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Power Management (PMIC) (1138)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Merkmale | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Strom - Verroriert | Spannung - Eingang | Spannung - Eingang (max) | Ausgangstyp | Temperaturkoeffizient | Verhöltnis - Eingang: Ausgang | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Fungion | Referenztyp | Spannung - Verorgung (VCC/VDD) | Schnittstelle | Anzahl der Ausgänge | Strom - ruhe (IQ) | Strom - Verrorane (max) | Topologie | Frequenz - Schalten | Fehmlerschutz | Steuerfunktionen | AUSGABEKONfiguration | Synchroner Gleichrichter | Strom - Ausgabe | RDS AUF (Typ) | Spannung - zuletzt | Motortyp - Stepper | Motortyp - AC, DC | Schrittlösung | Spannung - Ausgang | Schaltertyp | Strom - Ausgang (max) | Spannung - Ausgang (Min/Fest) | RAUschen - 0,1 Hz bis 10 Hz | RAUschen - 10 Hz bis 10 kHz | Spannung - Ausgang (max) | Spannung - Eingang (min) | Anzahl der Regulierungsbehörden | Spannungsabfall (max) | PSRR | SchutzmerkMale |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TCR2EF28, LM (CT | 0,3300 |  | 6239 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR2ef | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF28 | 5,5 v | Uhben | SMV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 2,8 v | - - - | 1 | 0,23 V @ 150 mA | 73 dB (1 kHz) | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK22946G, LF | 0,5100 | | 28 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 6-UFBGA, WLCSP | Letztes | TCK22946 | Nicht Invertierend | P-Kanal | 1: 1 | 6-WCSPE (0,80 x 1,2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | Nicht Erforderlich | Ein/Aus | 1 | Strombegrenzung (Fest), Übertemperatur, Rückstrom | HOHE SETE | 31mohm | 1,1 V ~ 5,5 V. | Allgemein Zweck | 400 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62209fg, El | - - - | | 4905 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 0,346 (8,80 mm Breit) + 2 Wärmelaschen | TB62209 | DMOs | 4,5 V ~ 5,5 V. | 36-hsop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 1,5a | 13v ~ 34V | Bipolar | - - - | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC78B041FNG, EL | 2.2800 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 115 ° C. | Lüftercontroller | Oberflächenhalterung | 30-LSSOP (0,220 ", 5,60 mm Breit) | TC78B041 | - - - | 6 V ~ 16,5 V | 30-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Controller - Geschwindigkeit | PWM | HOHE SEETE, NIEDRIEGE SETE | 2ma | 4,5 V ~ 5,3 V | Mehrfachhase | Bürstenloser DC (Bldc) | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S149ftg, El | 3.5500 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 48-WFQFN Exponiertes Pad | TB67S149 | Power MOSFET | 4,75 V ~ 5,25 V. | 48-wqfn (7x7) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (2) | 3a | 10 V ~ 40 V | Unipolar | - - - | 1 ~ 1/32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DF33, LM | - - - | | 5204 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR3DF | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF33 | 5,5 v | Uhben | SMV | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 65 µA | 78 µA | Aktivieren | Positiv | 300 ma | 3.3 v | - - - | 1 | 0,25 V @ 300 mA | 70 dB (1 kHz) | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DF30, LM | 0,4000 | | 54 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR3DF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF30 | 5,5 v | Uhben | SMV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 65 µA | 78 µA | Aktivieren | Positiv | 300 ma | 3v | - - - | 1 | 0,27 V @ 300 mA | 70 dB (1 kHz) | Überstrom Übertemperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR5BM11A, L3F | 0,4900 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR5BM | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-xdfn exponiert Pad | TCR5BM11 | 5,5 v | Uhben | 5-DFNB (1,2x1,2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | 36 µA | Aktuelle Grenze, Aktivieren | Positiv | 500 mA | 1.1V | - - - | 1 | 0,14 V @ 500 mA | 98 dB (1KHz) | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EF18, LM (CT | 0,3300 | | 59 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR2ef | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF18 | 5,5 v | Uhben | SMV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,8 v | - - - | 1 | 0,31 V @ 150 mA | 73 dB (1 kHz) | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TAR5S50TE85LF | 0,4400 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TAR5S50 | 15 v | Uhben | SMV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 850 µA | Ein/Aus | Positiv | 200 ma | 5v | - - - | 1 | 0,2 V @ 50 Ma | 70 dB (1 kHz) | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB9045FNG-150, EL | 11.4387 | | 4995 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Stromversorgung, Automobilanwendungen | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,240 ", 6,10 mm Breit Feiliegender-Pad | TB9045 | - - - | 48-HTSSOP | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | 264-TB9045FNG-150LTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | 3 | 6v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA58L06S, HY-ATQ (m | - - - | | 8673 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C. | K. Loch | To-220-3 Full Pack | TA58L06 | 29V | Uhben | To-220nis | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 Ma | 50 ma | - - - | Positiv | 250 Ma | 6v | - - - | 1 | 0,4 V @ 200 Ma | - - - | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TAR5S33TE85LF | 0,1496 | | 1444 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TAR5S33 | 15 v | Uhben | SMV | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 850 µA | Ein/Aus | Positiv | 200 ma | 3.3 v | - - - | 1 | 0,2 V @ 50 Ma | 70 dB (1 kHz) | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA58L12S (FJTN, AQ) | - - - | | 5632 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C. | K. Loch | To-220-3 Full Pack | TA58L12 | 29V | Uhben | To-220nis | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1,2 Ma | 50 ma | - - - | Positiv | 250 Ma | 12V | - - - | 1 | 0,4 V @ 200 Ma | - - - | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCV7104FN (TE85L, F) | - - - | | 3500 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | TCV71 | 5,5 v | Einstellbar | PS-8 (2,9x2,4) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Abfahre | 1 | Bock | 1,5 MHz | Positiv | Ja | 2a | 0,8 v | 5,5 v | 2,7 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb6569ftg, 8, el | 1.0846 | | 7459 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 32-vfqfn exponiert pad | TB6569 | Bi-CMOs | 10 V ~ 45 V | 32-vqfn (5x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel, pwm | Halbbrücke (2) | 4a | 10 V ~ 45 V | - - - | Gebürstet DC | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCK22913g, LF | 0,5100 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 6-UFBGA, WLCSP | Letztes | TCK22913 | Nicht Invertierend | P-Kanal | 1: 1 | 6-WCSPE (0,80 x 1,2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | Nicht Erforderlich | Ein/Aus | 1 | Übertemperatur, Rückstrom, Uvlo | HOHE SETE | 31mohm | 1,1 V ~ 5,5 V. | Allgemein Zweck | 2a | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62214AFNG, C8, EL | 2.8600 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,240 ", 6,10 mm Breit Feiliegender-Pad | TB62214 | DMOs | 4,75 V ~ 5,25 V. | 48-HTSSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 2a | 10 V ~ 38 V | Bipolar | - - - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tb6585ftg, 8, el | 1.9179 | | 5030 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | TB6585 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Tb6585ftg8el | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EE14, LM (CT | 0,0680 | | 3997 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr2ee | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-553 | Tcr2ee14 | 5,5 v | Uhben | ESV | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,4 v | - - - | 1 | 0,42 V @ 150 mA | 73 dB (1 kHz) | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA78L012AP, F (j | - - - | | 9256 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | TA78L012 | 35 V | Uhben | Lstm | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 Ma | - - - | Positiv | 150 Ma | 12V | - - - | 1 | 1,7 V @ 40 mA (Typ) | 41 dB (120 Hz) | Über Strom | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCK22893G, LF | 0,1643 | | 7539 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 6-UFBGA, WLCSP | Letztes | TCK22893 | Nicht Invertierend | P-Kanal | 1: 1 | 6-WCSPE (0,80 x 1,2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | Nicht Erforderlich | Ein/Aus | 1 | Strombegrenzung (Fest) Übertemperatur | HOHE SETE | 31mohm | 1,4 V ~ 5,5 V. | Allgemein Zweck | 1.11a | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA7291FG (o, el) | - - - | | 6661 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 75 ° C (TA) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 16-BSOP (0,252 ", 6,40 mm Breit) + 2 Wärmelaschen | TA7291 | Bipolar | 4,5 V ~ 20V | 16-hsop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.500 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (2) | 400 ma | 0V ~ 20V | - - - | Gebürstet DC | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LF18, LM (CT | 0,3900 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR2LF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TCR2LF18 | 5,5 v | Uhben | SMV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,8 v | - - - | 1 | 0,62 V @ 150 mA | - - - | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA76432S, T6WNLF (j | - - - | | 3650 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | TA76432 | - - - | - - - | - - - | - - - | Lstm | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA76L431S, T6Q (j | - - - | | 7237 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | TA76L431 | - - - | - - - | - - - | - - - | Lstm | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EE135, LM (CT | 0,3300 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr2ee | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-553 | Tcr2eee135 | 5,5 v | Uhben | ESV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,35 V. | - - - | 1 | 0,47 V @ 150 mA | 73 dB (1 kHz) | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB62218AFTG, C8, EL | 1.3710 | | 2927 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 48-VFQFN Exponiertes Pad | TB62218 | DMOs | 4,75 V ~ 5,25 V. | 48-QFN (7x7) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 2a | 10 V ~ 38 V | Bipolar | - - - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB6674FAG, 8, El | 2.8900 | | 2279 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 75 ° C (TA) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 16-LSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | TB6674 | Power MOSFET | 4,5 V ~ 5,5 V. | 16-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 100 ma | 2,7 V ~ 22V | Bipolar | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TA58L05S, Alpsaq (m | - - - | | 4393 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C. | K. Loch | To-220-3 Full Pack | TA58L05 | 29V | Uhben | To-220nis | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 Ma | 50 ma | - - - | Positiv | 250 Ma | 5v | - - - | 1 | 0,4 V @ 200 Ma | - - - | Überstrom Übertemperatur |
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