SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Biebstemperatur Anwendungen Montagetyp Paket / Herbst Typ Merkmale Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Strom - Verroriert Spannung - Eingang Spannung - Eingang (max) Ausgangstyp Temperaturkoeffizient Verhöltnis - Eingang: Ausgang SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Fungion Strom - Ausgang / Kanal Referenztyp Spannung - Verorgung (VCC/VDD) Schnittstelle Anzahl der Ausgänge Strom - ruhe (IQ) Strom - Verrorane (max) Interne Schalter (en) Topologie Frequenz - Schalten Fehmlerschutz Steuerfunktionen Spannung - Verrorane (max) AUSGABEKONfiguration Synchroner Gleichrichter Strom - Ausgabe RDS AUF (Typ) Spannung - zuletzt Motortyp - Stepper Motortyp - AC, DC Schrittlösung Dimm Spannung - Verrorane (min) Spannung - Ausgang Schaltertyp Strom - Ausgang (max) Spannung - Ausgang (Min/Fest) RAUschen - 0,1 Hz bis 10 Hz RAUschen - 10 Hz bis 10 kHz Spannung - Ausgang (max) Spannung - Eingang (min) Anzahl der Regulierungsbehörden Spannungsabfall (max) PSRR SchutzmerkMale
TA76L431S,T6Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S, T6Q (j - - -
RFQ
ECAD 7237 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet - - - -40 ° C ~ 85 ° C. K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper TA76L431 - - - - - - - - - - - - Lstm Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 - - - - - - - - - - - -
TA78L12F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L12F (TE12L, F) - - -
RFQ
ECAD 6680 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung To-243aa TA78L12 35 V Uhben PW-mini (SOT-89) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1.000 6 Ma 6.5 Ma - - - Positiv 150 Ma 12V - - - 1 - - - 41 dB (120 Hz) Überstrom Übertemperatur
TA48M05F(T6L1,SNQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48M05F (T6L1, SNQ) - - -
RFQ
ECAD 5431 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 TA48M05 29V Uhben Pw-mold Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 1,4 Ma 25 ma - - - Positiv 500 mA 5v - - - 1 0,65 V @ 500 mA 68 dB (120 Hz) Überstrom, Übertemperatur, Überspannung, Umgekehrte Polarität
TCR2LN13,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN13, LF (SE 0,3800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr2ln Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-xfdfn exponiert Pad 5,5 v Uhben 4-SDFN (0,8 x 0,8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 2 µA Aktivieren Positiv 200 ma 1,3 v - - - 1 1.11v @ 150 mA - - - Über Strom
TCR3UG285A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG285A, LF 0,1229
RFQ
ECAD 9683 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr3ug Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-XFBGA, WLCSP TCR3UG285 5,5 v Uhben 4-WCSPF (0,65x0,65) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 680 na Aktivieren Positiv 300 ma 2,85 v - - - 1 0,327V @ 300 mA 70 dB (1 kHz) Stromstrom über Strom, Thermische Abschaltdown
TBD62503AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62503AFWG, El 0,9300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-Soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) - - - TBD62503 Invertieren N-Kanal 1: 1 16-so-sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.000 Nicht Erforderlich Ein/Aus 7 - - - Niedrige Site - - - 50 V (max) Allgemein Zweck 300 ma
TPD1044F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPD1044F (TE85L, F) - - -
RFQ
ECAD 3217 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-smd, Flaches Blei - - - TPD1044 Nicht Invertierend N-Kanal 1: 1 PS-8 (2,9x2,4) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Nicht Erforderlich Ein/Aus 1 Strombegrenzung (Fest), Übertemperatur, über Spannung Niedrige Site 440Mohm 3v ~ 6v Allgemein Zweck 1a
TC78B011FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage Tc78b011ftg, El 2.7300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C. Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 36-WFQFN Exponiertes Pad TC78B011 Nmos 5,5 V ~ 27 V 36-WQFN (5x5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe I²c Vorfahrer - Halbbrücke (3) 240 ma - - - Mehrfachhase Bürstenloser DC (Bldc) - - -
