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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Anwendungen | Montageart | Paket/Koffer | Typ | Merkmale | Basisproduktnummer | Eingabetyp | Frequenz | Technologie | Spannung – Eingang | Spannung – Eingang (max.) | Ausgabetyp | Verhältnis - Eingabe:Ausgabe | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Funktion | Strom – Ausgang/Kanal | Spannung – Versorgung (Vcc/Vdd) | Schnittstelle | Anzahl der Ausgänge | Strom – Ruhezustand (Iq) | Strom – Versorgung (max.) | Interner Schalter | Topologie | Frequenz - Umschalten | Fehlerschutz | Steuerfunktionen | Spannung – Versorgung (max.) | Ausgabekonfiguration | Synchrongleichrichter | Erfassungsmethode | Genauigkeit | Strom – Ausgang | Rds On (Typ) | Spannung – Zuletzt | Motortyp: Schrittmotor | Motortyp – Wechselstrom, Gleichstrom | Schrittauflösung | Dimmen | Spannung – Versorgung (Min.) | Spannung – Ausgang | Schaltertyp | Strom - Ausgang (Max) | Spannung – Ausgang (Min./Fest) | Spannung – Ausgang (max.) | Spannung – Eingang (Min.) | Anzahl der Regulierungsbehörden | Spannungsabfall (max.) | PSRR | Schutzfunktionen |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TCR2EE40,LM(CT | 0,3700 | ![]() | 428 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | TCR2EE | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | SOT-553 | TCR2EE40 | 5,5V | Behoben | ESV | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Aktivieren | Positiv | 200mA | 4V | - | 1 | 0,2 V bei 150 mA | 73 dB (1 kHz) | Überstrom | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58L05S,ALPSAQ(J | - | ![]() | 2040 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | -40 °C ~ 105 °C | Durchgangsloch | TO-220-3 Komplettpaket | TA58L05 | 29V | Behoben | TO-220NIS | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1mA | 50mA | - | Positiv | 250mA | 5V | - | 1 | 0,4 V bei 200 mA | - | Überstrom, Übertemperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2DG31,LF | 0,1445 | ![]() | 8069 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | TCR2DG | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 4-UFBGA, WLCSP | TCR2DG31 | 5,5V | Behoben | 4-WCSP (0,79 x 0,79) | herunterladen | ROHS3-konform | TCR2DG31LF | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | - | Positiv | 200mA | 3,1 V | - | 1 | 0,11 V bei 100 mA | - | Einschaltstrom, Überstrom, thermische Abschaltung | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB62214AFG,C8,EL | 1.3071 | ![]() | 3937 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -20°C ~ 150°C (TJ) | Allgemeiner Zweck | Oberflächenmontage | 28-BSOP (0,346", 8,80 mm Breite) + 2 Heizlaschen | TB62214 | DMOS | 4,75 V ~ 5,25 V | 28-HSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | EAR99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 2A | 10V ~ 38V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB62214AFNG,C8,EL | 2.8600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -20°C ~ 150°C (TJ) | Allgemeiner Zweck | Oberflächenmontage | 48-TFSOP (0,240", 6,10 mm Breite) freiliegendes Pad | TB62214 | DMOS | 4,75 V ~ 5,25 V | 48-HTSSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 2A | 10V ~ 38V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCK108AG,LF | 0,4800 | ![]() | 24 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 4-UFBGA, WLCSP | Lastentladung, Anstiegsgeschwindigkeit gesteuert | TCK108 | Nicht invertierend | P-Kanal | 1:1 | 4-WCSPD (0,79 x 0,79) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5.000 | Nicht erforderlich | Ein/Aus | 1 | - | Hohe Seite | 34mOhm | 1,1 V ~ 5,5 V | Allgemeiner Zweck | 1A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB67H303HG | 8.3300 | ![]() | 306 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Rohr | Aktiv | -30°C ~ 85°C (TA) | Allgemeiner Zweck | Durchgangsloch | 25-SIP-geformte Leitungen | TB67H303 | Leistungs-MOSFET | 8V ~ 42V | 25-HZIP | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | TB67H303HG(O) | EAR99 | 8542.39.0001 | 17 | Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe | Parallel, PWM | Halbbrücke (2) | 8A | 8V ~ 42V | - | Gebürsteter DC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCV7108FN(TE85L,F) | - | ![]() | 1774 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 125°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SMD, Flachanschluss | TCV71 | 5,6 V | Einstellbar | PS-8 (2,9x2,4) | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Rücktritt | 1 | Bock | 1,5 MHz | Positiv | Ja | 2A | 0,8V | 5,6 V | 2,7V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB9044AFNG,EL | 11.2332 | ![]() | 6472 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40 °C ~ 125 °C | Stromversorgung, Automobilanwendungen | Oberflächenmontage | 48-TFSOP (0,240", 6,10 mm Breite) freiliegendes Pad | TB9044 | - | 48-HTSSOP | herunterladen | 3 (168 Stunden) | 264-TB9044AFNGELTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.000 | 2 | 6V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC78H651FNG(O,EL) | 1.5300 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40 °C ~ 105 °C | Allgemeiner Zweck | Oberflächenmontage | 16-TSSOP (0,173", 4,40 mm Breite) | TC78H651 | DMOS | - | 16-TSSOP | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe | - | Halbbrücke (4) | 1,5A | 1,8 V ~ 6 V | - | Gebürsteter DC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC62D776CFNAG,CEBH | - | ![]() | 9002 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C | LED-Beleuchtung | Oberflächenmontage | 24-SSOP (0,154", 3,90 mm Breite) | Linear | - | 24-SSOP | herunterladen | 1 | 90mA | 1 | NEIN | Schieberegister | 5,5V | NEIN | 3V | 17V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC78H630FNG,EL | 1.5800 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -30°C ~ 85°C (TA) | Allgemeiner Zweck | Oberflächenmontage | 16-TSSOP (0,173", 4,40 mm Breite) | TC78H630 | DMOS | 2,7 V ~ 5,5 V | 16-TSSOP | herunterladen | ROHS3-konform | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Treiber | PWM | Vortreiber – Halbbrücke | 2.1A | 2,5 V ~ 15 V | Bipolar | Gebürsteter DC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC62D776CFG,EL | - | ![]() | 1759 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | - | Oberflächenmontage | 24-SOP (0,236", 6,00 mm Breite) | Linear | TC62D776 | - | 24-SSOP | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.000 | 90mA | 16 | Ja | Schieberegister | 5,5V | - | 3V | 17V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB67S149FTG,EL | 3.5500 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -20°C ~ 85°C (TA) | Allgemeiner Zweck | Oberflächenmontage | 48-WFQFN freiliegendes Pad | TB67S149 | Leistungs-MOSFET | 4,75 V ~ 5,25 V | 48-WQFN (7x7) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (2) | 3A | 10V ~ 40V | Unipolar | - | 1 ~ 1/32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58L05S,LS2TOKQ(J | - | ![]() | 3958 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | -40 °C ~ 105 °C | Durchgangsloch | TO-220-3 Komplettpaket | TA58L05 | 29V | Behoben | TO-220NIS | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1mA | 50mA | - | Positiv | 250mA | 5V | - | 1 | 0,4 V bei 200 mA | - | Überstrom, Übertemperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TB9045FNG-110,EL | 11.4387 | ![]() | 8581 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40 °C ~ 125 °C | Stromversorgung, Automobilanwendungen | Oberflächenmontage | 48-TFSOP (0,240", 6,10 mm Breite) freiliegendes Pad | TB9045 | - | 48-HTSSOP | herunterladen | 3 (168 Stunden) | 264-TB9045FNG-110ELTR | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.000 | 3 | 6V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3UM175A,LF(SE | 0,4700 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 4-UDFN freiliegendes Pad | 5,5V | Behoben | 4-DFN (1x1) | - | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 680 nA | Strombegrenzung, Aktivieren | Positiv | 300mA | 1,75 V | - | 1 | 0,573 V bei 300 mA | - | Überstrom, Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LF30,LM(CT | 0,3900 | ![]() | 18 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | TCR2LF | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TJ) | Oberflächenmontage | SC-74A, SOT-753 | TCR2LF30 | 5,5V | Behoben | SMV | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200mA | 3V | - | 1 | 0,3 V bei 150 mA | - | Überstrom | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB9051FTG,EL | 8.3300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Automobil | Oberflächenmontage | 28-PowerQFN | TB9051 | Bi-CMOS | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-QFN (6x6) | herunterladen | RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe | PWM | Halbbrücke (2) | 6A | - | - | Gebürsteter DC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCK304G,LF | 1.1500 | ![]() | 447 