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Power Management (PMIC) (1138)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Anwendungen Montagetyp Paket / Herbst Typ Merkmale Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Strom - Verroriert Spannung - Eingang Spannung - Eingang (max) Ausgangstyp Temperaturkoeffizient SIC -Programmierbar Verhöltnis - Eingang: Ausgang SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Eccn Htsus Standardpaket Fungion Strom - Ausgang / Kanal Referenztyp Spannung - Verorgung (VCC/VDD) Schnittstelle Anzahl der Ausgänge Strom - ruhe (IQ) Strom - Verrorane (max) Kanaltyp Interne Schalter (en) Topologie Frequenz - Schalten Fehmlerschutz Steuerfunktionen Spannung - Verrorane (max) AUSGABEKONfiguration Synchroner Gleichrichter Strom - Ausgabe RDS AUF (Typ) Spannung - zuletzt Angetriebene Konfiguration ANZAHL DER FAHRER Tor -Typ Logikspannung - vil, vih Strom - Peakausgang (Quelle, Senke) Aufstieg / Fallzeit (Typ) Motortyp - Stepper Motortyp - AC, DC Schrittlösung Dimm Spannung - Verrorane (min) Spannung - Ausgang Schaltertyp Strom - Ausgang (max) Spannung - Ausgang (Min/Fest) RAUschen - 0,1 Hz bis 10 Hz RAUschen - 10 Hz bis 10 kHz Spannung - Ausgang (max) Spannung - Eingang (min) Anzahl der Regulierungsbehörden Spannungsabfall (max) PSRR SchutzmerkMale
TA76432S,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S, T6F (j - - -
RFQ
 ECAD 6788 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet - - - -40 ° C ~ 85 ° C. K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper TA76432 - - - - - - - - - - - - Lstm Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 - - - - - - - - - - - -
TA78L012AP(6TOJ,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP (6toj, af - - -
RFQ
 ECAD 4697 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C. K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper TA78L012 35 V Uhben Lstm Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - - - Positiv 150 Ma 12V - - - 1 1,7 V @ 40 mA (Typ) 41 dB (120 Hz) Über Strom
TPD7107F,BXH Toshiba Semiconductor and Storage TPD7107f, BXH 1.3254
RFQ
 ECAD 8343 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 10-WFDFN Exposed Pad TPD7107 Nicht Invertierend Nicht Verifiziert 5,75 V ~ 26 V 10-Wson (3x3) Herunterladen Ear99 8542.39.0001 4.000 Einzel Hochseeitig 1 N-Kanal-Mosfet 0,6 V, 2,4 V. 5ma - - -
TA58L05S(SUMIS,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S (SUMIS, AQ) - - -
RFQ
 ECAD 7219 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack TA58L05 29V Uhben To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 ma - - - Positiv 250 Ma 5v - - - 1 0,4 V @ 200 Ma - - - Überstrom Übertemperatur
TA7291SG(O,J) Toshiba Semiconductor and Storage TA7291SG (O, J) - - -
RFQ
 ECAD 2539 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -30 ° C ~ 75 ° C (TA) Allgemein Zweck K. Loch 9-sip TA7291 Bipolar 4,5 V ~ 20V 9-sip Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 20 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (2) 400 ma 0V ~ 20V - - - Gebürstet DC - - -
TBD62004AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62004AFG, El 0,8900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,173 ", 4,40 mm BreiTe) - - - TBD62004 Invertieren N-Kanal 1: 1 16-so-sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 Nicht Erforderlich Ein/Aus 7 - - - Niedrige Site - - - 50 V (max) Allgemein Zweck 500 mA
TB9081FG Toshiba Semiconductor and Storage TB9081FG 8.4934
RFQ
 ECAD 7253 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Automobil, AEC-Q100 Tablett Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Automobil Oberflächenhalterung 64-LQFP TB9081 Bi-CMOs 3 V ~ 5,5 V. 64-LQFP (10x10) Herunterladen ROHS -KONFORM 2 (1 Jahr) Ear99 8542.39.0001 1.600 Treiber PWM, spi Vorfahrer 4,5 V ~ 28 V - - - Bürstenloser DC (Bldc) - - -
TA78L008AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP, F (j - - -
RFQ
 ECAD 2729 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C. K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper TA78L008 35 V Uhben Lstm Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - - - Positiv 150 Ma 8v - - - 1 1,7 V @ 40 mA (Typ) 45 dB (120 Hz) Über Strom
