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Power Management (PMIC) (1138)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Merkmale | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Frequenz | Technologie | Strom - Verroriert | Spannung - Eingang (max) | Ausgangstyp | Verhöltnis - Eingang: Ausgang | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Fungion | Strom - Ausgang / Kanal | Spannung - Verorgung (VCC/VDD) | Schnittstelle | Anzahl der Ausgänge | Strom - ruhe (IQ) | Strom - Verrorane (max) | Interne Schalter (en) | Topologie | Fehmlerschutz | Steuerfunktionen | Spannung - Verrorane (max) | AUSGABEKONfiguration | Strom - Ausgabe | RDS AUF (Typ) | Spannung - zuletzt | Motortyp - Stepper | Motortyp - AC, DC | Schrittlösung | Dimm | Spannung - Verrorane (min) | Spannung - Ausgang | Schaltertyp | Strom - Ausgang (max) | Spannung - Ausgang (Min/Fest) | Spannung - Ausgang (max) | Anzahl der Regulierungsbehörden | Spannungsabfall (max) | PSRR | SchutzmerkMale |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Tcr2en12, lf (se | 0,3800 |  | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-xfdfn exponiert Pad | 5,5 v | Uhben | 4-SDFN (0,8 x 0,8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 60 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,2 v | - - - | 1 | 0,55 V @ 150 mA | - - - | Über Strom | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tcr3um08a, lf (se | 0,4700 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-udfn exponiert pad | 5,5 v | Uhben | 4-DFN (1x1) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 580 na | Aktuelle Grenze, Aktivieren | Positiv | 300 ma | 0,8 v | - - - | 1 | 1,257v @ 300 mA | 70 dB (1 kHz) | Überstrom Übertemperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3RM12A, LF | 0,4600 | | 164 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr3rm | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-xdfn exponiert Pad | TCR3RM12 | 5,5 v | Uhben | 4-DFNC (1x1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | - - - | Positiv | 300 ma | 1,2 v | - - - | 1 | 0,13 V @ 300 mA | 1 kHz (100 dB) | Überstrom Übertemperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC62D776CFNAG, CEBH | - - - | | 9002 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | LED -Beleiltung | Oberflächenhalterung | 24-SSOP (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Linear | - - - | 24-SSOP | Herunterladen | 1 | 90 Ma | 1 | NEIN | Schichtregister | 5,5 v | NEIN | 3v | 17V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LF36, LM (CT | 0,3900 | | 29 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR2LF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TCR2LF36 | 5,5 v | Uhben | SMV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 3.6 V | - - - | 1 | 0,3 V @ 150 mA | - - - | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA58M12F (TE16L1, NQ | - - - | | 6818 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | TA58M12 | 29V | Uhben | Pw-mold | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | 1,2 Ma | 80 Ma | - - - | Positiv | 500 mA | 12V | - - - | 1 | 0,65 V @ 500 mA | - - - | Überstrom, über Temperatur, Umgekehrte Polarität | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TC62D749CFNAG, C, EB | - - - | | 4382 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | TC62D749 | - - - | ROHS -KONFORM | TC62D749CFNAGCEB | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62802AFG, 8, El | 2.6700 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 60 ° C. | CCD -TRIBER | Oberflächenhalterung | 16-BSOP (0,252 ", 6,40 mm Breit) + 2 Wärmelaschen | TB62802 | - - - | 4,7 V ~ 5,5 V. | 16-hsop | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2DG34, LF | 0,1394 | | 5469 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR2DG | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Ufbga, WLCSP | 5,5 v | Uhben | 4-WCSP (0,79 x 0,79) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 70 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 3.4 v | - - - | 1 | 0,11 V @ 100 mA | - - - | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB6560AHQ, 8 | 7.2800 | | 45 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Allgemein Zweck | K. Loch | 25-ssip gebildete Leads | TB6560 | Power MOSFET | 4,5 V ~ 5,5 V. | 25-hzip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 14 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 3a | 4,5 V ~ 34 V | Bipolar | - - - | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LE105, LM (CT | 0,3900 | | 125 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR2LE | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-553 | TCR2LE105 | 5,5 v | Uhben | ESV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,05 v | - - - | 1 | 1,4 V @ 150 mA | - - - | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR4DG25, LF | 0,1357 | | 2767 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR4DG | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, CSPBGA | TCR4DG25 | 5,5 v | Uhben | 4-WCSPE (0,65 x 0,65) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | Aktivieren | Positiv | 420 Ma | 2,5 v | - - - | 1 | 0,347V @ 420 Ma | 70 dB (1 kHz) | Überstrom, über Temperatur, Kurzschluss | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb6561fg, 8, el | 3.5800 | | 2288 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 30-BSOP (0,295 ", 7,50 mm Breit) | TB6561 | Bi-CMOs | 10 V ~ 36 V | 30-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | PWM | Halbbrücke (4) | 1,5a | 10 V ~ 36 V | - - - | Gebürstet DC | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TAR5S50UTE85LF | 0,5400 | | 26 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd (5 Leitungen), Flache Blei | TAR5S50 | 15 v | Uhben | UFV | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 850 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 5v | - - - | 1 | 0,2 V @ 50 Ma | 70 dB (1 kHz) | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC62D748CFG (O, EL) | - - - | | 3869 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 0,236 ", 6,00 mm Breit) | Linear | TC62D748 | - - - | 24-SSOP | - - - | 264-TC62D748CFG (OEL) TR | 1 | 90 Ma | 16 | NEIN | Schichtregister | 5,5 v | NEIN | 3v | 17V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK305G, LF | 0,4644 | | 6337 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCK30 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 9-UFBGA, WLCSP | SLW -RATE Kontrollierert, StatusFlagge | TCK305 | - - - | N-Kanal | 1: 1 | 9-WCSP (1,5x1,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | Nicht Erforderlich | Ein/Aus | 1 | Übertemperatur, über Spannung, Rückstrom, Uvlo | HOHE SETE | 73mohm | 2,3 V ~ 28 V | Allgemein Zweck | 3a | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62384APG | 1,9000 | | 777 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | - - - | TBD62384 | Invertieren | N-Kanal | 1: 1 | 18-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 800 | 4,5 V ~ 5,5 V. | Ein/Aus | 8 | - - - | Niedrige Site | 1,5 Ohm | 0V ~ 50 V | Allgemein Zweck | 400 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S105ftg, El | 1.6439 | | 6356 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 48-WFQFN Exponiertes Pad | TB67S105 | Power MOSFET | 4,75 V ~ 5,25 V. | 48-wqfn (7x7) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel, Seriell | Halbbrücke (4) | 2.4a | 10 V ~ 40 V | Bipolar | - - - | 1, 1/2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3RM18A, LF (SE | 0,4600 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr3rm | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-xdfn exponiert Pad | TCR3RM18 | 5,5 v | Uhben | 4-DFNC (1x1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 12 µA | Aktuelle Grenze, Aktivieren | Positiv | 300 ma | 1,8 v | - - - | 1 | 0,22 V @ 300 mA | - - - | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||
| KIA78L05BP | - - - | | 3403 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | * | Schüttgut | Aktiv | Kia78 | - - - | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2EF31, LM | - - - | | 9546 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR2ef | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TCR2EF31 | 5,5 v | Uhben | SMV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 60 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 3.1V | - - - | 1 | 0,2 V @ 150 mA | 73 dB (1 kHz) | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB62213AFNG, C8, EL | 1.8025 | | 8305 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,240 ", 6,10 mm Breit Feiliegender-Pad | TB62213 | Power MOSFET | 4,75 V ~ 5,25 V. | 48-HTSSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 2.4a | 10 V ~ 38 V | Bipolar | - - - | 1, 1/2, 1/4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LN27, LF (SE | 0,3800 | | 6 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr2ln | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-xfdfn exponiert Pad | 5,5 v | Uhben | 4-SDFN (0,8 x 0,8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 2,7 v | - - - | 1 | 0,36 V @ 150 mA | - - - | Über Strom | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK108AG, LF | 0,4800 | | 24 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 4-Ufbga, WLCSP | Lastentladung, SchwindelgesChwindigeit Kontrollierert | TCK108 | Nicht Invertierend | P-Kanal | 1: 1 | 4-WCSPD (0,79 x 0,79) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | Nicht Erforderlich | Ein/Aus | 1 | - - - | HOHE SETE | 34mo | 1,1 V ~ 5,5 V. | Allgemein Zweck | 1a | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Tb6640ftg, el | 2.8900 | | 3540 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 48-WFQFN Exponiertes Pad | TB6640 | DMOs | 3 V ~ 5,5 V. | 48-wqfn (7x7) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | PWM | Halbbrücke (2) | 1a | 4,5 V ~ 38 V. | Bipolar | Bürstenloser DC (Bldc) | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tb6559fg, 8, el | 1.9800 | | 5714 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 16-BSOP (0,252 ", 6,40 mm Breit) + 2 Wärmelaschen | TB6559 | NMOS, PMOS | 10 V ~ 30 V | 16-hsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.500 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (2) | 1a | 10 V ~ 30 V | - - - | Gebürstet DC | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DF25, LM (CT | 0,3800 | | 8549 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR3DF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TCR3DF25 | 5,5 v | Uhben | SMV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 65 µA | 78 µA | Aktivieren | Positiv | 300 ma | 2,5 v | - - - | 1 | 0,31 V @ 300 mA | 70 dB (1 kHz) | Überstrom Übertemperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LN15, LF | - - - | | 7538 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr2ln | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-xfdfn exponiert Pad | TCR2LN15 | 5,5 v | Uhben | 4-SDFN (0,8 x 0,8) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,5 v | - - - | 1 | 1.11v @ 150 mA | - - - | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LE285, LM (CT | 0,3900 | | 923 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR2LE | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-553 | TCR2LE285 | 5,5 v | Uhben | ESV | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 2,85 v | - - - | 1 | 0,38 V @ 150 mA | - - - | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LF30, LM (CT | 0,3900 | | 18 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR2LF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TCR2LF30 | 5,5 v | Uhben | SMV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 3v | - - - | 1 | 0,3 V @ 150 mA | - - - | Über Strom |
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