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Energieverwaltung (PMIC)(1138)

Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Toleranz Betriebstemperatur Anwendungen Montageart Paket/Koffer Typ Merkmale Basisproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Strom – Versorgung Spannung – Eingang Spannung – Eingang (max.) Ausgabetyp Temperaturkoeffizient Verhältnis - Eingabe:Ausgabe Spannung - Versorgung Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Funktion Strom – Ausgang/Kanal Referenztyp Spannung – Versorgung (Vcc/Vdd) Schnittstelle Anzahl der Ausgänge Strom – Ruhezustand (Iq) Strom – Versorgung (max.) Interner Schalter Topologie Fehlerschutz Steuerfunktionen Spannung – Versorgung (max.) Ausgabekonfiguration Strom – Ausgang Rds On (Typ) Spannung – Zuletzt Motortyp: Schrittmotor Motortyp – Wechselstrom, Gleichstrom Schrittauflösung Dimmen Spannung – Versorgung (Min.) Spannung – Ausgang Schaltertyp Strom - Ausgang (Max) Spannung – Ausgang (Min./Fest) Rauschen – 0,1 Hz bis 10 Hz Rauschen – 10 Hz bis 10 kHz Spannung – Ausgang (max.) Anzahl der Regulierungsbehörden Spannungsabfall (max.) PSRR Schutzfunktionen
TA58L08S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L08S(FJTN,AQ) -
Anfrage
 ECAD 8759 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Schüttgut Veraltet -40 °C ~ 105 °C Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TA58L08 29V Behoben TO-220NIS herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 1mA 50mA - Positiv 250mA 8V - 1 0,4 V bei 200 mA - Überstrom, Übertemperatur
TCR3DM135,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM135,LF(SE 0,4800
Anfrage
 ECAD 19 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-UDFN freiliegendes Pad 5,5V Behoben 4-DFN (1x1) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 Aktivieren Positiv 300mA 1,35 V - 1 0,52 V bei 300 mA - Überstrom, Übertemperatur
TC62D723FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D723FNG,C,EL 3.4300
Anfrage
 ECAD 5211 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) - Oberflächenmontage 24-TSSOP (0,173 Zoll, 4,40 mm Breite) freiliegendes Pad Linear TC62D723 - 24-HTSSOP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.000 90mA 16 Ja Schieberegister 5,5V - 3V 17V
TCR2EF125,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF125,LM(CT 0,0618
Anfrage
 ECAD 2335 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR2EF Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 5,5V Behoben SMV herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 60 µA Aktivieren Positiv 200mA 1,25 V - 1 0,57 V bei 150 mA 73 dB (1 kHz) Überstrom
TB67H401FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H401FTG,EL 4.7800
Anfrage
 ECAD 4 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -20°C ~ 85°C (TA) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 48-VFQFN freiliegendes Pad TB67H401 NMOS, PMOS 4,75 V ~ 5,25 V 48-VQFN (7x7) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe PWM Halbbrücke (4) 6A 10V ~ 47V Bipolar Gebürsteter DC -
TAR5S45UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S45UTE85LF 0,1804
Anfrage
 ECAD 1889 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 6-SMD (5 Anschlüsse), Flachanschluss TAR5S45 15V Behoben UFV herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 850 µA Aktivieren Positiv 200mA 4,5V - 1 0,2 V bei 50 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TCR2LF09,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF09,LM(CT 0,3800
Anfrage
 ECAD 1 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR2LF Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 TCR2LF09 5,5V Behoben SMV herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 0,9V - 1 1,48 V bei 150 mA - Überstrom
TC62D776CFNAG(CEBH Toshiba Semiconductor and Storage TC62D776CFNAG(CEBH -
Anfrage
 ECAD 8331 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 85°C LED-Beleuchtung Oberflächenmontage 24-SSOP (0,154", 3,90 mm Breite) Linear TC62D776 - 24-SSOP - 264-TC62D776CFNAG(CEBH VERALTET 1 90mA 1 NEIN Schieberegister 5,5V NEIN 3V 17V
TA76432S,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S,T6MURAF(J -
Anfrage
 ECAD 8998 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Schüttgut Veraltet - -40°C ~ 85°C Durchgangsloch TO-226-3, TO-92-3 Langkörper TA76432 - - - - LSTM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 - - - -
