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Energieverwaltung (PMIC)(1138)

Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Toleranz Betriebstemperatur Anwendungen Montageart Paket/Koffer Typ Merkmale Basisproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Strom - Versorgung Spannung – Eingang Spannung – Eingang (max.) Ausgabetyp Temperaturkoeffizient SIC programmierbar Verhältnis - Eingabe:Ausgabe Spannung - Versorgung Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Funktion Strom – Ausgang/Kanal Referenztyp Spannung – Versorgung (Vcc/Vdd) Schnittstelle Anzahl der Ausgänge Strom – Ruhezustand (Iq) Strom – Versorgung (max.) Kanaltyp Interner Schalter Topologie Fehlerschutz Steuerfunktionen Spannung – Versorgung (max.) Ausgabekonfiguration Strom – Ausgang Lasttyp Rds On (Typ) Strom – Spitzenleistung Spannung – Zuletzt Getriebene Konfiguration Anzahl der Fahrer Tortyp Logikspannung – VIL, VIH Strom – Spitzenausgang (Quelle, Senke) Anstiegs-/Abfallzeit (Typ) Motortyp: Schrittmotor Motortyp – Wechselstrom, Gleichstrom Schrittauflösung Dimmen Spannung – Versorgung (Min.) Spannung – Ausgang Schaltertyp Strom - Ausgang (Max) Spannung – Ausgang (Min./Fest) Rauschen – 0,1 Hz bis 10 Hz Rauschen – 10 Hz bis 10 kHz Spannung – Ausgang (max.) Anzahl der Regulierungsbehörden Spannungsabfall (max.) PSRR Schutzfunktionen
TCR3RM28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM28A,LF 0,4600
Anfrage
 ECAD 214 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR3RM Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XDFN freiliegendes Pad TCR3RM28 5,5V Behoben 4-DFNC (1x1) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 - Positiv 300mA 2,8V - 1 0,13 V bei 300 mA 100 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TCK22971G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22971G,LF 0,5500
Anfrage
 ECAD 6777 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 6-UFBGA, WLCSP Anstiegsgeschwindigkeit gesteuert TCK22971 Nicht invertierend P-Kanal 1:1 6-WCSPE (0,80 x 1,2) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 Nicht erforderlich Ein/Aus 1 Rückstrom Hohe Seite 25mOhm 1,1 V ~ 5,5 V Allgemeiner Zweck 2A
TB62747AFNAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFNAG,EL -
Anfrage
 ECAD 7768 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C (TA) - Oberflächenmontage 24-SSOP (0,154", 3,90 mm Breite) Linear TB62747 - 24-SSOP herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.000 45mA 16 Ja Schieberegister 5,5V - 3V 26V
TA58M05S(YNS,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S(YNS,AQ) -
Anfrage
 ECAD 2248 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40 °C ~ 105 °C Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TA58M05 29V Behoben TO-220NIS herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 1mA 80mA - Positiv 500µA 5V - 1 0,65 V bei 500 mA - Überstrom, Übertemperatur, Verpolung
TA78L015AP,6MURF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP,6MURF(M -
Anfrage
 ECAD 9977 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -30°C ~ 85°C Durchgangsloch TO-226-3, TO-92-3 Langkörper TA78L015 35V Behoben LSTM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 6,5mA - Positiv 150mA 15V - 1 1,7 V bei 40 mA (typisch) 40 dB (120 Hz) Überstrom, Übertemperatur
TCR2EE32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE32,LM(CT 0,3500
Anfrage
 ECAD 6 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2EE Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SOT-553 TCR2EE32 5,5V Behoben ESV herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Aktivieren Positiv 200mA 3,2V - 1 0,2 V bei 150 mA 73 dB (1 kHz) Überstrom
TCR15AG30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG30,LF 0,2294
Anfrage
 ECAD 8000 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR15AG Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage 6-XFBGA, WLCSP TCR15AG30 6V Behoben 6-WCSP (1,2x0,80) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 40 µA Aktivieren Positiv 1,5A 3V - 1 0,648 V bei 1,5 A 95 dB ~ 60 dB (1 kHz) Strombegrenzung, thermische Abschaltung, UVLO
TCR3UG12A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG12A,LF 0,4700
Anfrage
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR3UG Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage 4-XFBGA, WLCSP TCR3UG12 5,5V Behoben 4-WCSP-F (0,65x0,65) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 580 nA Aktivieren Positiv 300mA 1,2V - 1 0,857 V bei 300 mA 70 dB (1 kHz) Einschaltstrom, Überstrom, thermische Abschaltung
TCK22921G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22921G,LF 0,1675
