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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Merkmale | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Frequenz | Technologie | Spannung - Eingang | Ausgangstyp | SIC -Programmierbar | Verhöltnis - Eingang: Ausgang | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Strom - Ausgang / Kanal | ANZAHL von I/O | Kernprozessor | Kerngrö | Geschwindigkeit | KonneKtivität | Peripheriegeraut | Programmspeichergrö | Programmspeichertyp | Eeprom -grö | RAM -GRÖCehe | Spannung - Verorgung (VCC/VDD) | DATENKONVERTER | Oszillatortyp | Schnittstelle | Taktfrequenz | Anzahl der Ausgänge | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Kanaltyp | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | Interne Schalter (en) | Topologie | Fehmlerschutz | Spannung - Verrorane (max) | AUSGABEKONfiguration | RDS AUF (Typ) | Spannung - zuletzt | Angetriebene Konfiguration | ANZAHL DER FAHRER | Tor -Typ | Logikspannung - vil, vih | Strom - Peakausgang (Quelle, Senke) | Aufstieg / Fallzeit (Typ) | Hochseettenspannung - Max (Bootstrap) | Dimm | Spannung - Verrorane (min) | Spannung - Ausgang | Schaltertyp | Strom - Ausgang (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PLF2800ev1.2 | 114.6600 |  | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Rohs Nick Konform | UnberÜHrt Ereichen | 2156-PLF2800ev1.2-448 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTS5672EAUMA2 | - - - | | 5505 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Automobil | Oberflächenhalterung | 0,295 ", 7,50 mm Breit) Exponiert-Pad | DC DC -Regler | BTS5672 | 2MHz | PG-DSO-36-36 | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | 24a | 6 | Ja | UmgeChalteter Kondenator (Ladungspumpe) | 28 v | Spi | 5,5 v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MB90346SPF-GS-209E1 | - - - | | 5773 | 0.00000000 | Infineon -technologien | F²MC-16LX MB90340E | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-bqfp | MB90346 | 100-QFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 66 | 82 | F²mc-16lx | 16-Bit | 24MHz | Canbus, Ebi/Emi, Linbus, Sci, UART/USAArt | DMA, Por, Wdt | 64 kb (64k x 8) | Mask ROM | - - - | 2k x 8 | 3,5 V ~ 5,5 V | A/D 16x8/10b | Extern | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25HS512TDPMHB010 | 12.1800 | | 3333 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Semper ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Flash - Nor (SLC) | 1,7 V ~ 2 V | 16-soic | Herunterladen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 240 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S98GL064NB0HI0080 | - - - | | 1954 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB89P657APMC-G-LE1 | - - - | | 2936 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | MB89P657 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Cyt3bb5cebr0aesgst | 19.6525 | | 7368 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Traveo ™ T2G | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP-Exponte-Pad | 100-TEQFP (14x14) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 900 | 72 | ARM® Cortex®-M0+, ARM® Cortex®-M7F | 32-Bit Dual-Core | 100 MHz, 250 MHz | EMMC/SD/SDIO, I²C, IRDA, Linbus, Mikrowire, QSPI, Smartcard, SPI, SSP, UART/USAart, USB | Braun-out-erfassungen/Reset, DMA, I²s, LVD, POR, PWM, Temperatursensor, WDT | 4.063 MB (4.063 MX 8) | Blitz | 256k x 8 | 768K x 8 | 2,7 V ~ 5,5 V. | A/D 55x12B SAR | Extern, Praktikant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY8C3666AXA-037 | - - - | | 3087 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q100, PSOC® 3 CY8C36XXX | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | CY8C3666 | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 90 | 62 | 8051 | 8-Bit | 67MHz | Canbus, Ebi/EMI, I²C, Linbus, SPI, UART/USAArt | Capsense, DMA, LCD, POR, PWM, WDT | 64 kb (64k x 8) | Blitz | 2k x 8 | 8k x 8 | 1,71 V ~ 5,5 V. | A/D 16x12b; D/A 4x8b | Praktikum | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MB89191APF-g-657-er-re1 | - - - | | 2321 | 0.00000000 | Infineon -technologien | F²MC-8L MB89190A | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-SOIC (0,342 ", 8,69 mm Breit) | MB89191 | 28-Bünd | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | 16 | F²mc-8l | 8-Bit | 4,2 MHz | Serielle i/o | Por, wdt | 4KB (4k x 8) | Mask ROM | - - - | 128 x 8 | 2,2 V ~ 6 V | A/D 8x8b | Extern | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MB89635RPF-G-1103-BNDE1 | - - - | | 8709 | 0.00000000 | Infineon -technologien | F²MC-8L MB89630R | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-BQFP | MB89635 | 64-QFP (14x20) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 66 | 53 | F²mc-8l | 8-Bit | 10 MHz | Ebi/emi, serielle i/o, uart/usaArt | Por, PWM, Wdt | 16 kb (16k x 8) | Mask ROM | - - - | 512 x 8 | 2,2 V ~ 6 V | A/D 8x10b | Extern | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S34ML08G301TFI000 | 8.2617 | | 3123 | 0.00000000 | Infineon -technologien | ML-3 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | S34ML08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 8gbit | Blitz | 1g x 8 | Parallel | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB90F543GSPF-GS-9001 | - - - | | 1637 | 0.00000000 | Infineon -technologien | F²MC-16LX MB90540G | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-bqfp | MB90F543 | 100-QFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.31.0001 | 66 | 81 | F²mc-16lx | 16-Bit | 16MHz | Canbus, Ebi/EMI, Sci, Serial I/O, UART/USAArt | Por, wdt | 128 kb (128k x 8) | Blitz | - - - | 6k x 8 | 4,5 V ~ 5,5 V. | A/D 8x8/10b | Extern | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25FL128LDPNFA010 | 3.5175 | | 9287 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Automobil, AEC-Q100, FL-l | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 4.900 | 66 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 6 ns | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi | 60 µs, 1,2 ms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1665KV18-550BZXC | 488.2850 | | 3100 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | Cy7C1665 | SRAM - Synchron, Qdr II+ | 1,7 V ~ 1,9 V. | 165-FBGA (15x17) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 525 | 550 MHz | Flüchtig | 144mbit | Sram | 4m x 36 | Parallel | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25HS512TDPBHM010 | 12.6000 | | 3792 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Semper ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 1,7 V ~ 2 V | 24-bga (8x6) | Herunterladen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 338 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CG7961AF | - - - | | 4726 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | Rohs Nick Konform | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 9.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25HS512TDPNHM010 | 12.9850 | | 4592 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Semper ™ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,7 V ~ 2 V | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.690 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TDA21301 | - - - | | 5864 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C. | PWM -Controller, CPU -Kern | Oberflächenhalterung | 28-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | TDA21301 | 4,5 V ~ 5,5 V. | PG-TSSOP-28 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.31.0001 | 2.500 | 4 | 0,8375 V ~ 1,6 V. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB89637PF-GT-1474 | - - - | | 3934 | 0.00000000 | Infineon -technologien | F²MC-8L MB89630 | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-BQFP | MB89637 | 64-QFP (14x20) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.31.0001 | 66 | 53 | F²mc-8l | 8-Bit | 10 MHz | Ebi/emi, serielle i/o, uart/usaArt | Por, PWM, Wdt | 32 kb (32k x 8) | Mask ROM | - - - | 1k x 8 | 2,2 V ~ 6 V | A/D 8x10b | Extern | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1020DV33-10ZSXIT | 7.0300 | | 1115 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | CY7C1020 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 512Kbit | 10 ns | Sram | 32k x 16 | Parallel | 10ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MB90347aspmc3-GS-587E1 | - - - | | 2255 | 0.00000000 | Infineon -technologien | F²MC-16LX MB90340 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | MB90347 | 100-LQFP (14x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 90 | 82 | F²mc-16lx | 16-Bit | 24MHz | Canbus, Ebi/Emi, Linbus, Sci, UART/USAArt | DMA, Por, Wdt | 128 kb (128k x 8) | Mask ROM | - - - | 6k x 8 | 3,5 V ~ 5,5 V | A/D 16x8/10b | Extern | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | C161OLM3VHABXUMA1 | - - - | | 3695 | 0.00000000 | Infineon -technologien | C16XX | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 80-QFP | C161OLM | P-MQFP-80-1 | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.31.0001 | 850 | 63 | C166 | 16-Bit | 20MHz | EBI/EMI, SPI, UART/USAArt | Por, PWM, Wdt | - - - | Romlos | - - - | 2k x 8 | 3v ~ 3,6 V | - - - | Extern | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB90F867espf-GE1 | - - - | | 9981 | 0.00000000 | Infineon -technologien | F²MC-16LX MB90860E | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-bqfp | MB90F867 | 100-QFP (14x20) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 66 | 82 | F²mc-16lx | 16-Bit | 24MHz | EBI/EMI, I²C, Linbus, Sci, UART/USAArt | DMA, Por, Wdt | 128 kb (128k x 8) | Blitz | - - - | 6k x 8 | 3,5 V ~ 5,5 V | A/D 24x8/10b | Extern | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MB9AF314NPMC-GE1 | - - - | | 4812 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | MB9AF314 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MB90020PMT-GS-327E1 | - - - | | 6628 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | 120-LQFP | MB90020 | 120-LQFP (16x16) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 84 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6ed2742S01QXTMA1 | 4.2900 | | 7143 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-Powervfqfn | 6ed2742 | Nicht Invertierend | Nicht Verifiziert | 6 V ~ 140 V | 32-vqfn (5x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3.000 | Unabhängig | Halbbrücke | 6 | N-Kanal-Mosfet | 1,4 V, 1,4 V. | 1a, 2a | 20ns, 10ns | 160 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY9AF342NBBBGL-GK9E1 | 8.1550 | | 9699 | 0.00000000 | Infineon -technologien | FM3 MB9A340NB | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 112-LFBGA | Cy9af342 | 112-PFBGA (10x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 1,980 | 83 | ARM® Cortex®-M3 | 32-Bit-Einzelkern | 40 MHz | CSIO, EBI/EMI, I²C, UART/USAart, USB | DMA, LVD, POR, PWM, WDT | 160 kb (160k x 8) | Blitz | - - - | 16k x 8 | 1,65 V ~ 3,6 V. | A/D 24x12b | Praktikum | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTS133NKSA1 | - - - | | 4373 | 0.00000000 | Infineon -technologien | HITFET® | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Slw -rate kontrollierert | BTS133 | Nicht Invertierend | N-Kanal | 1: 1 | PG-to220-3-1 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Nicht Erforderlich | - - - | 1 | Strombegrenzung (Fest), Übertemperatur, Überspannung, Kurzschluss | Niedrige Site | 40mohm | 60 v | Allgemein Zweck | 7a | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25FL128SAGNFB000 | 4.1125 | | 4672 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fl-s | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | S25FL128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.380 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S99-50256 | - - - | | 8411 | 0.00000000 | Infineon -technologien | - - - | Tablett | Veraltet | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 |
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