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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SIC -Programmierbar | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | ANZAHL von I/O | Kernprozessor | Kerngrö | Geschwindigkeit | KonneKtivität | Peripheriegeraut | Programmspeichergrö | Programmspeichertyp | Eeprom -grö | RAM -GRÖCehe | Spannung - Verorgung (VCC/VDD) | DATENKONVERTER | Oszillatortyp | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CY7C1420JV18-300BZXC | - - - |  | 7557 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | CY7C1420 | SRAM - Synchron, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (15x17) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 105 | 300 MHz | Flüchtig | 36Mbit | Sram | 1m x 36 | Parallel | - - - | ||||||||||||||||
 | S29GL256P10TFI023 | 9.1700 | | 9149 | 0.00000000 | Infineon -technologien | GL-P | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | S29GL256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 100 ns | Blitz | 32m x 8 | Parallel | 100ns | ||||||||||||||||
 | CY15B108QSN-108BKXI | 48.7900 | | 100 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Excelon ™ -ultra, f -ram ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Cy15b108 | Fram (Ferroelektrischer Ram) | 1,8 V ~ 3,6 V. | 24-FBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | 6.7 ns | Fram | 1m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | - - - | |||||||||||||||
 | S25FL256SDPNFV001 | 5.0050 | | 7500 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fl-s | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | S25FL256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,230 | 66 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||||||||||||||||
 | MB89637RPF-1311-BND | - - - | | 1835 | 0.00000000 | Infineon -technologien | F²MC-8L MB89630R | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-BQFP | MB89637 | 64-QFP (14x20) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.31.0001 | 66 | 53 | F²mc-8l | 8-Bit | 10 MHz | Ebi/emi, serielle i/o, uart/usaArt | Por, PWM, Wdt | 32 kb (32k x 8) | Mask ROM | - - - | 1k x 8 | 2,2 V ~ 6 V | A/D 8x10b | Extern | ||||||||||||
 | CY8C4025LQI-S403 | 2.8800 | | 4 | 0.00000000 | Infineon -technologien | PSOC® 4 CY8C4000S | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 40-Ufqfn Expositionspad | CY8C4025 | 40-QFN (6x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 490 | 34 | ARM® Cortex®-M0+ | 32-Bit-Einzelkern | 24MHz | I²C, Irda, Linbus, Mikrowire, Smartcard, SPI, SSP, UART/USAArt | Braun-out-Erkennungs-/Reset, Capsense, LCD, LVD, POR, PWM, WDT | 32 kb (32k x 8) | Blitz | - - - | 4k x 8 | 1,71 V ~ 5,5 V. | A/D 16x10b; D/A 2x7b | Praktikum | ||||||||||||||
 | CY9BF122KPMC-GNE2 | 5.1100 | | 6199 | 0.00000000 | Infineon -technologien | FM3 MB9B120m | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-lqfp | 48-LQFP (7x7) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 2.500 | 35 | ARM® Cortex®-M3 | 32-Bit | 72 MHz | CSIO, I²C, Linbus, UART/USAArt | DMA, LVD, POR, PWM, WDT | 160 kb (160k x 8) | Blitz | - - - | 16k x 8 | 2,7 V ~ 5,5 V. | A/D 14x12b SAR; D/A 2x10b | Extern, Praktikant | ||||||||||||||||
| MB95116BPMT-GS-119E1 | - - - | | 3372 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Veraltet | MB95116 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
| Mb95f108ajspmc-g-sne1 | - - - | | 6563 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Veraltet | MB95F108 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MB90587CAPMC-G-130-BNDE1 | - - - | | 5784 | 0.00000000 | Infineon -technologien | F²MC-16LX MB90580C | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | MB90587 | 100-LQFP (14x14) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 90 | 77 | F²mc-16lx | 16-Bit | 16MHz | SCI, UART/USAArt | Por, wdt | 64 kb (64k x 8) | Mask ROM | - - - | 4k x 8 | 3 V ~ 5,5 V. | A/D 8x8/10b; D/A 2x8b | Extern | ||||||||||||
 | Cy95F562Knpft-G102Unere2 | 1.4000 | | 4136 | 0.00000000 | Infineon -technologien | F²MC-8FX MB95560H | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 20-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | Cy95f562 | 20-tssop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.31.0001 | 1.500 | 17 | F²mc-8fx | 8-Bit | 16MHz | Linbus-uart | LVD, POR, PWM, WDT | 8 kb (8k x 8) | Blitz | - - - | 240 x 8 | 2,4 V ~ 5,5 V. | A/D 6x8/10b | Extern | ||||||||||||
| S99FL132KI010 | - - - | | 3718 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ADM8668TXA12-G | 12.5600 | | 5 | 0.00000000 | Infineon -technologien | * | Schüttgut | Aktiv | Nicht Verifiziert | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| S6J334Eheese20000 | 14.4188 | | 5744 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Traveo ™ T1G | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-LQFP Exposed Pad | 144-TEQFP (20x20) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 60 | 116 | ARM® Cortex®-R5f | 32-Bit | 240 MHz | Canbus, CSIO, I²C, Linbus, UART/USAArt | DMA, I²s, LVD, POR, PWM, WDT | 4,16 MB (4,16 MX 8) | Blitz | 112k x 8 | 544K x 8 | 3v ~ 3,6 V | Praktikum | |||||||||||||||||
| S29GL512S12DHE010 | 43.4493 | | 8290 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q100, GL-S | Tablett | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (9x9) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 260 | Nicht Flüchtig | 512mbit | 120 ns | Blitz | 64m x 8 | CFI | 60ns | ||||||||||||||||||||