Anfrage
 ECAD 7646 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 6-UFBGA, WLCSP Lastentladung, Anstiegsgeschwindigkeit gesteuert TCK22921 Nicht invertierend P-Kanal 1:1 6-WCSPE (0,80 x 1,2) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 Nicht erforderlich Ein/Aus 1 Rückstrom Hohe Seite 25mOhm 1,1 V ~ 5,5 V Allgemeiner Zweck 2A
TA76L431S(T6SOY,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S(T6SOY,AQ -
Anfrage
 ECAD 2963 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet - -40°C ~ 85°C Durchgangsloch TO-226-3, TO-92-3 Langkörper TA76L431 - - - - LSTM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR3DF185,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF185,LM(CT 0,0906
Anfrage
 ECAD 4999 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR3DF Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 TCR3DF185 5,5V Behoben SMV herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 Aktivieren Positiv 300mA 1,85 V - 1 0,4 V bei 300 mA 70 dB (1 kHz) Einschaltstrom, Überstrom, Übertemperatur
TCK108G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK108G,LF -
Anfrage
 ECAD 4705 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 4-UFBGA Anstiegsgeschwindigkeit gesteuert TCK108 Nicht invertierend P-Kanal 1:1 4-WCSP (0,79 x 0,79) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 Nicht erforderlich Ein/Aus 1 - Hohe Seite 49mOhm 1,1 V ~ 5,5 V Allgemeiner Zweck 1A
TCR2EE11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE11,LM(CT 0,3700
Anfrage
 ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2EE Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SOT-553 TCR2EE11 5,5V Behoben ESV herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Aktivieren Positiv 200mA 1,1 V - 1 0,67 V bei 150 mA 73 dB (1 kHz) Überstrom
TCK126BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK126BG,LF 0,4800
Anfrage
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 4-XFBGA, CSPBGA Anstiegsgeschwindigkeit gesteuert TCK126 Nicht invertierend P-Kanal 1:1 4-WCSPG (0,65 x 0,65) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 Nicht erforderlich Ein/Aus 1 - Hohe Seite 343mOhm 1V ~ 5,5V Allgemeiner Zweck 1A
TCR2LF13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF13,LM(CT 0,3800
Anfrage
 ECAD 15 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2LF Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 TCR2LF13 5,5V Behoben SMV herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 1,3V - 1 1,13 V bei 150 mA - Überstrom
TCR2DG26,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG26,LF 0,1394
Anfrage
 ECAD 4130 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2DG Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-UFBGA, WLCSP 5,5V Behoben 4-WCSP (0,79 x 0,79) herunterladen ROHS3-konform EAR99 8542.39.0001 3.000 70 µA Aktivieren Positiv 200mA 2,6V - 1 0,13 V bei 100 mA - Überstrom, Übertemperatur
TCR2EN125,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN125,LF 0,0896
Anfrage
 ECAD 6671 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2EN Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XFDFN freiliegendes Pad TCR2EN125 5,5V Behoben 4-SDFN (0,8 x 0,8) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 60 µA Aktivieren Positiv 200mA 1,25 V - 1 0,55 V bei 150 mA 73 dB (1 kHz) Überstrom
TCR3LM08A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM08A,RF 0,3700
Anfrage
 ECAD 10 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR3LM Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XFDFN freiliegendes Pad 5,5V Behoben 4-DFN (1x1) - ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) 5.000 2,2 µA Strombegrenzung, Aktivieren Positiv 300mA 0,8V - 1 - 74 dB ~ 43 dB (100 Hz ~ 100 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TA58M10F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M10F(TE16L1,NQ -
Anfrage
 ECAD 2343 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -40 °C ~ 105 °C Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 TA58M10 29V Behoben PW-FORM - RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.000 1,2mA 80mA - Positiv 500mA 10V - 1 0,65 V bei 500 mA - Überstrom, Übertemperatur, Verpolung
TCR8BM11A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM11A,L3F 0,1628
Anfrage
 ECAD 8877 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR8BM Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XDFN freiliegendes Pad TCR8BM11 5,5V Behoben 5-DFNB (1,2x1,2) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 36 µA Strombegrenzung, Aktivieren Positiv 800mA 1,1 V - 1 0,245 V bei 800 mA 98 dB (1 kHz) Überstrom-, Übertemperatur- und Unterspannungssperre (UVLO)