TCR2LE28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE28,LM(CT 0,4000
Anfrage
 ECAD 23 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR2LE Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-553 TCR2LE28 5,5V Behoben ESV herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 2,8V - 1 0,38 V bei 150 mA - Überstrom
TCK101G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK101G,LF 0,2235
Anfrage
 ECAD 7725 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Oberflächenmontage 6-UFBGA Lastentladung, Anstiegsgeschwindigkeit gesteuert TCK101 Nicht invertierend P-Kanal 1:1 6-BGA herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 Nicht erforderlich Ein/Aus 1 Übertemperatur Hohe Seite 50 mOhm 1,1 V ~ 5,5 V Allgemeiner Zweck 1A
TB6549FG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB6549FG(O,EL) -
Anfrage
 ECAD 1126 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -20°C ~ 85°C (TA) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 20-BSOP (0,346", 8,80 mm Breite) + 2 Heizlaschen TB6549 Bi-CMOS 10V ~ 27V 20-HSOP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe PWM, Seriell Halbbrücke (2) 3,5A 10V ~ 27V - Gebürsteter DC -
TB62206FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62206FG,EL -
Anfrage
 ECAD 3729 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 150°C (TJ) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 20-BSOP (0,346", 8,80 mm Breite) + 2 Heizlaschen TB62206 DMOS 4,5 V ~ 5,5 V 20-HSOP herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (4) 1,5A 13V ~ 35V Bipolar - 1, 1/2
TCR3UG50B,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG50B,LF 0,4700
Anfrage
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR3UG Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage 4-XFBGA, WLCSP TCR3UG50 5,5V Behoben 4-WCSP-F (0,65x0,65) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 680 nA Aktivieren Positiv 300mA 5V - 1 0,195 V bei 300 mA 70 dB (1 kHz) Einschaltstrom, Überstrom, thermische Abschaltung
TAR5S49(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S49(TE85L,F) 0,2076
Anfrage
 ECAD 6157 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 TAR5S49 15V Behoben SMV herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 850 µA EIN/AUS Positiv 200mA 4,9 V - 1 0,2 V bei 50 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TCR3UG1825A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG1825A,LF 0,1261
Anfrage
 ECAD 4531 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR3UG Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XFBGA, WLCSP 5,5V Behoben 4-WCSPF (0,65 x 0,65) herunterladen ROHS3-konform EAR99 8542.39.0001 5.000 0,68 µA Strombegrenzung, Aktivieren Positiv 300mA 1.825 V - 1 - 70 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TCR2LF28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF28,LM(CT 0,3800
Anfrage
 ECAD 9 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR2LF Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 TCR2LF28 5,5V Behoben SMV herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 2,8V - 1 0,38 V bei 150 mA - Überstrom
TB6586FG,C8,EL,HZ Toshiba Semiconductor and Storage TB6586FG,C8,EL,HZ 2.0600
Anfrage
 ECAD 23 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Aktiv -30°C ~ 115°C (TA) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 24-SOP (0,236", 6,00 mm Breite) TB6586 Bi-CMOS 6,5 V ~ 16,5 V 24-SSOP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.000 Controller – Kommutierung, Richtungsmanagement Parallel Vortreiber – Halbbrücke (3) - - - Bürstenloser Gleichstrom (BLDC) -
TB6674FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6674FG,8,EL 1.1201
Anfrage
 ECAD 8652 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Nicht für neue Designs -30°C ~ 75°C (TA) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 16-BSOP (0,252", 6,40 mm Breite) + 2 Heizlaschen TB6674 Leistungs-MOSFET 4,5 V ~ 5,5 V 16-HSOP herunterladen ROHS3-konform 3 (168 Stunden) EAR99 8542.39.0001 1.500 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (4) 350mA 2,7 V ~ 22 V Bipolar - -
TCR15AG09,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG09,LF 0,2294
Anfrage
 ECAD 7309 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR15AG Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage 6-XFBGA, WLCSP TCR15AG09 6V Behoben 6-WCSP (1,2x0,80) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 40 µA Aktivieren Positiv 1,5A 0,9V - 1 0,216 V bei 1,5 A 95 dB ~ 60 dB (1 kHz) Strombegrenzung, thermische Abschaltung, UVLO
