SIC
close
Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Betriebstemperatur Anwendungen Montageart Paket/Koffer Typ Merkmale Basisproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Spannung – Eingang Spannung – Eingang (max.) Ausgabetyp Verhältnis - Eingabe:Ausgabe Spannung - Versorgung Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Funktion Strom – Ausgang/Kanal Spannung – Versorgung (Vcc/Vdd) Schnittstelle Anzahl der Ausgänge Strom – Ruhezustand (Iq) Strom – Versorgung (max.) Interner Schalter Topologie Frequenz - Umschalten Fehlerschutz Steuerfunktionen Spannung – Versorgung (max.) Ausgabekonfiguration Synchrongleichrichter Erfassungsmethode Genauigkeit Strom – Ausgang Rds On (Typ) Spannung – Zuletzt Motortyp: Schrittmotor Motortyp – Wechselstrom, Gleichstrom Schrittauflösung Dimmen Spannung – Versorgung (Min.) Spannung – Ausgang Schaltertyp Strom - Ausgang (Max) Spannung – Ausgang (Min./Fest) Spannung – Ausgang (max.) Spannung – Eingang (Min.) Anzahl der Regulierungsbehörden Spannungsabfall (max.) PSRR Schutzfunktionen
TCR2EE40,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE40,LM(CT 0,3700
Anfrage
ECAD 428 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2EE Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SOT-553 TCR2EE40 5,5V Behoben ESV herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Aktivieren Positiv 200mA 4V - 1 0,2 V bei 150 mA 73 dB (1 kHz) Überstrom
TA58L05S,ALPSAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S,ALPSAQ(J -
Anfrage
ECAD 2040 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40 °C ~ 105 °C Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TA58L05 29V Behoben TO-220NIS herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 1mA 50mA - Positiv 250mA 5V - 1 0,4 V bei 200 mA - Überstrom, Übertemperatur
TCR2DG31,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG31,LF 0,1445
Anfrage
ECAD 8069 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2DG Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-UFBGA, WLCSP TCR2DG31 5,5V Behoben 4-WCSP (0,79 x 0,79) herunterladen ROHS3-konform TCR2DG31LF EAR99 8542.39.0001 3.000 70 µA - Positiv 200mA 3,1 V - 1 0,11 V bei 100 mA - Einschaltstrom, Überstrom, thermische Abschaltung
TB62214AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFG,C8,EL 1.3071
Anfrage
ECAD 3937 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -20°C ~ 150°C (TJ) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 28-BSOP (0,346", 8,80 mm Breite) + 2 Heizlaschen TB62214 DMOS 4,75 V ~ 5,25 V 28-HSOP herunterladen ROHS3-konform 3 (168 Stunden) EAR99 8542.39.0001 2.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (4) 2A 10V ~ 38V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
TB62214AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFNG,C8,EL 2.8600
Anfrage
ECAD 3 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -20°C ~ 150°C (TJ) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 48-TFSOP (0,240", 6,10 mm Breite) freiliegendes Pad TB62214 DMOS 4,75 V ~ 5,25 V 48-HTSSOP herunterladen ROHS3-konform 3 (168 Stunden) EAR99 8542.39.0001 1.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (4) 2A 10V ~ 38V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
TCK108AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK108AG,LF 0,4800
Anfrage
ECAD 24 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 4-UFBGA, WLCSP Lastentladung, Anstiegsgeschwindigkeit gesteuert TCK108 Nicht invertierend P-Kanal 1:1 4-WCSPD (0,79 x 0,79) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 Nicht erforderlich Ein/Aus 1 - Hohe Seite 34mOhm 1,1 V ~ 5,5 V Allgemeiner Zweck 1A
TB67H303HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67H303HG 8.3300
Anfrage
ECAD 306 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Rohr Aktiv -30°C ~ 85°C (TA) Allgemeiner Zweck Durchgangsloch 25-SIP-geformte Leitungen TB67H303 Leistungs-MOSFET 8V ~ 42V 25-HZIP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) TB67H303HG(O) EAR99 8542.39.0001 17 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel, PWM Halbbrücke (2) 8A 8V ~ 42V - Gebürsteter DC -
TCV7108FN(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7108FN(TE85L,F) -
Anfrage
ECAD 1774 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 125°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SMD, Flachanschluss TCV71 5,6 V Einstellbar PS-8 (2,9x2,4) herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 Rücktritt 1 Bock 1,5 MHz Positiv Ja 2A 0,8V 5,6 V 2,7V
