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Integrierte Schaltkreise (ICs)(2120)

Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Betriebstemperatur Anwendungen Montageart Paket/Koffer Typ Merkmale Basisproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Spannung – Eingang Spannung – Eingang (max.) Ausgabetyp Anzahl der Stromkreise Verhältnis - Eingabe:Ausgabe Spannung - Versorgung Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) ECCN HTSUS Standardpaket Logiktyp Anzahl der Elemente Anzahl der Bits pro Element Strom – Ausgang hoch, niedrig Funktion Spannung – Versorgung, Single/Dual (±) Spannung – Eingangsoffset (max.) Strom – Eingangsvorspannung (max.) Strom - Ausgang (Typ) Aktuell – Ruhezustand (max.) CMRR, PSRR (Typ) Ausbreitungsverzögerung (max.) Hysterese Strom – Ausgang/Kanal Anzahl der Eingänge Anzahl der E/A Kernprozessor Kerngröße Geschwindigkeit Konnektivität Peripheriegeräte Programmspeichergröße Programmspeichertyp EEPROM-Größe RAM-Größe Spannung – Versorgung (Vcc/Vdd) Datenkonverter Oszillatortyp Schnittstelle Anzahl der Ausgänge Max. Ausbreitungsverzögerung bei V, max. CL Strom – Ruhezustand (Iq) Strom – Versorgung (max.) Eingangslogikpegel – Niedrig Eingangslogikpegel – Hoch Interner Schalter Topologie Fehlerschutz Steuerfunktionen Spannung – Versorgung (max.) Ausgabekonfiguration Erfassungsmethode Genauigkeit Strom – Ausgang Rds On (Typ) Spannung – Zuletzt Motortyp: Schrittmotor Motortyp – Wechselstrom, Gleichstrom Schrittauflösung Dimmen Spannung – Versorgung (Min.) Spannung – Ausgang Schaltertyp Strom - Ausgang (Max) Spannung – Ausgang (Min./Fest) Spannung – Ausgang (max.) Anzahl der Regulierungsbehörden Spannungsabfall (max.) PSRR Schutzfunktionen
TCR8BM30A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM30A,L3F 0,4600
Anfrage
 ECAD 10 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR8BM Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XDFN freiliegendes Pad 5,5V Behoben 5-DFNB (1,2x1,2) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 36 µA Strombegrenzung, Aktivieren Positiv 800mA 3V - 1 0,285 V bei 800 mA - Überstrom-, Übertemperatur- und Unterspannungssperre
TCR2EE27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE27,LM(CT 0,0680
Anfrage
 ECAD 1161 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2EE Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SOT-553 TCR2EE27 5,5V Behoben ESV herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Aktivieren Positiv 200mA 2,7V - 1 0,23 V bei 150 mA 73 dB (1 kHz) Überstrom
TCR2EE295,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE295,LM(CT 0,0680
Anfrage
 ECAD 3054 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2EE Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SOT-553 TCR2EE295 5,5V Behoben ESV herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Aktivieren Positiv 200mA 2,95 V - 1 0,23 V bei 150 mA 73 dB (1 kHz) Überstrom
TC7SH08FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH08FU,LJ -
Anfrage
 ECAD 4645 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TC7SH Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 - 7SH08 1 2V ~ 5,5V 5-SSOP herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 UND Tor 8mA, 8mA 2 µA 2 7,9 ns bei 5 V, 50 pF 0,5V 1,5V
TCKE800NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE800NA,RF 1.5200
Anfrage
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 10-WFDFN freiliegendes Pad TCKE800 4,4 V ~ 18 V 10-WSONB (3x3) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 Elektronische Sicherung - - 5A
TC75S56FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S56FUTE85LF 0,4700
Anfrage
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 Allgemeiner Zweck TC75S56 Push-Pull 5-SSOP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.33.0001 3.000 1 1,8 V ~ 7 V, ±0,9 V ~ 3,5 V 7 mV bei 5 V 1 pA bei 5 V 25mA 20µA - 680ns -
TBD62004AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62004AFG,EL 0,8900
Anfrage
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 16-SOIC (0,173", 4,40 mm Breite) - TBD62004 Invertieren N-Kanal 1:1 16-SOP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.000 Nicht erforderlich Ein/Aus 7 - Niedrige Seite - 50 V (maximal) Allgemeiner Zweck 500mA
TA78L24F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L24F(TE12L,F) -
Anfrage