TCR4S15WBG,LF(S Toshiba Semiconductor and Storage TCR4S15WBG,LF(S -
Anfrage
 ECAD 2048 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR4S Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-UFBGA, WLCSP TCR4S15 6V Behoben 4-WCSP (0,79 x 0,79) herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 75 µA Aktivieren Positiv 200mA 1,5V - 1 0,35 V bei 50 mA 80 dB (1 kHz) Überstrom
TB9045FNG-120,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9045FNG-120,EL 11.4387
Anfrage
 ECAD 1933 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher Automobil, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Aktiv -40 °C ~ 125 °C Stromversorgung, Automobilanwendungen Oberflächenmontage 48-TFSOP (0,240", 6,10 mm Breite) freiliegendes Pad TB9045 - 48-HTSSOP herunterladen 3 (168 Stunden) 264-TB9045FNG-120ELTR EAR99 8542.39.0001 1.000 3 6V
TCR2DG125,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG125,LF 0,1394
Anfrage
 ECAD 5324 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR2DG Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-UFBGA, WLCSP 5,5V Behoben 4-WCSP (0,79 x 0,79) herunterladen ROHS3-konform EAR99 8542.39.0001 3.000 70 µA Aktivieren Positiv 200mA 1,25 V - 1 0,75 V bei 100 mA - Überstrom, Übertemperatur
TCR15AG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG18,LF 0,6400
Anfrage
 ECAD 2510 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR15AG Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage 6-XFBGA, WLCSP TCR15AG18 6V Behoben 6-WCSP (1,2x0,80) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 40 µA Aktivieren Positiv 1,5A 1,8V - 1 0,648 V bei 1,5 A 95 dB ~ 60 dB (1 kHz) Strombegrenzung, thermische Abschaltung, UVLO
TA78DS12BP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS12BP,F(J -
Anfrage
 ECAD 9727 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 85°C Durchgangsloch TO-226-3, TO-92-3 Langkörper TA78DS 33V Behoben LSTM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 1,5mA 1,5mA - Positiv 30mA 12V - 1 0,3 V bei 10 mA - Überstrom, Übertemperatur, Überspannung, Tran
TCR2DG35,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG35,LF 0,1394
Anfrage
 ECAD 6151 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR2DG Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-UFBGA, WLCSP 5,5V Behoben 4-WCSP (0,79 x 0,79) herunterladen ROHS3-konform EAR99 8542.39.0001 3.000 70 µA Aktivieren Positiv 200mA 3,5V - 1 0,11 V bei 100 mA - Überstrom, Übertemperatur
TCR2EE20,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE20,LM(CT 0,3700
Anfrage
 ECAD 800 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR2EE Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SOT-553 TCR2EE20 5,5V Behoben ESV herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Aktivieren Positiv 200mA 2V - 1 0,31 V bei 150 mA 73 dB (1 kHz) Überstrom
TCR3UF30A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF30A,LM(CT 0,4100
Anfrage
 ECAD 2099 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR3UF Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 TCR3UF30 5,5V Behoben SMV - ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 680 nA Aktivieren Positiv 300mA 3V - 1 0,287 V bei 300 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TA48S015AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S015AF(T6L1,Q) 1.1100
Anfrage
 ECAD 4 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher - Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 150°C Oberflächenmontage TO-252-6, DPak (5 Anschlüsse + Tab) TA48S015 16V Behoben 5-HSIP herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.000 1,7mA 20mA Aktivieren Positiv 1A 1,5V - 1 1,9 V bei 1 A (typisch) 67 dB (120 Hz) Überstrom, Übertemperatur
TCR2LN18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN18,LF -
Anfrage
 ECAD 9762 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Speicher TCR2LN Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage 4-XFDFN freiliegendes Pad TCR2LN18 5,5V Behoben 4-SDFN (0,8 x 0,8) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 1,8V - 1 0,6 V bei 150 mA - Überstrom
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  • Standard Product Unit

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Freiliegendes Pad

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