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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SIC -Programmierbar | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | ANZAHL von I/O | Kernprozessor | Kerngrö | Geschwindigkeit | KonneKtivität | Peripheriegeraut | Programmspeichergrö | Programmspeichertyp | Eeprom -grö | RAM -GRÖCehe | Spannung - Verorgung (VCC/VDD) | DATENKONVERTER | Oszillatortyp | Schnittstelle | Kraft (Watt) | Taktfrequenz | Controller -serie | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | Ausgangsisolation | Interne Schalter (en) | Spannung - Aufschlüsselung | Topologie | Spannung - Starten | Dienstzyklus | Frequenz - Schalten | Fehmlerschutz | Steuerfunktionen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S25FS256SDSNFI000 | 6.0400 |  | 909 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fs-s | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | S25FS256 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 338 | 80 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29AS016J70BHIF40 | - - - | | 5599 | 0.00000000 | Infineon -technologien | AS-J | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-VFBGA | S29AS016 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 48-FBGA (6x4) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -S29AS016J70BHIF40 | Ear99 | 8542.32.0071 | 416 | Nicht Flüchtig | 16mbit | 70 ns | Blitz | 2m x 8, 1m x 16 | Parallel | 70ns | |||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL064S70BHI030 | 5.2000 | | 7888 | 0.00000000 | Infineon -technologien | GL-S | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-VFBGA | S29GL064 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-FBGA (8.15x6.15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 338 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 60ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL064S70DHI020 | 3.7975 | | 1712 | 0.00000000 | Infineon -technologien | GL-S | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | S29GL064 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (9x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.600 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 60ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
| S29GL064S70DHI030 | 3.9479 | | 4607 | 0.00000000 | Infineon -technologien | GL-S | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | S29GL064 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (9x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 520 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 60ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL064S70FHI040 | 4.6500 | | 5126 | 0.00000000 | Infineon -technologien | GL-S | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | S29GL064 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (13x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 180 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 60ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL064S70TFI040 | 4.3800 | | 6876 | 0.00000000 | Infineon -technologien | GL-S | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | S29GL064 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 60ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
| S29GL064S80DHIV20 | 3.9479 | | 3555 | 0.00000000 | Infineon -technologien | GL-S | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | S29GL064 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (9x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 520 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 80 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 60ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | S70FL256P0XMFI003 | 3.6096 | | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | FL-P | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | S70FL256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.450 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o | 5 µs | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Cyusb3314-88ltxi | 7.3800 | | 2 | 0.00000000 | Infineon -technologien | HX3 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | USB 3.0 -Hub -Controller | Oberflächenhalterung | 88-VFQFN Exposed Pad | Cyusb3314 | Nicht Verifiziert | 1,14 V ~ 1,26 V, 2,5 V ~ 2,7 V, 3 V ~ 3,6 V. | 88-QFN (10x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991A2 | 8542.39.0001 | 168 | 10 | ARM® Cortex®-M0 | ROM (32 KB) | 16k x 8 | I²c | Cyusb | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Cyusb3326-88ltxi | 8.0400 | | 1735 | 0.00000000 | Infineon -technologien | HX3 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | USB 3.0 -Hub -Controller | Oberflächenhalterung | 88-VFQFN Exposed Pad | Cyusb3326 | Nicht Verifiziert | 1,14 V ~ 1,26 V, 2,5 V ~ 2,7 V, 3 V ~ 3,6 V. | 88-QFN (10x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 5A991B1 | 8542.39.0001 | 1.680 | 10 | ARM® Cortex®-M0 | ROM (32 KB) | 16k x 8 | I²c | Cyusb | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL127SABMFI003 | - - - | | 2576 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fl-s | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | S25FL127 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.450 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL132K0XBHI020 | - - - | | 5519 | 0.00000000 | Infineon -technologien | FL1-K | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | S25FL132 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-bga (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 338 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 3 ms | ||||||||||||||||||||||||||||||
| S25FL132K0XBHI023 | - - - | | 3766 | 0.00000000 | Infineon -technologien | FL1-K | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | S25FL132 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-bga (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 3 ms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL132K0XBHI030 | - - - | | 2071 | 0.00000000 | Infineon -technologien | FL1-K | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | S25FL132 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-bga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 338 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 3 ms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL132K0XNFI010 | - - - | | 5622 | 0.00000000 | Infineon -technologien | FL1-K | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | S25FL132 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 3 ms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL132K0XNFIQ10 | - - - | | 7825 | 0.00000000 | Infineon -technologien | FL1-K | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | S25FL132 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 2832-S25FL132K0xnfiq10 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 3 ms | |||||||||||||||||||||||||||||
| S25FL132K0XNFIQ13 | - - - | | 9638 | 0.00000000 | Infineon -technologien | FL1-K | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | S25FL132 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 4.000 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 3 ms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL164K0XMFIQ11 | - - - | | 4657 | 0.00000000 | Infineon -technologien | FL1-K | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | S25FL164 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 91 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 3 ms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL164K0XNFI013 | - - - | | 2042 | 0.00000000 | Infineon -technologien | FL1-K | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WFDFN Exposed Pad | S25FL164 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 4.000 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 3 ms | ||||||||||||||||||||||||||||||
| S25FL164K0XNFIQ10 | - - - | | 5718 | 0.00000000 | Infineon -technologien | FL1-K | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | S25FL164 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 490 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 3 ms | ||||||||||||||||||||||||||||||
| S25FL256SAGMFIR00 | 6.6500 | | 356 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fl-s | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | S25FL256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 240 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL256SAGNFI010 | 6.0400 | | 4 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Fl-s | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | S25FL256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 338 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | ICE2QR1765XKLA1 | 2.7700 | | 9741 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™, Coolset ™ -Q1 | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ICE2QR1765 | PG-DIP-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | 10,5 V ~ 27 V | 56,4 w | Isolier | Ja | 650 V | Flyback | 18 v | 50% | 52 kHz | Strombegrenzung, über letztes, über Temperatur, über Spannung | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||
| ICE3B0565XKLA1 | 1.8293 | | 3349 | 0.00000000 | Infineon -technologien | Coolmos ™, Coolset ™ F3 | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ICE3B0565 | PG-DIP-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | 8,5 V ~ 21V | 25 w | Isolier | Ja | 650 V | Flyback | 15 v | 72% | 67 KHz | Strombegrenzung, Offene Schleif | Weicher Start | ||||||||||||||||||||||||||||
 | XMC4504F144F512ACXQMA1 | 13.0100 | | 7603 | 0.00000000 | Infineon -technologien | XMC4000 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-LQFP | XMC4504 | PG-LQFP-144-10 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 60 | 91 | ARM® Cortex®-M4 | 32-Bit-Einzelkern | 120 MHz | EBI/EMI, I²C, Linbus, SPI, UART/USAArt | DMA, I²s, LED, POR, PWM, WDT | 512KB (512K x 8) | Blitz | - - - | 128k x 8 | 3,13 V ~ 3,63 V. | A/d 32x12b; D/A 2x12b | Praktikum | ||||||||||||||||||||||||||
 | CY9AF132KBPMC-G-SNE2 | - - - | | 5278 | 0.00000000 | Infineon -technologien | FM3 MB9A130LB | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-lqfp | Cy9af132 | 48-LQFP (7x7) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 250 | 37 | ARM® Cortex®-M3 | 32-Bit-Einzelkern | 20MHz | CSIO, I²C, UART/USAArt | LVD, POR, PWM, WDT | 128 kb (128k x 8) | Blitz | - - - | 8k x 8 | 1,8 V ~ 5,5 V. | A/D 6x12b | Praktikum | ||||||||||||||||||||||||||
 | CY9AF132LBPMC-G-SNE2 | - - - | | 3602 | 0.00000000 | Infineon -technologien | FM3 MB9A130LB | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-LQFP | Cy9af132 | 64-LQFP (10x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 119 | 52 | ARM® Cortex®-M3 | 32-Bit-Einzelkern | 20MHz | CSIO, I²C, UART/USAArt | LVD, POR, PWM, WDT | 128 kb (128k x 8) | Blitz | - - - | 8k x 8 | 1,8 V ~ 5,5 V. | A/D 8x12b | Praktikum | ||||||||||||||||||||||||||
 | CY9AF132LBQN-G-AVE2 | 8.5700 | | 310 | 0.00000000 | Infineon -technologien | FM3 MB9A130LB | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-vfqfn exponiert pad | Cy9af132 | 64-QFN (9x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 260 | 52 | ARM® Cortex®-M3 | 32-Bit-Einzelkern | 20MHz | CSIO, I²C, UART/USAArt | LVD, POR, PWM, WDT | 128 kb (128k x 8) | Blitz | - - - | 8k x 8 | 1,8 V ~ 5,5 V. | A/D 8x12b | Praktikum | ||||||||||||||||||||||||||
 | Cy9AF156RAPMC-G-JNE2 | 9.3275 | | 4161 | 0.00000000 | Infineon -technologien | FM3 MB9A150RA | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 120-LQFP | Cy9af156 | 120-LQFP (16x16) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991A2 | 8542.31.0001 | 840 | 103 | ARM® Cortex®-M3 | 32-Bit-Einzelkern | 40 MHz | CSIO, EBI/EMI, I²C, SPI, UART/USAArt | DMA, LVD, POR, PWM, WDT | 544KB (544K x 8) | Blitz | - - - | 64k x 8 | 1,65 V ~ 3,6 V. | A/D 24x12b | Praktikum |
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Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
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