SIC
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Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Betriebstemperatur Anwendungen Montageart Paket/Koffer Typ Merkmale Basisproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Spannung – Eingang (max.) Ausgabetyp Verhältnis - Eingabe:Ausgabe Spannung - Versorgung Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket Funktion Strom – Ausgang/Kanal Spannung – Versorgung (Vcc/Vdd) Schnittstelle Anzahl der Ausgänge Strom – Ruhezustand (Iq) Strom – Versorgung (max.) Interner Schalter Topologie Frequenz - Umschalten Fehlerschutz Steuerfunktionen Spannung – Versorgung (max.) Ausgabekonfiguration Synchrongleichrichter Strom – Ausgang Rds On (Typ) Spannung – Zuletzt Motortyp: Schrittmotor Motortyp – Wechselstrom, Gleichstrom Schrittauflösung Dimmen Spannung – Versorgung (Min.) Spannung – Ausgang Schaltertyp Strom - Ausgang (Max) Spannung – Ausgang (Min./Fest) Spannung – Ausgang (max.) Spannung – Eingang (Min.) Anzahl der Regulierungsbehörden Spannungsabfall (max.) PSRR Schutzfunktionen
TB67H410FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H410FTG,EL 1.2515
Anfrage
ECAD 8734 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -20°C ~ 150°C (TJ) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 48-WFQFN freiliegendes Pad TB67H410 BiCDMOS 4,75 V ~ 5,25 V 48-WQFN (7x7) herunterladen ROHS3-konform 3 (168 Stunden) EAR99 8542.39.0001 4.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel, PWM Halbbrücke (4) 5A 10V ~ 47V - Gebürsteter DC -
TB62747AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFG,EL -
Anfrage
ECAD 1895 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C (TA) - Oberflächenmontage 24-SOP (0,236", 6,00 mm Breite) Linear TB62747 - 24-SSOP herunterladen 3 (168 Stunden) EAR99 8542.39.0001 2.000 45mA 16 Ja Schieberegister 5,5V - 3V 26V
TAR5SB33(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5SB33(TE85L,F) 0,4600
Anfrage
ECAD 8980 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SC-74A, SOT-753 TAR5SB33 15V Behoben SMV herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 850 µA Aktivieren Positiv 200mA 3,3 V - 1 0,2 V bei 50 mA 70 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TA4808BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA4808BF(T6L1,NQ) 0,8200
Anfrage
ECAD 19 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 150°C Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 TA4808 16V Behoben PW-FORM - RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.000 1,7mA 20mA - Positiv 1A 8V - 1 0,69 V bei 1 A (typisch) 56 dB (120 Hz) Überstrom, Übertemperatur
TCR3RM09A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM09A,LF -
Anfrage
ECAD 5897 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR3RM Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XDFN freiliegendes Pad TCR3RM09 5,5V Behoben 4-DFNC (1x1) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 - Positiv 300mA 0,9V - 1 0,13 V bei 300 mA 100 dB (1 kHz) Überstrom, Übertemperatur
TCR2LE095,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE095,LM(CT 0,0742
Anfrage
ECAD 7130 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2LE Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-553 5,5V Behoben ESV herunterladen ROHS3-konform EAR99 8542.39.0001 4.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 0,95 V - 1 1,48 V bei 150 mA - Überstrom
TA78DS10BP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS10BP,F(J -
Anfrage
ECAD 3616 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40°C ~ 85°C Durchgangsloch TO-226-3, TO-92-3 Langkörper TA78DS 33V Behoben LSTM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 1,4mA 1,4mA - Positiv 30mA 10V - 1 0,3 V bei 10 mA - Überstrom, Übertemperatur, Überspannung, Tran
TCR3DM11,RF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM11,RF(SE 0,4800
Anfrage
ECAD 9 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-UDFN freiliegendes Pad 5,5V Behoben 4-DFN (1x1) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 Aktivieren Positiv 300mA 1,1 V - 1 0,65 V bei 300 mA - Überstrom, Übertemperatur
TCR2EE145,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE145,LM(CT 0,0680
Anfrage
ECAD 5542 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2EE Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage SOT-553 TCR2EE145 5,5V Behoben ESV herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 60 µA Aktivieren Positiv 200mA 1,45 V - 1 - 73 dB (1 kHz) Überstrom
TB62781FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62781FNG,C8,EL 1.9800
Anfrage
ECAD 7672 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) - Oberflächenmontage 20-LSSOP (0,173", 4,40 mm Breite) Linear TB62781 - 20-SSOP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.000 40mA 9 Ja - 5,5V - 3V 28V
TB7101AF(T5L1.2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF(T5L1.2,F) -
Anfrage
ECAD 8474 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 125°C (TJ) Oberflächenmontage 8-SMD, Flachanschluss TB7101 5,5V Behoben PS-8 (2,9x2,4) - 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.000 Rücktritt 1 Bock 1 MHz Positiv Ja 1A 1,2V - 2,7V
TA78L005AP(TORI,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP(TORI,FM -
Anfrage
ECAD 2935 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -30°C ~ 85°C Durchgangsloch TO-226-3, TO-92-3 Langkörper TA78L005 35V Behoben LSTM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 6mA - Positiv 150mA 5V - 1 1,7 V bei 40 mA (typisch) 49 dB (120 Hz) -
TB62747AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFG,C8,EL 1.2600
