren Positiv 200 ma 2V - - - 1 0,31 V @ 150 mA 73 dB (1 kHz) Über Strom
TCR2EE42,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE42, LM (CT 0,3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr2ee Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SOT-553 TCR2EEE42 5,5 v Uhben ESV Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 4.000 60 µA Aktivieren Positiv 200 ma 4.2v - - - 1 0,2 V @ 150 mA 73 dB (1 kHz) Über Strom
TA76431S(T6PSETEMF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S (T6PSETEMF - - -
RFQ
 ECAD 3306 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper TA76431 - - - Einstellbar Lstm Herunterladen 1 (unbegrenzt) TA76431ST6PSETEMF Ear99 8542.39.0001 1 - - - Positiv - - - 2.495V 36 v 1 - - - - - - - - -
TCKE800NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage Tcke800na, rf 1.5200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 10-WFDFN Exposed Pad Tcke800 4,4 v ~ 18 V 10-WsonB (3x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 4.000 Elektronische Sicherung - - - - - - 5a
TCR3DG11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG11, LF 0,3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr3dg Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-XFBGA, CSPBGA TCR3DG11 5,5 v Uhben 4-WCSPE (0,65 x 0,65) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 Aktivieren Positiv 300 ma 1.1V - - - 1 0,65 V @ 300 mA 70 dB (1 kHz) Stromstrom Überstrom über die Temperatur
TCR3DM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33, LF 0,3600
RFQ
 ECAD 3246 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr3dm Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-udfn exponiert pad TCR3DM33 5,5 v Uhben 4-DFN (1x1) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 65 µA 78 µA Aktivieren Positiv 300 ma 3.3 v - - - 1 0,23 V @ 300 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom Übertemperatur
TC75W57FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W57FU, LF 0,5800
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 8-TSSOP, 8-MSOP (0,110 ", 2.80 mm Breit) Allgemein Zweck TC75W57 Push-Pull 8-SSOP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 2 1,8 V ~ 7 V, ± 0,9 V ~ 3,5 V 7MV @ 5v 1pa @ 5v 25ma 400 ähm - - - 140ns - - -
TA58L05F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05F (TE16L1, NQ - - -
RFQ
 ECAD 5283 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C. Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 TA58L05 29V Uhben Pw-mold Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 1 Ma 50 ma Aktivieren Positiv 250 Ma 5v - - - 1 0,4 V @ 200 Ma - - - Überstrom Übertemperatur
TCR2DG32,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG32, LF 0,1394
RFQ
 ECAD 4709 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR2DG Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-Ufbga, WLCSP 5,5 v Uhben 4-WCSP (0,79 x 0,79) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8542.39.0001 3.000 70 µA Aktivieren Positiv 200 ma 3.2 v - - - 1 0,11 V @ 100 mA - - - Überstrom Übertemperatur
TCR3UF105A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF105A, LM (CT 0,4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR3UF Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 TCR3UF105 5,5 v Uhben SMV - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 580 na Aktivieren Positiv 300 ma 1,05 v - - - 1 1.057v @ 300 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom Übertemperatur
TCR5BM10,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM10, L3F 0,4900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR5BM Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-xdfn exponiert Pad TCR5BM10 5,5 v Uhben 5-DFNB (1,2x1,2) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 36 µA Aktivieren Positiv 500 mA 1V - - - 1 0,135 V @ 500 mA 98 dB (1KHz) Überstrom Übertemperatur
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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