| CG8271AAT | - - - | | 6930 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Verkäfer undefiniert | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C1420JV18-300BZC | - - - | | 2924 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | CY7C1420 | SRAM - Synchron, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (15x17) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 105 | 300 MHz | Flüchtig | 36Mbit | Sram | 1m x 36 | Parallel | - - - | ||||||||||||||||
| CY91F466HAPMC-GS-UJE2 | - - - | | 4774 | 0.00000000 | Infineon -technologien | FR CY91460H | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-LQFP | Cy91F466 | 144-LQFP (20x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 600 | 108 | FR60 RISC | 32-Bit | 96 MHz | Canbus, Ebi/EMI, I²C, Linbus, UART/USAArt | LVD, POR, PWM, WDT | 832 kb (832k x 8) | Blitz | - - - | 40k x 8 | 3v ~ 5v | A/D 32x10b | Praktikum | |||||||||||||
| S6J336AHSBSE20000 | 10.6865 | | 7659 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Traveo ™ T1G | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 176-LQFP Exposed Pad | 144-TEQFP (20x20) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 60 | 94 | ARM® Cortex®-R5f | 32-Bit | 132 MHz | Canbus, CSIO, I²C, Linbus, UART/USAArt | DMA, I²s, LVD, POR, PWM, WDT | 112 kb (112k x 8) | Blitz | - - - | 128k x 8 | 2,7 V ~ 5,5 V. | A/D 40x12b | Praktikum | ||||||||||||||||
| CY90022PF-GS-409E1 | - - - | | 3977 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | Cy90022 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 66 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MB90347EPMC-GS-581E1 | - - - | | 5567 | 0.00000000 | Infineon -technologien | F²MC-16LX MB90340E | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | MB90347 | 100-LQFP (14x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 90 | 82 | F²mc-16lx | 16-Bit | 24MHz | Canbus, Ebi/Emi, Linbus, Sci, UART/USAArt | DMA, Por, Wdt | 128 kb (128k x 8) | Mask ROM | - - - | 6k x 8 | 3,5 V ~ 5,5 V | A/D 16x8/10b | Extern | ||||||||||||
 | Cy96F6B6RBPMC-GS-UJF4E1 | - - - | | 4297 | 0.00000000 | Infineon -technologien | F²mc-16fx cy966b0 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | Cy96f6 | 100-LQFP (14x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 900 | 79 | F²mc-16fx | 16-Bit | 32MHz | Canbus, I²C, Linbus, Sci, UART/USAArt | DMA, LCD, LVD, POR, PWM, WDT | 288 kb (288K x 8) | Blitz | - - - | 16k x 8 | 2,7 V ~ 5,5 V. | A/D 27x8/10b SAR | Praktikum | ||||||||||||
| S29CL032J0RQFI030 | - - - | | 6544 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Cl-J | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 80-BQFP | S29CL032 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 3,6 V. | 80-PQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 66 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 54 ns | Blitz | 1m x 32 | Parallel | 60ns | |||||||||||||||
 | CY7C1041CV33-12Baxet | - - - | | 6906 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | CY7C1041 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 48-FBGA (7x8.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 4mbit | 12 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 12ns | ||||||||||||||||
| S29JL064J55TFA000 | 6.9236 | | 7581 | 0.00000000 | Infineon -technologien | JL-J | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 96 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 55 ns | Blitz | CFI | ||||||||||||||||||||||
 | CY7C1041CV33-10ZSXA | - - - | | 4857 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | CY7C1041 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 10ns | ||||||||||||||||
| CY15B108QN-50BKXI | 44.3400 | | 9492 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Excelon ™ -lp, f -ram ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Cy15b108 | Fram (Ferroelektrischer Ram) | 1,8 V ~ 3,6 V. | 24-FBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 480 | 50 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | 9 ns | Fram | 1m x 8 | Spi | - - - | |||||||||||||||
| Cy90F342CaspMC-GS-UJE1 | - - - | | 1026 | 0.00000000 | Infineon -technologien | F²MC-16LX MB90340 | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | Cy90F342 | 100-LQFP (14x14) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | 82 | F²mc-16lx | 16-Bit | 24MHz | Canbus, Ebi/EMI, I²C, Linbus, Sci, UART/USAArt | DMA, Por, Wdt | 256 kb (256k x 8) | Blitz | - - - | 16k x 8 | 3,5 V ~ 5,5 V | A/D 24x8/10b | Extern | |||||||||||||||
 | CY15B108QN-20LPXI | 31.5350 | | 9444 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Excelon ™ -lp, f -ram ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-uqfn | Cy15b108 | Fram (Ferroelektrischer Ram) | 1,8 V ~ 3,6 V. | 8-GQFN (3,23x3,28) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 490 | 20 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Fram | 1m x 8 | Spi | - - - | ||||||||||||||||
 | CY7C1355C-133BGXC | - - - | | 7399 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Nobl ™ | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 119-Bga | CY7C1355 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V. | 119-PBGA (14x22) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 84 | 133 MHz | Flüchtig | 9mbit | 6,5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - |
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