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 9-UFBGA, WLCSP | Anstiegsgeschwindigkeit gesteuert, Statusflag | TCK304 | - | N-Kanal | 1:1 | 9-WCSP (1,5x1,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5.000 | Nicht erforderlich | Ein/Aus | 1 | Übertemperatur, Überspannung, Rückstrom, U | Hohe Seite | 73mOhm | 2,3 V ~ 28 V | Allgemeiner Zweck | 3A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TB62209FG,EL | - | ![]() | 4905 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 150°C (TJ) | Allgemeiner Zweck | Oberflächenmontage | 36-BSSOP (0,346", 8,80 mm Breite) + 2 Wärmelaschen | TB62209 | DMOS | 4,5 V ~ 5,5 V | 36-HSOP | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 1,5A | 13V ~ 34V | Bipolar | - | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DM15,LF(SE | 0,4800 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 4-UDFN freiliegendes Pad | 5,5V | Behoben | 4-DFN (1x1) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10.000 | Aktivieren | Positiv | 300mA | 1,5V | - | 1 | 0,45 V bei 300 mA | - | Überstrom, Übertemperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TA58L06S,HY-ATQ(M | - | ![]() | 8673 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Schüttgut | Veraltet | -40 °C ~ 105 °C | Durchgangsloch | TO-220-3 Komplettpaket | TA58L06 | 29V | Behoben | TO-220NIS | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 1mA | 50mA | - | Positiv | 250mA | 6V | - | 1 | 0,4 V bei 200 mA | - | Überstrom, Übertemperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR2LN25,LF | - | ![]() | 5281 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | TCR2LN | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-XFDFN freiliegendes Pad | TCR2LN25 | 5,5V | Behoben | 4-SDFN (0,8 x 0,8) | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200mA | 2,5V | - | 1 | 0,36 V bei 150 mA | - | Überstrom | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3RM12A,LF | 0,4600 | ![]() | 164 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | TCR3RM | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 4-XDFN freiliegendes Pad | TCR3RM12 | 5,5V | Behoben | 4-DFNC (1x1) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10.000 | - | Positiv | 300mA | 1,2V | - | 1 | 0,13 V bei 300 mA | 100 dB (1 kHz) | Überstrom, Übertemperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DM28,LF | 0,0926 | ![]() | 9748 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | TCR3DM | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 4-UDFN freiliegendes Pad | TCR3DM28 | 5,5V | Behoben | 4-DFN (1x1) | herunterladen | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 65 µA | 78 µA | Aktivieren | Positiv | 300mA | 2,8V | - | 1 | 0,25 V bei 300 mA | 70 dB (1 kHz) | Überstrom, Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCKE800NL,RF | 1.5200 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 10-WFDFN freiliegendes Pad | TCKE800 | 4,4 V ~ 18 V | 10-WSONB (3x3) | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Elektronische Sicherung | - | - | 5A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TAR5S16U(TE85L,F) | 0,6000 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 6-SMD (5 Anschlüsse), Flachanschluss | TAR5S16 | 15V | Behoben | UFV | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 850 µA | Aktivieren | Positiv | 200mA | 1,6V | - | 1 | - | 70 dB (1 kHz) | Überstrom, Übertemperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR5BM18A,L3F | 0,4900 | ![]() | 9468 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | TCR5BM | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 4-XDFN freiliegendes Pad | 5,5V | Behoben | 5-DFNB (1,2x1,2) | herunterladen | ROHS3-konform | EAR99 | 8542.39.0001 | 5.000 | 36 µA | Strombegrenzung, Aktivieren | Positiv | 500mA | 1,8V | - | 1 | 0,21 V bei 500 mA | 98 dB (1 kHz) | Überstrom, Übertemperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TCR3DG31,LF | 0,1054 | ![]() | 1144 | 0,00000000 | Toshiba Semiconductor und Storage | TCR3DG | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C | Oberflächenmontage | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR3DG31 | 5,5V | Behoben | 4-WCSPE (0,65 x 0,65) | - | RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | EAR99 | 8542.39.0001 | 5.000 | Aktivieren | Positiv | 300mA | 3,1 V | - | 1 | 0,235 V bei 300 mA | 70 dB (1 kHz) | Einschaltstrom, Überstrom, Übertemperatur |

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