TA78L12PF(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L12PF(TE85L,F) -
Anfrage
 ECAD 9901 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -30°C ~ 85°C Oberflächenmontage 8-SMD, Flachanschluss TA78L12 35V Behoben PS-8 (2,9x2,4) - RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 6mA 6,5mA - Positiv 150mA 12V - 1 2 V bei 150 mA (typisch) 41 dB (120 Hz) Überstrom, Übertemperatur
TB67S521FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S521FTAG,EL 2.8700
Anfrage
 ECAD 3656 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -20°C ~ 85°C (TA) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 36-WFQFN freiliegendes Pad TB67S521 DMOS 2V ~ 5,5V 36-WQFN (6x6) herunterladen ROHS3-konform EAR99 8542.39.0001 4.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe PWM Halbbrücke (2) 2,8A 10V ~ 34V Bipolar Gebürsteter DC 1, 1/2, 1/4
TCK402G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK402G,LF 0,6200
Anfrage
 ECAD 213 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 6-UFBGA, WLCSP TCK402 Nicht invertierend Nicht verifiziert 2,7 V ~ 28 V 6-WCSPE (0,80 x 1,2) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 Einzeln Low-Side 1 - 0,4 V, 1,6 V - 0,2 ms, 1,5 µs
TB67H451FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H451FNG,EL 1.5300
Anfrage
 ECAD 48 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Nicht für neue Designs -40°C ~ 85°C (TA) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154 Zoll, 3,90 mm Breite) freiliegendes Pad TB67H451 - 2V ~ 5,5V 8-HSOP herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.500 Treiber - Halbbrücke 3,5A 4,5 V ~ 44 V - Gebürsteter DC -
TCR8BM105,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM105,L3F 0,4600
Anfrage
 ECAD 9938 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR8BM Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XDFN freiliegendes Pad TCR8BM105 5,5V Behoben 5-DFNB (1,2x1,2) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 36 µA Strombegrenzung, Aktivieren Positiv 800mA 1,05 V - 1 0,24 V bei 800 mA 98 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TB6641FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6641FTG,8,EL 1.1263
Anfrage
 ECAD 3247 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 150°C (TJ) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 32-VFQFN freiliegendes Pad TB6641 Leistungs-MOSFET 10V ~ 45V 32-VQFN (5x5) herunterladen ROHS3-konform 3 (168 Stunden) EAR99 8542.39.0001 2.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel, PWM Halbbrücke (2) 1,5A 10V ~ 45V - Gebürsteter DC -
TCR3DM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM105,LF 0,4500
Anfrage
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR3DM Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-UDFN freiliegendes Pad TCR3DM105 5,5V Behoben 4-DFN (1x1) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 65 µA 78 µA Aktivieren Positiv 300mA 1,05 V - 1 0,75 V bei 300 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TCK207AN,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK207AN,LF 0,8900
Anfrage
 ECAD 3 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 4-XFDFN freiliegendes Pad Lastentladung, Anstiegsgeschwindigkeit gesteuert TCK207 Nicht invertierend N-Kanal 1:1 4-DFNA (1,2x1,2) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 Nicht erforderlich Ein/Aus 1 Rückstrom Hohe Seite 21,5 mOhm 0,75 V ~ 3,6 V Allgemeiner Zweck 2A
TB67Z800FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67Z800FTG,EL 2.7700
Anfrage
 ECAD 10 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 105°C (TA) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 36-VFQFN freiliegendes Pad - TB67Z800 - 5,5 V ~ 22 V 36-VQFN (5x5) herunterladen ROHS3-konform EAR99 8542.39.0001 2.000 3A Logik Strombegrenzung, Übertemperatur, Shoot-Through, UVLO Halbbrücke (3) Induktiv, kapazitiv - - 5,5 V ~ 22 V
TBD62003APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62003APG 1.1500
Anfrage
 ECAD 5287 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Durchgangsloch 16-DIP (0,300", 7,62 mm) - TBD62003 Invertieren N-Kanal 1:1 16-DIP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) TBD62003APG(Z,HZ) EAR99 8542.39.0001 25 Nicht erforderlich Ein/Aus 7 - Niedrige Seite - 50 V (maximal) Allgemeiner Zweck 500mA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    Weltweite Hersteller

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Freiliegendes Pad

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