TB9044AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9044AFNG,EL 11.2332
Anfrage
ECAD 6472 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage Automobil, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Aktiv -40 °C ~ 125 °C Stromversorgung, Automobilanwendungen Oberflächenmontage 48-TFSOP (0,240", 6,10 mm Breite) freiliegendes Pad TB9044 - 48-HTSSOP herunterladen 3 (168 Stunden) 264-TB9044AFNGELTR EAR99 8542.39.0001 1.000 2 6V
TC78H651FNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651FNG(O,EL) 1.5300
Anfrage
ECAD 6 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40 °C ~ 105 °C Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 16-TSSOP (0,173", 4,40 mm Breite) TC78H651 DMOS - 16-TSSOP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe - Halbbrücke (4) 1,5A 1,8 V ~ 6 V - Gebürsteter DC -
TC62D776CFNAG,CEBH Toshiba Semiconductor and Storage TC62D776CFNAG,CEBH -
Anfrage
ECAD 9002 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Aktiv -40°C ~ 85°C LED-Beleuchtung Oberflächenmontage 24-SSOP (0,154", 3,90 mm Breite) Linear - 24-SSOP herunterladen 1 90mA 1 NEIN Schieberegister 5,5V NEIN 3V 17V
TC78H630FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H630FNG,EL 1.5800
Anfrage
ECAD 25 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -30°C ~ 85°C (TA) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 16-TSSOP (0,173", 4,40 mm Breite) TC78H630 DMOS 2,7 V ~ 5,5 V 16-TSSOP herunterladen ROHS3-konform EAR99 8542.39.0001 4.000 Treiber PWM Vortreiber – Halbbrücke 2.1A 2,5 V ~ 15 V Bipolar Gebürsteter DC -
TC62D776CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D776CFG,EL -
Anfrage
ECAD 1759 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C (TA) - Oberflächenmontage 24-SOP (0,236", 6,00 mm Breite) Linear TC62D776 - 24-SSOP herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1.000 90mA 16 Ja Schieberegister 5,5V - 3V 17V
TB67S149FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149FTG,EL 3.5500
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -20°C ~ 85°C (TA) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 48-WFQFN freiliegendes Pad TB67S149 Leistungs-MOSFET 4,75 V ~ 5,25 V 48-WQFN (7x7) herunterladen ROHS3-konform 3 (168 Stunden) EAR99 8542.39.0001 4.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (2) 3A 10V ~ 40V Unipolar - 1 ~ 1/32
TA58L05S,LS2TOKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S,LS2TOKQ(J -
Anfrage
ECAD 3958 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40 °C ~ 105 °C Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TA58L05 29V Behoben TO-220NIS herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 1mA 50mA - Positiv 250mA 5V - 1 0,4 V bei 200 mA - Überstrom, Übertemperatur
TB9045FNG-110,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9045FNG-110,EL 11.4387
Anfrage
ECAD 8581 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage Automobil, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Aktiv -40 °C ~ 125 °C Stromversorgung, Automobilanwendungen Oberflächenmontage 48-TFSOP (0,240", 6,10 mm Breite) freiliegendes Pad TB9045 - 48-HTSSOP herunterladen 3 (168 Stunden) 264-TB9045FNG-110ELTR EAR99 8542.39.0001 1.000 3 6V
TCR3UM175A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM175A,LF(SE 0,4700
Anfrage
ECAD 20 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-UDFN freiliegendes Pad 5,5V Behoben 4-DFN (1x1) - ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 680 nA Strombegrenzung, Aktivieren Positiv 300mA 1,75 V - 1 0,573 V bei 300 mA - Überstrom, Übertemperatur
TCR2LF30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF30,LM(CT 0,3900
Anfrage
ECAD 18 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2LF Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 TCR2LF30 5,5V Behoben SMV herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 3V - 1 0,3 V bei 150 mA - Überstrom
TB9051FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9051FTG,EL 8.3300
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage Automobil, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 125°C (TA) Automobil Oberflächenmontage 28-PowerQFN TB9051 Bi-CMOS 4,5 V ~ 5,5 V 28-QFN (6x6) herunterladen RoHS-konform 3 (168 Stunden) EAR99 8542.39.0001 3.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe PWM Halbbrücke (2) 6A - - Gebürsteter DC -