 ECAD 4095 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -30°C ~ 85°C Oberflächenmontage TO-243AA TA78L24 40V Behoben PW-MINI (SOT-89) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1.000 6mA 6,5mA - Positiv 150mA 24V - 1 - 35 dB (120 Hz) Überstrom, Übertemperatur
74HCT245D Toshiba Semiconductor and Storage 74HCT245D 0,5800
Anfrage
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage 74HCT Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 125°C (TA) Oberflächenmontage 20-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) 74HCT245 - 3-Staaten 4,5 V ~ 5,5 V 20-SOIC herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.000 Transceiver, nicht invertierend 1 8 6mA, 6mA
TCR2LN19,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN19,LF(SE 0,3800
Anfrage
 ECAD 10 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2LN Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage 4-XFDFN freiliegendes Pad 5,5V Behoben 4-SDFN (0,8 x 0,8) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 1,9V - 1 0,6 V bei 150 mA - Überstrom
TCR2LN20,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN20,LF(SE 0,3800
Anfrage
 ECAD 228 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2LN Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage 4-XFDFN freiliegendes Pad 5,5V Behoben 4-SDFN (0,8 x 0,8) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 2V - 1 0,54 V bei 150 mA - Überstrom
TB6585AFTGC8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6585AFTGC8,EL 1.9179
Anfrage
 ECAD 7765 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -30°C ~ 85°C (TA) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 48-VFQFN freiliegendes Pad TB6585 Bi-CMOS 4,5 V ~ 42 V 48-QFN (7x7) herunterladen ROHS3-konform 3 (168 Stunden) EAR99 8542.39.0001 2.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (3) 1,2A 4,5 V ~ 42 V - Bürstenloser Gleichstrom (BLDC) -
TB62752AFUG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62752AFUG,EL -
Anfrage
 ECAD 4510 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C (TA) Hintergrundbeleuchtung Oberflächenmontage SOT-23-6 DC-DC-Regler TB62752 1,1 MHz SOT-23-6 herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 20mA 1 Ja Step-Up (Boost) 5,5V PWM 2,8V -
TA48033BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48033BF(T6L1,NQ) -
Anfrage
 ECAD 2334 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 150°C Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 TA48033 16V Behoben PW-FORM - RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.000 1,7mA 20mA - Positiv 1A 3,3 V - 1 0,69 V bei 1 A (typisch) 62 dB (120 Hz) Überstrom, Übertemperatur
TMPM333FDFG(C,J) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM333FDFG(C,J) 3.6400
Anfrage
 ECAD 7282 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TX03 Tablett Aktiv -20°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 100-LQFP TMPM333 100-LQFP (14x14) herunterladen RoHS-konform 3 (168 Stunden) 3A991A2 8542.31.0001 1 78 ARM® Cortex®-M3 32-Bit-Single-Core 40 MHz I²C, SIO, UART/USART POR, WDT 512 KB (512 KB x 8) BLITZ - 32K x 8 2,7 V ~ 3,6 V A/D 12x10b Extern
TCR2LE32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE32,LM(CT 0,0762
Anfrage
 ECAD 7556 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2LE Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-553 TCR2LE32 5,5V Behoben ESV herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 3,2V - 1 0,3 V bei 150 mA - Überstrom
TCR5SB33A(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TCR5SB33A(T5L,F,T) -
Anfrage
 ECAD 5687 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR5SB Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 TCR5SB33 6V Behoben SMV - 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 75 µA Aktivieren Positiv 150mA 3,3 V - 1 0,19 V bei 50 mA 80 dB (1 kHz) Überstrom
TC75S59FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75S59FE(TE85L,F) -
Anfrage
 ECAD 9165 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SOT-553 Allgemeiner Zweck TC75S59 Abfluss öffnen ESV herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 1 1,8 V ~ 7 V, ±0,9 V ~ 3,5 V 7 mV bei 5 V 1pA 25mA 220µA - 200ns -
TA4800AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA4800AF(T6L1,Q) -
Anfrage
 ECAD 6637 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 150°C Oberflächenmontage TO-252-6, DPak (5 Anschlüsse + Tab) TA4800 16V Einstellbar 5-HSIP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.000 1,7mA 20mA - Positiv 1A 1,5V 9V 1 0,5 V bei 500 mA 63 dB (120 Hz) Überstrom, Übertemperatur
TBD62183AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62183AFNG,EL 1.2000