TCK421G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK421g, L3F 0,8500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 6-XFBGA, WLCSP TCK421 Nicht Invertierend Nicht Verifiziert 2,7 V ~ 28 V 6-WCSPG (0,8x1,2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 Synchron Hochseeitig und Niedrig 2 N-Kanal-Mosfet 0,4 V, 1,2 V. - - - - - -
TCR2LF15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF15, LM (CT 0,0742
RFQ
 ECAD 8105 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR2LF Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 TCR2LF15 5,5 v Uhben SMV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 2 µA Aktivieren Positiv 200 ma 1,5 v - - - 1 1,13v @ 150 mA - - - Über Strom
TCR2LN20,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN20, LF (SE 0,3800
RFQ
 ECAD 228 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr2ln Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-xfdfn exponiert Pad 5,5 v Uhben 4-SDFN (0,8 x 0,8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 2 µA Aktivieren Positiv 200 ma 2V - - - 1 0,54 V @ 150 mA - - - Über Strom
TCR8BM10A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM10A, L3F 0,4900
RFQ
 ECAD 9139 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR8BM Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-xdfn exponiert Pad TCR8BM10 5,5 v Uhben 5-DFNB (1,2x1,2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 36 µA Aktuelle Grenze, Aktivieren Positiv 800 mA 1V - - - 1 0,23 V @ 800 mA 98 dB (1KHz) Überstrom Übertemperatur Einer -Spannungssperrung (UVLO)
TCR15AG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG33, LF 0,6400
RFQ
 ECAD 3004 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR15AG Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-XFBGA, WLCSP TCR15AG33 6v Uhben 6-WCSP (1,2x0,80) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 40 µA Aktivieren Positiv 1,5a 3.3 v - - - 1 0,648 V @ 1,5a 95 dB ~ 60 dB (1 kHz) Strombegrenzung, Thermische Abschaltung, Uvlo
TA78L005AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP, T6F (j - - -
RFQ
 ECAD 9170 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C. K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper TA78L005 35 V Uhben Lstm Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 6 Ma - - - Positiv 150 Ma 5v - - - 1 1,7 V @ 40 mA (Typ) 49 dB (120 Hz) - - -
TC78H660FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H660FNG, EL 1.2700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 16-tssop (0,173 ", 4,40 mm Breit) TC78H660 DMOs 1,5 V ~ 5,5 V. 16-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 4.000 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe - - - Halbbrücke (4) 2a 2,5 V ~ 16 V - - - Gebürstet DC - - -
TC62D749CFG,C,EL,B Toshiba Semiconductor and Storage TC62D749CFG, C, El, Geb. - - -
RFQ
 ECAD 2473 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - - Oberflächenhalterung 0,236 ", 6,00 mm Breit) Linear TC62D749 - - - 24-SSOP Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 90 Ma 16 Ja Schichtregister 5,5 v - - - 3v 17V
TCR5AM10A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM10A, LF 0,1357
RFQ
 ECAD 7913 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr5am Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-xdfn exponiert Pad 5,5 v Uhben 5-DFNB (1,2x1,2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8542.39.0001 5.000 55 µA Aktuelle Grenze, Aktivieren Positiv 500 mA 1V - - - 1 0,25 V @ 500 mA 90 dB (1 kHz) Überstrom Übertemperatur Einer -Spannungssperrung (UVLO)
TB6560AFG,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFG, 8 3.8200
RFQ
 ECAD 5140 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Aktiv -30 ° C ~ 85 ° C. Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 64-TQFP-Exponiertebad TB6560 4,5 V ~ 5,5 V. 64-HQFP (10x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.39.0001 1 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (4) 1,5a 4,5 V ~ 34 V Bipolar - - -
TCV7103AF(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7103AF (TE12L, Q) - - -
RFQ
 ECAD 5726 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn TCV71 5.6 v Einstellbar 8-fuß-äharsch (5x5) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Abfahre 1 Bock 1MHz Positiv Ja 6a 0,8 v 5.6 v 2,7 v
TCR2EE295,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE295, LM (CT 0,0680
RFQ