TB7110F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TB7110F (TE12L, Q) - - -
RFQ
ECAD 2524 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn TB7110 27V Einstellbar 8-fuß-äharsch (5x5) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Abfahre 2 Bock 500 kHz Positiv NEIN 1,5a, 800 mA 1.215 V 24 v 4,5 v
TA58L05S,ALPSAQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S, Alpsaq (m - - -
RFQ
ECAD 4393 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack TA58L05 29V Uhben To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 ma - - - Positiv 250 Ma 5v - - - 1 0,4 V @ 200 Ma - - - Überstrom Übertemperatur
TCR5AM10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM10, LF 0,5000
RFQ
ECAD 8528 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr5am Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-xdfn exponiert Pad TCR5AM10 5,5 v Uhben 5-DFNB (1,2x1,2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 55 µA 68 µA Aktivieren Positiv 500 mA 1V - - - 1 0,25 V @ 500 mA 70 dB ~ 40 dB (1 kHz ~ 10 Hz) Überstrom Übertemperatur Einer -Spannungssperrung (UVLO)
TA58L12S(FJTN,QM) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L12S (FJTN, QM) - - -
RFQ
ECAD 5390 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack TA58L12 29V Uhben To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 1,2 Ma 50 ma - - - Positiv 250 Ma 12V - - - 1 0,4 V @ 200 Ma - - - Überstrom Übertemperatur
TB67S581FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S581FNG, EL 2.2000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 28-tssop (0,173 ", 4,40 mm Breit) Exponiertebad DMOs 8,2 V ~ 44 V 28-HTSSOP Herunterladen 1 (unbegrenzt) 4.000 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe Ein/Aus Halbbrücke (4) 1.6a 8,2 V ~ 44 V Bipolar - - - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
TCK304G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK304G, LF 1.1500
RFQ
ECAD 447 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 9-UFBGA, WLCSP SLW -RATE Kontrollierert, StatusFlagge TCK304 - - - N-Kanal 1: 1 9-WCSP (1,5x1,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 Nicht Erforderlich Ein/Aus 1 Übertemperatur, über Spannung, Rückstrom, Uvlo HOHE SETE 73mohm 2,3 V ~ 28 V Allgemein Zweck 3a
TB6562ANG Toshiba Semiconductor and Storage Tb6562ang - - -
RFQ
ECAD 7296 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Rohr Veraltet -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Allgemein Zweck K. Loch 24-sdip (0,300 ", 7,62 mm) TB6562 DMOs 10V ~ 34 V 24-sdip Herunterladen 1 (unbegrenzt) Tb6562ang (o) Ear99 8542.39.0001 100 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (4) 1,5a 10V ~ 34 V Bipolar - - - 1, 1/2, 1/4
TCR3DG28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG28, LF 0,3900
RFQ
ECAD 6969 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr3dg Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-XFBGA, CSPBGA 5,5 v Uhben 4-WCSPE (0,65 x 0,65) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8542.39.0001 5.000 Aktivieren Positiv 300 ma 2,8 v - - - 1 0,235 V @ 300 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom Übertemperatur
TCR2LE36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE36, LM (CT 0,0762
RFQ
ECAD 1807 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung TCR2LE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-553 TCR2LE36 5,5 v Uhben ESV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 4.000 2 µA Aktivieren Positiv 200 ma 3.6 V - - - 1 0,3 V @ 150 mA - - - Über Strom
TA78DS05CP,T6HYF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP, T6HYF (m - - -
RFQ
ECAD 4194 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper Ta78ds 33V Uhben Lstm Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 1 Ma - - - Positiv 30 ma 5v - - - 1 0,3 V @ 10 mA - - - Überstrom, übertemperatur, überspannung, transiente spannung
TA76431AS(T6MURAFM Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS (T6MURAFM - - -
RFQ
ECAD 5109 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet - - - -40 ° C ~ 85 ° C. K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper TA76431 - - - - - - - - - - - - Lstm Herunterladen 1 (unbegrenzt) TA76431AST6MURAFM Ear99 8542.39.0001 1 - - - - - - - - - - - -