TCK304G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK304G,LF 1.1500
Anfrage
ECAD 447 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 9-UFBGA, WLCSP Anstiegsgeschwindigkeit gesteuert, Statusflag TCK304 - N-Kanal 1:1 9-WCSP (1,5x1,5) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 Nicht erforderlich Ein/Aus 1 Übertemperatur, Überspannung, Rückstrom, U Hohe Seite 73mOhm 2,3 V ~ 28 V Allgemeiner Zweck 3A
TB62209FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62209FG,EL -
Anfrage
ECAD 4905 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 150°C (TJ) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 36-BSSOP (0,346", 8,80 mm Breite) + 2 Wärmelaschen TB62209 DMOS 4,5 V ~ 5,5 V 36-HSOP herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (4) 1,5A 13V ~ 34V Bipolar - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16
TCR3DM15,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM15,LF(SE 0,4800
Anfrage
ECAD 9 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-UDFN freiliegendes Pad 5,5V Behoben 4-DFN (1x1) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 Aktivieren Positiv 300mA 1,5V - 1 0,45 V bei 300 mA - Überstrom, Übertemperatur
TA58L06S,HY-ATQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L06S,HY-ATQ(M -
Anfrage
ECAD 8673 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40 °C ~ 105 °C Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TA58L06 29V Behoben TO-220NIS herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 1mA 50mA - Positiv 250mA 6V - 1 0,4 V bei 200 mA - Überstrom, Übertemperatur
TCR2LN25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN25,LF -
Anfrage
ECAD 5281 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2LN Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage 4-XFDFN freiliegendes Pad TCR2LN25 5,5V Behoben 4-SDFN (0,8 x 0,8) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 2,5V - 1 0,36 V bei 150 mA - Überstrom
TCR3RM12A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM12A,LF 0,4600
Anfrage
ECAD 164 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR3RM Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XDFN freiliegendes Pad TCR3RM12 5,5V Behoben 4-DFNC (1x1) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 - Positiv 300mA 1,2V - 1 0,13 V bei 300 mA 100 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TCR3DM28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM28,LF 0,0926
Anfrage
ECAD 9748 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR3DM Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-UDFN freiliegendes Pad TCR3DM28 5,5V Behoben 4-DFN (1x1) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 65 µA 78 µA Aktivieren Positiv 300mA 2,8V - 1 0,25 V bei 300 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TCKE800NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE800NL,RF 1.5200
Anfrage
ECAD 7 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 10-WFDFN freiliegendes Pad TCKE800 4,4 V ~ 18 V 10-WSONB (3x3) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 Elektronische Sicherung - - 5A
TAR5S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S16U(TE85L,F) 0,6000
Anfrage
ECAD 22 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 6-SMD (5 Anschlüsse), Flachanschluss TAR5S16 15V Behoben UFV herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 850 µA Aktivieren Positiv 200mA 1,6V - 1 - 70 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TCR5BM18A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM18A,L3F 0,4900
Anfrage
ECAD 9468 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR5BM Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XDFN freiliegendes Pad 5,5V Behoben 5-DFNB (1,2x1,2) herunterladen ROHS3-konform EAR99 8542.39.0001 5.000 36 µA Strombegrenzung, Aktivieren Positiv 500mA 1,8V - 1 0,21 V bei 500 mA 98 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TCR3DG31,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG31,LF 0,1054
Anfrage
ECAD 1144 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR3DG Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XFBGA, CSPBGA TCR3DG31 5,5V Behoben 4-WCSPE (0,65 x 0,65) - RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 Aktivieren Positiv 300mA 3,1 V - 1 0,235 V bei 300 mA 70 dB (1 kHz) Einschaltstrom, Überstrom, Übertemperatur
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lager vorrätig