 ECAD 3054 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr2ee Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung SOT-553 TCR2ee295 5,5 v Uhben ESV Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 4.000 60 µA Aktivieren Positiv 200 ma 2,95 v - - - 1 0,23 V @ 150 mA 73 dB (1 kHz) Über Strom
TCR8BM12,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM12, L3F 0,1538
RFQ
 ECAD 9066 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR8BM Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-xdfn exponiert Pad TCR8BM12 5,5 v Uhben 5-DFNB (1,2x1,2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 36 µA Aktuelle Grenze, Aktivieren Positiv 800 mA 1,2 v - - - 1 0,26 V @ 800 mA 98 dB (1KHz) Überstrom Übertemperatur
TA78L012AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP, WNLF (j - - -
RFQ
 ECAD 9521 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C. K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper TA78L012 35 V Uhben Lstm Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - - - Positiv 150 Ma 12V - - - 1 1,7 V @ 40 mA (Typ) 41 dB (120 Hz) Über Strom
TCR5AM12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM12, LF 0,5100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr5am Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-xdfn exponiert Pad TCR5AM12 5,5 v Uhben 5-DFNB (1,2x1,2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 55 µA Aktivieren Positiv 500 mA 1,2 v - - - 1 0,27 V @ 500 mA 70 dB ~ 40 dB (1 kHz ~ 10 Hz) Überstrom Übertemperatur Einer -Spannungssperrung (UVLO)
TB67B008FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B008FNG, EL 2.2800
RFQ
 ECAD 5177 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 24-LSSOP (0,220 ", 5,60 mm Breit) TB67B008 Power MOSFET 5,5 V ~ 22 V 24-SSOP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe PWM Halbbrücke (3) 3a 5,5 V ~ 22 V - - - Bürstenloser DC (Bldc) - - -
TB67S549FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S549ftg, El 1.9800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 24-VFQFN Exponiertes Pad TB67S549 DMOs 4,5 V ~ 33 V 24-QFN (4x4) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 4.000 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe PWM Halbbrücke (2) 1.2a 4,5 V ~ 33 V Bipolar Gebürstet DC 1 ~ 1/32
TCR3DG35,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG35, LF 0,1054
RFQ
 ECAD 8756 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr3dg Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-XFBGA, CSPBGA TCR3DG35 5,5 v Uhben 4-WCSPE (0,65 x 0,65) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 Aktivieren Positiv 300 ma 3,5 v - - - 1 0,215 V @ 300 mA 70 dB (1 kHz) Stromstrom Überstrom über die Temperatur
TCR2LF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF27, LM (CT 0,0721
RFQ
 ECAD 4075 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR2LF Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74A, SOT-753 TCR2LF27 5,5 v Uhben SMV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 2 µA Aktivieren Positiv 200 ma 2,7 v - - - 1 0,38 V @ 150 mA - - - Über Strom
TCR5AM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM105, LF 0,1344
RFQ
 ECAD 1346 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr5am Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-xdfn exponiert Pad TCR5AM105 5,5 v Uhben 5-DFNB (1,2x1,2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 55 µA 68 µA Aktivieren Positiv 500 mA 1,05 v - - - 1 0,25 V @ 500 mA 70 dB ~ 40 dB (1 kHz ~ 10 Hz) Überstrom Übertemperatur Einer -Spannungssperrung (UVLO)
TA7291P(O) Toshiba Semiconductor and Storage TA7291P (O) - - -
RFQ
 ECAD 3971 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -30 ° C ~ 75 ° C (TA) Allgemein Zweck K. Loch 10-ip-exponierte RegisterKarte TA7291 Bipolar 4,5 V ~ 20V 10-HSIP - - - ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 22 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (2) 1a 0V ~ 20V - - - Gebürstet DC - - -
TA76431S,MEIDENF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA76431s, Meidenf (m - - -
RFQ
 ECAD 5513 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper TA76431 - - - Einstellbar Lstm Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 - - - Positiv - - - 2.495V 36 v 1 - - - - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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196-LFBGA Expositionspad

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