TC62D902FG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D902FG, C, 8, EL 0,7648
RFQ
ECAD 4860 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) BeleUteuntung Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) AC DC Offline Switcher TC62D902 200kHz 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 2.500 - - - 1 NEIN Flyback 25 v Triac 1,8 v 15 v
TAR5S40UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S40UTE85LF 0,5400
RFQ
ECAD 4359 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 6-smd (5 Leitungen), Flache Blei TAR5S40 15 v Uhben UFV Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 850 µA Aktivieren Positiv 200 ma 4V - - - 1 0,2 V @ 50 Ma 70 dB (1 kHz) Überstrom Übertemperatur
TA58M05S,HOTIKIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S, Hotikiq (m - - -
RFQ
ECAD 5233 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack TA58M05 29V Uhben To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 80 Ma - - - Positiv 500 ähm 5v - - - 1 0,65 V @ 500 mA - - - Überstrom, über Temperatur, Umgekehrte Polarität
TCR2LN12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN12, LF 0,0896
RFQ
ECAD 4291 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr2ln Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-xfdfn exponiert Pad TCR2LN12 5,5 v Uhben 4-SDFN (0,8 x 0,8) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 2 µA Aktivieren Positiv 200 ma 1,2 v - - - 1 1,23V @ 150 mA - - - Über Strom
TA78L018AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP, F (j - - -
RFQ
ECAD 2980 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C. K. Loch To-226-3, bis 92-3 Langer Körper TA78L018 40V Uhben Lstm Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 6.5 Ma - - - Positiv 150 Ma 18V - - - 1 1,7 V @ 40 mA (Typ) 38 dB (120 Hz) Über Strom
TB7107FN(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7107FN (TE85L, F) - - -
RFQ
ECAD 8664 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-smd, Flaches Blei TB7107 20V Einstellbar PS-8 (2,9x2,4) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Abfahre 1 Bock 380 kHz Positiv Ja 2a 0,8 v 18V 4,5 v
TA58L08S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L08S, Q (j - - -
RFQ
ECAD 5175 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C. K. Loch To-220-3 Full Pack TA58L08 29V Uhben To-220nis Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 1 1 Ma 50 ma - - - Positiv 250 Ma 8v - - - 1 0,4 V @ 200 Ma - - - Überstrom Übertemperatur
TCR2EN33,LF Toshiba Semiconductor and Storage Tcr2en33, lf 0,0896
RFQ
ECAD 3356 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr2en Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 4-xfdfn exponiert Pad Tcr2en33 5,5 v Uhben 4-SDFN (0,8 x 0,8) Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 10.000 60 µA Aktivieren Positiv 200 ma 3.3 v - - - 1 0,18 V @ 150 mA 73 dB (1 kHz) Über Strom
TCV7101F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7101F (TE12L, Q) - - -
RFQ
ECAD 6215 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Powertdfn TCV71 5,5 v Einstellbar 8-fuß-äharsch (5x5) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 3.000 Abfahre 1 Bock 600 kHz Positiv Ja 3.8a 0,8 v 5,5 v 2,7 v
TB62218AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFG, C8, EL 1.5754
RFQ
ECAD 8118 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) Allgemein Zweck Oberflächenhalterung 28-BSOP (0,346 ", 8,80 mm Breit) + 2 Wärmelaschen TB62218 DMOs 4,75 V ~ 5,25 V. 28-hsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.39.0001 2.000 Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (4) 2a 10 V ~ 38 V Bipolar - - - 1, 1/2, 1/4
TCR3UG50A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG50A, LF 0,1261
RFQ
ECAD 7779 0.00000000 Toshiba Semiconductor und Lagerung Tcr3ug Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 4-XFBGA, WLCSP TCR3UG50 5,5 v Uhben 4-WCSP-F (0,65 x 0,65) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.39.0001 5.000 680 na Aktivieren Positiv 300 ma 5v - - - 1 0,195 V @ 300 mA 70 dB (1 kHz) Stromstrom über Strom, Thermische Abschaltdown
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus