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Energieverwaltung (PMIC)(1138)

Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Toleranz Betriebstemperatur Anwendungen Montageart Paket/Koffer Typ Merkmale Basisproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Strom – Versorgung Spannung – Eingang Spannung – Eingang (max.) Ausgabetyp Temperaturkoeffizient Verhältnis - Eingabe:Ausgabe Spannung - Versorgung Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Funktion Strom – Ausgang/Kanal Referenztyp Spannung – Versorgung (Vcc/Vdd) Schnittstelle Anzahl der Ausgänge Strom – Ruhezustand (Iq) Strom – Versorgung (max.) Interner Schalter Topologie Fehlerschutz Steuerfunktionen Spannung – Versorgung (max.) Ausgabekonfiguration Strom – Ausgang Rds On (Typ) Spannung – Zuletzt Motortyp: Schrittmotor Motortyp – Wechselstrom, Gleichstrom Schrittauflösung Dimmen Spannung – Versorgung (Min.) Spannung – Ausgang Schaltertyp Strom - Ausgang (Max) Spannung – Ausgang (Min./Fest) Rauschen – 0,1 Hz bis 10 Hz Rauschen – 10 Hz bis 10 kHz Spannung – Ausgang (max.) Anzahl der Regulierungsbehörden Spannungsabfall (max.) PSRR Schutzfunktionen
TB6605FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6605FTG,EL 2.8700
Anfrage
 ECAD 7876 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -30°C ~ 85°C (TA) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 36-VFQFN freiliegendes Pad TB6605 Bi-CMOS 9V ~ 28V 36-VQFN (5x5) herunterladen ROHS3-konform 3 (168 Stunden) EAR99 8542.39.0001 2.000 Controller – Kommutierung, Richtungsmanagement Parallel Vortreiber – Halbbrücke (3) - - - Bürstenloser Gleichstrom (BLDC) -
TCR2LE12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE12,LM(CT 0,4100
Anfrage
 ECAD 1177 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR2LE Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-553 TCR2LE12 5,5V Behoben ESV herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 1,2V - 1 1,25 V bei 150 mA - Überstrom
TCK22925G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22925G,LF 0,1675
Anfrage
 ECAD 2028 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 6-UFBGA, WLCSP Lastentladung, Anstiegsgeschwindigkeit gesteuert TCK22925 Nicht invertierend P-Kanal 1:1 6-WCSPE (0,80 x 1,2) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 Nicht erforderlich Ein/Aus 1 Rückstrom Hohe Seite 25mOhm 1,1 V ~ 5,5 V Allgemeiner Zweck 2A
TB62777FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62777FNG,C8,EL 1.5200
Anfrage
 ECAD 38 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) - Oberflächenmontage 16-LSSOP (0,173", 4,40 mm Breite) Linear TB62777 - 16-SSOP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.000 40mA 8 Ja Schieberegister 5,5V - 3V 25V
TB62216FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FTG,8,EL -
Anfrage
 ECAD 1553 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Schnittband (CT) Veraltet - Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 48-VFQFN freiliegendes Pad TB62216 Leistungs-MOSFET 40 V (maximal) 48-QFN (7x7) herunterladen 3 (168 Stunden) EAR99 8542.39.0001 2.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe PWM Halbbrücke (4) 2,5A - - Gebürsteter DC -
TCR3DF30,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF30,LM(CT 0,4200
Anfrage
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR3DF Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 TCR3DF30 5,5V Behoben SMV herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 65 µA 78 µA Aktivieren Positiv 300mA 3V - 1 0,27 V bei 300 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TCR3DM30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM30,LF 0,0926
Anfrage
 ECAD 2827 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR3DM Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-UDFN freiliegendes Pad TCR3DM30 5,5V Behoben 4-DFN (1x1) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 65 µA 78 µA Aktivieren Positiv 300mA 3V - 1 0,25 V bei 300 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TCR3UF19A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF19A,LM(CT 0,4100
Anfrage
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR3UF Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 TCR3UF19 5,5V Behoben SMV - ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) 264-TCR3UF19ALM(TR EAR99 8542.39.0001 3.000 680 nA Aktivieren Positiv 300mA 1,9V - 1 0,464 V bei 300 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TB62208FTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FTG,C8,EL 2.9200
Anfrage
 ECAD 6044 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -20°C ~ 150°C (TJ) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 48-VFQFN freiliegendes Pad TB62208 DMOS 4,5 V ~ 5,5 V 48-QFN (7x7) herunterladen ROHS3-konform 3 (168 Stunden) EAR99 8542.39.0001 2.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (4) 1,8A 10V ~ 38V Bipolar - 1, 1/2
TCR2DG24,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG24,LF 0,1394
Anfrage
 ECAD 3967 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR2DG Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-UFBGA, WLCSP 5,5V Behoben 4-WCSP (0,79 x 0,79) herunterladen ROHS3-konform EAR99 8542.39.0001 3.000 70 µA Aktivieren Positiv 200mA 2,4 V - 1 0,13 V bei 100 mA - Überstrom, Übertemperatur
TCR2EE33,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE33,LM(CT 0,3700
Anfrage
 ECAD 5 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR2EE Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SOT-553 TCR2EE33 5,5V Behoben ESV herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Aktivieren Positiv 200mA 3,3 V - 1 0,2 V bei 150 mA 73 dB (1 kHz) Überstrom
TA78L005AP,6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP,6KEHF(M -
Anfrage
 ECAD 6572 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Schüttgut Veraltet -30°C ~ 85°C Durchgangsloch TO-226-3, TO-92-3 Langkörper TA78L005 35V Behoben LSTM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 6mA - Positiv 150mA 5V - 1 1,7 V bei 40 mA (typisch) 49 dB (120 Hz) -
TBD62783AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783AFNG,EL 1.6700
Anfrage
 ECAD 3320 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 18-LSSOP (0,173", 4,40 mm Breite) - TBD62783 Nicht invertierend P-Kanal 1:1 18-SSOP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.000 Nicht erforderlich Ein/Aus 8 - Hohe Seite - 50 V (maximal) Allgemeiner Zweck 500mA
TBD62381AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62381AFNG,EL 1.7100
Anfrage
 ECAD 9992 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 18-LSSOP (0,173", 4,40 mm Breite) - TBD62381 - N-Kanal 1:1 18-SSOP herunterladen ROHS3-konform EAR99 8542.39.0001 2.000 4,5 V ~ 5,5 V Ein/Aus 8 - Niedrige Seite 1Ohm 0V ~ 50V Allgemeiner Zweck 500mA
TA76431AS,T6MURF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS,T6MURF(J -
Anfrage
 ECAD 3539 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Schüttgut Veraltet - -40°C ~ 85°C Durchgangsloch TO-226-3, TO-92-3 Langkörper TA76431 - - - - LSTM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TB67S279FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S279FTG,EL 3.8200
Anfrage
 ECAD 7 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -20°C ~ 85°C (TA) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 48-VFQFN freiliegendes Pad TB67S279 Leistungs-MOSFET 4,75 V ~ 5,25 V 48-VQFN (7x7) herunterladen ROHS3-konform 3 (168 Stunden) EAR99 8542.39.0001 4.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (4) 2A 10V ~ 47V Bipolar - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
TB6643KQ,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6643KQ,8 4.5000
Anfrage
 ECAD 171 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Rohr Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Allgemeiner Zweck Durchgangsloch 7-SIP-exponierte Registerkarte TB6643 Bi-CMOS 10V ~ 45V 7-HSIP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 25 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (2) 1,5A 10V ~ 45V - Gebürsteter DC -
TCR3DF295,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF295,LM(CT 0,4900
Anfrage
 ECAD 8 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR3DF Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 TCR3DF295 5,5V Behoben SMV herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 Aktivieren Positiv 300mA 2,95 V - 1 0,27 V bei 300 mA 70 dB (1 kHz) Einschaltstrom, Überstrom, Übertemperatur
TCR2EF285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF285,LM(CT 0,0618
Anfrage
 ECAD 3299 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR2EF Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 TCR2EF285 5,5V Behoben SMV herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 60 µA Aktivieren Positiv 200mA 2,85 V - 1 0,23 V bei 150 mA 73 dB (1 kHz) Überstrom
TCR2EN35,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN35,LF(SE 0,3800
Anfrage
 ECAD 7 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XFDFN freiliegendes Pad 5,5V Behoben 4-SDFN (0,8 x 0,8) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 60 µA Aktivieren Positiv 200mA 3,5V - 1 0,18 V bei 150 mA - Überstrom
TBD62783AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783AFWG,EL 1.1000
Anfrage
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 18-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) - TBD62783 Nicht invertierend P-Kanal 1:1 18-SOP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1.000 Nicht erforderlich Ein/Aus 8 - Hohe Seite - 50 V (maximal) Allgemeiner Zweck 500mA
TB67S249FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S249FTG,EL 5.4600
Anfrage
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -20°C ~ 85°C (TA) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 48-VFQFN freiliegendes Pad TB67S249 Leistungs-MOSFET 4,75 V ~ 5,25 V 48-VQFN (7x7) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (8) 4,5A 10V ~ 47V Bipolar - 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32
TCK22974G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22974G,LF 0,5500
Anfrage
 ECAD 5271 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 6-UFBGA, WLCSP Anstiegsgeschwindigkeit gesteuert TCK22974 Nicht invertierend P-Kanal 1:1 6-WCSPE (0,80 x 1,2) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 Nicht erforderlich Ein/Aus 1 Rückstrom Hohe Seite 25mOhm 1,1 V ~ 5,5 V Allgemeiner Zweck 2A
TCR5AM065,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM065,LF 0,1344
Anfrage
 ECAD 4827 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR5AM Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage 4-XDFN freiliegendes Pad TCR5AM065 5,5V Behoben 5-DFNB (1,2x1,2) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 55 µA 68 µA Aktivieren Positiv 500mA 0,65 V - 1 0,2 V bei 500 mA 70 dB ~ 40 dB (1 kHz ~ 10 Hz) Überstrom-, Übertemperatur- und Unterspannungssperre
TCR3DG36,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG36,LF 0,3900
Anfrage
 ECAD 8412 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR3DG Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XFBGA, CSPBGA 5,5V Behoben 4-WCSPE (0,65 x 0,65) herunterladen ROHS3-konform EAR99 8542.39.0001 5.000 Aktivieren Positiv 300mA 3,6V - 1 0,185 V bei 300 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TCR2LN19,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN19,LF -
Anfrage
 ECAD 5768 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR2LN Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XFDFN freiliegendes Pad TCR2LN19 5,5V Behoben 4-SDFN (0,8 x 0,8) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 1,9V - 1 0,6 V bei 150 mA - Überstrom
TB6562AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6562AFG,8,EL 3.2200
Anfrage
 ECAD 1755 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -20°C ~ 85°C (TA) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 30-BSOP (0,295", 7,50 mm Breite) TB6562 DMOS 10V ~ 34V 30-SSOP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (4) 1,5A 10V ~ 34V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
TB62763FMG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62763FMG,8,EL 0,5047
Anfrage
 ECAD 8580 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Hintergrundbeleuchtung Oberflächenmontage 8-SMD, flaches, freiliegendes Pad DC-DC-Regler TB62763 200 kHz ~ 2 MHz 8-SON (2,9x2,8) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 80mA 1 Ja Step-Up (Boost) 5,5V - 2,8V -
TB67S141FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S141FTG,EL 3.1800
Anfrage
 ECAD 7 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -20°C ~ 85°C (TA) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 48-WFQFN freiliegendes Pad TB67S141 Leistungs-MOSFET 4,75 V ~ 5,25 V 48-WQFN (7x7) herunterladen ROHS3-konform 3 (168 Stunden) EAR99 8542.39.0001 4.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (2) 3A 10V ~ 40V Unipolar - 1, 1/2, 1/4
TCK105G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK105G,LF -
Anfrage
 ECAD 1267 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 6-UFBGA, WLCSP Lastentladung, Anstiegsgeschwindigkeit gesteuert TCK105 Nicht invertierend P-Kanal 1:1 6-WCSPB (0,80x1,2) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 Nicht erforderlich Ein/Aus 1 Strombegrenzung (fest), Übertemperatur Hohe Seite 50 mOhm 1,1 V ~ 5,5 V Allgemeiner Zweck 1,2A
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

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    Weltweite Hersteller

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Freiliegendes Pad

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