Anfrage
 ECAD 8608 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 18-LSSOP (0,173", 4,40 mm Breite) - TBD62183 Invertieren N-Kanal 1:1 18-SSOP herunterladen ROHS3-konform EAR99 8542.39.0001 2.000 2,8 V ~ 25 V - 8 - Niedrige Seite - 50 V (maximal) Allgemeiner Zweck 50mA
TA78DS05BP,T6NHF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP,T6NHF(J -
Anfrage
 ECAD 6489 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 85°C Durchgangsloch TO-226-3, TO-92-3 Langkörper TA78DS 33V Behoben LSTM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 1mA 1mA - Positiv 30mA 5V - 1 0,3 V bei 10 mA - Überstrom, Übertemperatur, Überspannung, Tran
TAR5S18U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S18U(TE85L,F) 0,4700
Anfrage
 ECAD 388 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 6-SMD (5 Anschlüsse), Flachanschluss TAR5S18 15V Behoben UFV herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 850 µA Aktivieren Positiv 200mA 1,8V - 1 - 70 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TC62D748CFG,C,EL,B Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFG,C,EL,B -
Anfrage
 ECAD 5590 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C (TA) - Oberflächenmontage 24-SOP (0,236", 6,00 mm Breite) Linear TC62D748 - 24-SSOP herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.000 90mA 16 Ja Schieberegister 5,5V - 3V 17V
TB67S265FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S265FTG,EL 1.1819
Anfrage
 ECAD 3827 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -20°C ~ 150°C (TJ) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 48-WFQFN freiliegendes Pad TB67S265 Leistungs-MOSFET 4,75 V ~ 5,25 V 48-WQFN (7x7) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel, Seriell Halbbrücke (4) 2A 10V ~ 47V Bipolar - 1, 1/2
TB67S539SFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S539SFTG,EL 0,8343
Anfrage
 ECAD 1329 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 32-VFQFN freiliegendes Pad DMOS 4,5 V ~ 33 V 32-VQFN (5x5) herunterladen 4.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Logik Halbbrücke (4) 1,8A 4,5 V ~ 33 V Bipolar - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
TCR2LE31,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE31,LM 0,4100
Anfrage
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2LE Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-553 TCR2LE31 5,5V Behoben ESV herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 3,1 V - 1 0,3 V bei 150 mA - Überstrom
TCR5RG29A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG29A,LF 0,5300
Anfrage
 ECAD 6582 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR5RG Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XFBGA, WLCSP TCR5RG29 5,5V Behoben 4-WCSPF (0,65 x 0,65) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 13 µA - Positiv 500mA 2,9V - 1 - 100 dB ~ 59 dB (1 kHz ~ 1 MHz) Überstrom, Übertemperatur
TCR5RG18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG18A,LF 0,5300
Anfrage
 ECAD 480 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR5RG Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XFBGA, WLCSP TCR5RG18 5,5V Behoben 4-WCSPF (0,65 x 0,65) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 13 µA - Positiv 500mA 1,8V - 1 0,29 V bei 500 mA 100 dB ~ 59 dB (1 kHz ~ 1 MHz) Überstrom, Übertemperatur
TCK208G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK208G,LF 0,1916
Anfrage
 ECAD 4136 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 4-UFBGA, WLCSP Lastentladung, Anstiegsgeschwindigkeit gesteuert TCK208 Nicht invertierend N-Kanal 1:1 4-WLCSP (0,90 x 0,90) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 Nicht erforderlich Ein/Aus 1 Rückstrom Hohe Seite 18,1 mOhm 0,75 V ~ 3,6 V Allgemeiner Zweck 2A
TCR4DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG12,LF 0,5100
Anfrage
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR4DG Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XFBGA, CSPBGA TCR4DG12 5,5V Behoben 4-WCSPE (0,65 x 0,65) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 Aktivieren Positiv 420mA 1,2V - 1 0,781 V bei 420 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur, Kurzschluss
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

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    Weltweite Hersteller

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Freiliegendes Pad

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