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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Betriebstemperatur | Anwendungen | Montageart | Paket/Koffer | Typ | Merkmale | Basisproduktnummer | Eingabetyp | Frequenz | Technologie | Strom - Versorgung | Spannung – Eingang | Spannung – Eingang (max.) | Ausgabetyp | Temperaturkoeffizient | SIC programmierbar | Verhältnis - Eingabe:Ausgabe | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Funktion | Strom – Ausgang/Kanal | Referenztyp | Spannung – Versorgung (Vcc/Vdd) | Schnittstelle | Anzahl der Ausgänge | Strom – Ruhezustand (Iq) | Strom – Versorgung (max.) | Kanaltyp | Interner Schalter | Topologie | Frequenz - Umschalten | Fehlerschutz | Steuerfunktionen | Spannung – Versorgung (max.) | Ausgabekonfiguration | Synchrongleichrichter | Strom – Ausgang | Rds On (Typ) | Spannung – Zuletzt | Getriebene Konfiguration | Anzahl der Fahrer | Tortyp | Logikspannung – VIL, VIH | Strom – Spitzenausgang (Quelle, Senke) | Anstiegs-/Abfallzeit (Typ) | Motortyp: Schrittmotor | Motortyp – Wechselstrom, Gleichstrom | Schrittauflösung | Dimmen | Spannung – Versorgung (Min.) | Spannung – Ausgang | Schaltertyp | Strom - Ausgang (Max) | Spannung – Ausgang (Min./Fest) | Rauschen – 0,1 Hz bis 10 Hz | Rauschen – 10 Hz bis 10 kHz | Spannung – Ausgang (max.) | Spannung – Eingang (Min.) | Anzahl der Regulierungsbehörden | Spannungsabfall (max.) | PSRR | Schutzfunktionen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TA48LS00F(TE85L,F) | - | ![]() | 2469 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 150°C | Oberflächenmontage | 8-SMD, Flachanschluss | TA48LS00 | 14V | Einstellbar | PS-8 (2,9x2,4) | - | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 1,7mA | 10mA | Aktivieren | Positiv | 300mA | 1,5V | 5V | 1 | 0,6 V bei 300 mA | 60 dB (120 Hz) | Überstrom, Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB62777FNG,EL | - | ![]() | 7013 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | - | Oberflächenmontage | 16-LSSOP (0,173", 4,40 mm Breite) | Linear | TB62777 | - | 16-SSOP | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.000 | 40mA | 8 | Ja | Schieberegister | 5,5V | - | 3V | 25V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TBD62083APG | 1.4900 | ![]() | 5066 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Durchgangsloch | 18-DIP (0,300", 7,62 mm) | - | TBD62083 | Invertieren | N-Kanal | 1:1 | 18-DIP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 20 | Nicht erforderlich | Ein/Aus | 8 | - | Niedrige Seite | - | 50 V (maximal) | Allgemeiner Zweck | 500mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LF33,LM(CT | 0,3900 | ![]() | 189 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | TCR2LF | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-74A, SOT-753 | TCR2LF33 | 5,5V | Behoben | SMV | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200mA | 3,3 V | - | 1 | 0,3 V bei 150 mA | - | Überstrom | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC78B004FTG,EL | 2.5800 | ![]() | 8811 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -30°C ~ 85°C | Allgemeiner Zweck | Oberflächenmontage | 40-WFQFN freiliegendes Pad | TC78B004 | NMOS | 10V ~ 28V | 40-WQFN (6x6) | - | ROHS3-konform | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Controller - Geschwindigkeit | PWM | Vortreiber – Halbbrücke (3) | 100mA | - | Mehrphasig | Bürstenloser Gleichstrom (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB62747AFNG,C8EL | 1.0200 | ![]() | 1951 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | - | Oberflächenmontage | 24-LSSOP (0,220", 5,60 mm Breite) | Linear | TB62747 | - | 24-SSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.000 | 45mA | 16 | Ja | Schieberegister | 5,5V | - | 3V | 26V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58L12S,WNLQ(J | - | ![]() | 8198 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | -40 °C ~ 105 °C | Durchgangsloch | TO-220-3 Komplettpaket | TA58L12 | 29V | Behoben | TO-220NIS | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1,2mA | 50mA | - | Positiv | 250mA | 12V | - | 1 | 0,4 V bei 200 mA | - | Überstrom, Übertemperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB6586BFG,EL,TROCKEN | - | ![]() | 6909 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -30°C ~ 85°C (TA) | Allgemeiner Zweck | Oberflächenmontage | 24-SOP (0,236", 6,00 mm Breite) | TB6586 | Bi-CMOS | 6,5 V ~ 16,5 V | 24-SSOP | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Controller – Kommutierung, Richtungsmanagement | Parallel | Vortreiber – Halbbrücke (3) | - | - | - | Bürstenloser Gleichstrom (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LE105,LM(CT | 0,3900 | ![]() | 125 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | TCR2LE | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-553 | TCR2LE105 | 5,5V | Behoben | ESV | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200mA | 1,05 V | - | 1 | 1,4 V bei 150 mA | - | Überstrom | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LE20,LM(CT | 0,4100 | ![]() | 3699 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | TCR2LE | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TJ) | Oberflächenmontage | SOT-553 | TCR2LE20 | 5,5V | Behoben | ESV | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200mA | 2V | - | 1 | 0,56 V bei 150 mA | - | Überstrom | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB67B000AHG | 7.3500 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Aktiv | -30°C ~ 115°C | Allgemeiner Zweck | Durchgangsloch | 30-PowerDIP-Modul | TB67B000 | IGBT | 13,5 V ~ 16,5 V | 30-HDIP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 15 | Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe | PWM | Halbbrücke (3) | 2A | 50V ~ 450V | Mehrphasig | Bürstenloser Gleichstrom (BLDC) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58M08S(LS2FJT,AQ | - | ![]() | 6568 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | -40 °C ~ 105 °C | Durchgangsloch | TO-220-3 Komplettpaket | TA58M08 | 29V | Behoben | TO-220NIS | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1mA | 80mA | - | Positiv | 500mA | 8V | - | 1 | 0,65 V bei 500 mA | - | Überstrom, Übertemperatur, Verpolung | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA78DS08BP(DNSO,FM | - | ![]() | 3785 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 85°C | Durchgangsloch | TO-226-3, TO-92-3 Langkörper | TA78DS | 33V | Behoben | LSTM | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1,2mA | 1,2mA | - | Positiv | 30mA | 8V | - | 1 | 0,3 V bei 10 mA | - | Überstrom, Übertemperatur, Überspannung, Übergangsspannung | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB6600HG | 6.3700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tablett | Aktiv | -30°C ~ 85°C (TA) | Allgemeiner Zweck | Durchgangsloch | 25-SIP-geformte Leitungen | TB6600 | Leistungs-MOSFET | 8V ~ 42V | 25-HZIP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | TB6600HG(O) | EAR99 | 8542.39.0001 | 510 | Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 4,5A | 8V ~ 42V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCK423G,L3F | 0,8500 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 6-XFBGA, WLCSP | TCK423 | Nicht invertierend | Nicht verifiziert | 2,7 V ~ 28 V | 6-WCSPG (0,8x1,2) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5.000 | Einzeln | High-Side | 1 | N-Kanal-MOSFET | 0,4 V, 1,2 V | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA78L008AP(6DNS,FM | - | ![]() | 5698 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | -30°C ~ 85°C | Durchgangsloch | TO-226-3, TO-92-3 Langkörper | TA78L008 | 35V | Behoben | LSTM | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 6,5mA | - | Positiv | 150mA | 8V | - | 1 | 1,7 V bei 40 mA (typisch) | 45 dB (120 Hz) | Überstrom | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KIA78DL08PI | - | ![]() | 6694 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | * | Rohr | Aktiv | KIA78 | - | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB9058FNG,EL | 7.3500 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40 °C ~ 125 °C | Automobil | Oberflächenmontage | 24-LSSOP (0,220", 5,60 mm Breite) | TB9058 | Bi-CMOS | 7V ~ 18V | 24-SSOP | herunterladen | 3 (168 Stunden) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Controller – Kommutierung, Richtungsmanagement | PWM | Halbbrücke (2) | 2A | 0,5V ~ 12V | - | Servo-Gleichstrom | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCK111G,LF | 0,7700 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 6-UFBGA, WLCSP | Anstiegsgeschwindigkeit gesteuert | TCK111 | Nicht invertierend | N-Kanal | 1:1 | 6-WCSPC (1,5x1,0) | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Nicht erforderlich | Ein/Aus | 1 | Übertemperatur, Rückstrom | Hohe Seite | 8,3 mOhm | 1,1 V ~ 5,5 V | Allgemeiner Zweck | 3A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB67S112PG,HJ | 2.4300 | ![]() | 211 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Allgemeiner Zweck | Durchgangsloch | 16-DIP (0,300", 7,62 mm) | TB67S112 | Leistungs-MOSFET | 2V ~ 5,5V | 16-DIP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 25 | Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke | 1,5A | 4,5 V ~ 47 V | Unipolar | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA76431AS(T6CNO,FM | - | ![]() | 6014 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | - | -40°C ~ 85°C | Durchgangsloch | TO-226-3, TO-92-3 Langkörper | TA76431 | - | - | - | - | LSTM | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB6569FTG,8,EL | 1.0846 | ![]() | 7459 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Allgemeiner Zweck | Oberflächenmontage | 32-VFQFN freiliegendes Pad | TB6569 | Bi-CMOS | 10V ~ 45V | 32-VQFN (5x5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe | Parallel, PWM | Halbbrücke (2) | 4A | 10V ~ 45V | - | Gebürsteter DC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCV7100F(TE12L,Q) | - | ![]() | 8795 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 125°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerTDFN | TCV71 | 5,5V | Einstellbar | 8-SOP-Vorschuss (5x5) | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Rücktritt | 1 | Bock | 800 kHz | Positiv | Ja | 2,5A | 0,8V | 5,5V | 2,7V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB7107FN(TE85L,F) | - | ![]() | 8664 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 125°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SMD, Flachanschluss | TB7107 | 20V | Einstellbar | PS-8 (2,9x2,4) | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Rücktritt | 1 | Bock | 380 kHz | Positiv | Ja | 2A | 0,8V | 18V | 4,5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCK22892G,LF | 0,1643 | ![]() | 2432 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 6-UFBGA, WLCSP | Entladung beladen | TCK22892 | Nicht invertierend | P-Kanal | 1:1 | 6-WCSPE (0,80 x 1,2) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5.000 | Nicht erforderlich | Ein/Aus | 1 | Strombegrenzung (fest), Übertemperatur | Hohe Seite | 31mOhm | 1,4 V ~ 5,5 V | Allgemeiner Zweck | 740mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB67B001BFTG,EL | 1.5343 | ![]() | 6576 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40 °C ~ 105 °C | Allgemeiner Zweck | Oberflächenmontage | 36-VFQFN freiliegendes Pad | NMOS, PMOS | 4V ~ 22V | 36-VQFN (5x5) | herunterladen | 2.000 | Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe | PWM | Vortreiber – Halbbrücke (3) | 3A | 4V ~ 22V | Mehrphasig | Bürstenloser Gleichstrom (BLDC) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58M05S(LBS2PP,AQ | - | ![]() | 6287 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | -40 °C ~ 105 °C | Durchgangsloch | TO-220-3 Komplettpaket | TA58M05 | 29V | Behoben | TO-220NIS | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1mA | 80mA | - | Positiv | 500µA | 5V | - | 1 | 0,65 V bei 500 mA | - | Überstrom, Übertemperatur, Verpolung | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KIA78L06BP | - | ![]() | 4285 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | * | Schüttgut | Aktiv | KIA78 | - | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DF30,LM | 0,4000 | ![]() | 54 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | TCR3DF | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF30 | 5,5V | Behoben | SMV | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 65 µA | 78 µA | Aktivieren | Positiv | 300mA | 3V | - | 1 | 0,27 V bei 300 mA | 70 dB (1 kHz) | Überstrom, Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA76L431S,T6Q(J | - | ![]() | 7237 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | - | -40°C ~ 85°C | Durchgangsloch | TO-226-3, TO-92-3 Langkörper | TA76L431 | - | - | - | - | LSTM | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | - | - |

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