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) LED-Beleuchtung Oberflächenmontage 24-SOP (0,236", 6,00 mm Breite) Linear TB62747 - 24-SSOP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) 2.000 45mA 16 Ja Schieberegister 5,5V - 3V 26V
TCR2LN21,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN21,LF(SE 0,3800
Anfrage
ECAD 8 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2LN Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage 4-XFDFN freiliegendes Pad 5,5V Behoben 4-SDFN (0,8 x 0,8) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 2,1 V - 1 0,54 V bei 150 mA - Überstrom
TB62213AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFTG,8,EL -
Anfrage
ECAD 7252 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Veraltet -20°C ~ 150°C (TJ) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 48-VFQFN freiliegendes Pad TB62213 Leistungs-MOSFET 4,75 V ~ 5,25 V 48-QFN (7x7) herunterladen 3 (168 Stunden) EAR99 8542.39.0001 2.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (4) 2,4A 10V ~ 38V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
TC78S600FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S600FTG,EL 0,6963
Anfrage
ECAD 8401 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv TC78S600 herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000
TC62D749CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D749CFG,EL 0,4038
Anfrage
ECAD 1973 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) LED-Beleuchtung Oberflächenmontage 24-SOP (0,236", 6,00 mm Breite) Linear TC62D749 - 24-SSOP herunterladen ROHS3-konform 2.000 90mA 16 Ja Schieberegister 5,5V - 3V 17V
TCR1HF18B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR1HF18B,LM(CT 0,4800
Anfrage
ECAD 6805 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Aktiv - 3.000
TB6560AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AFTG,C8,EL 2.0549
Anfrage
ECAD 4373 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage * Tape & Reel (TR) Aktiv TB6560 herunterladen ROHS3-konform TB6560AFTGC8EL EAR99 8542.39.0001 2.000
TB67H450AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H450AFNG,EL 1.5300
Anfrage
ECAD 33 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TA) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 8-SOIC (0,154 Zoll, 3,90 mm Breite) freiliegendes Pad TB67H450 Leistungs-MOSFET 4,5 V ~ 44 V 8-HSOP - ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 3.500 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe - Halbbrücke 3A 4,5 V ~ 44 V Bipolar Gebürsteter DC -
TCR5AM085,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM085,LF 0,1344
Anfrage
ECAD 5661 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR5AM Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage 4-XDFN freiliegendes Pad TCR5AM085 5,5V Behoben 5-DFNB (1,2x1,2) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 5.000 55 µA 68 µA Aktivieren Positiv 500mA 0,85 V - 1 0,22 V bei 500 mA 70 dB ~ 40 dB (1 kHz ~ 10 Hz) Überstrom-, Übertemperatur- und Unterspannungssperre
TPD2017FN,L1F(S Toshiba Semiconductor and Storage TPD2017FN,L1F(S 4.4500
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 24-SOP (0,236", 6,00 mm Breite) - TPD2017 Nicht invertierend N-Kanal 1:1 24-SSOP herunterladen ROHS3-konform 3 (168 Stunden) EAR99 8542.39.0001 2.000 Nicht erforderlich Ein/Aus 8 Strombegrenzung (einstellbar), Übertemperatur Niedrige Seite 1Ohm 0,8V ~ 2V Relais, Magnettreiber 500mA
TB6634FNG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6634FNG,C,8,EL 1.6439
Anfrage
ECAD 4919 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -30°C ~ 115°C (TA) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 30-LSSOP (0,220", 5,60 mm Breite) TB6634 Bi-CMOS 6,5 V ~ 16,5 V 30-SSOP herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 2.000 Controller – Kommutierung, Richtungsmanagement Parallel Vortreiber – Halbbrücke (3) - - - Bürstenloser Gleichstrom (BLDC) -
TB67S102AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S102AFTG,EL 3.1400
Anfrage
ECAD 8 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -20°C ~ 150°C (TJ) Allgemeiner Zweck Oberflächenmontage 48-WFQFN freiliegendes Pad TB67S102 Leistungs-MOSFET 4,75 V ~ 5,25 V 48-WQFN (7x7) herunterladen ROHS3-konform 3 (168 Stunden) EAR99 8542.39.0001 4.000 Treiber – vollständig integriert, Steuerung und Leistungsstufe Parallel Halbbrücke (4) 3A 10V ~ 47V Bipolar - 1, 1/2, 1/4
TCR2LN08,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08,LF -
Anfrage
ECAD 7168 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2LN Tape & Reel (TR) Veraltet -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage 4-XFDFN freiliegendes Pad TCR2LN08 5,5V Behoben 4-SDFN (0,8 x 0,8) herunterladen RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 0,8V - 1 1,56 V bei 150 mA - Überstrom
TCR2EN31,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN31,LF(SE 0,3800
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C Oberflächenmontage 4-XFDFN freiliegendes Pad 5,5V Behoben 4-SDFN (0,8 x 0,8) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 60 µA Aktivieren Positiv 200mA 3,1 V - 1 0,18 V bei 150 mA - Überstrom
TCR2LN18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN18,LF(SE 0,3800
Anfrage
ECAD 11 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2LN Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage 4-XFDFN freiliegendes Pad 5,5V Behoben 4-SDFN (0,8 x 0,8) herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 10.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 1,8V - 1 0,6 V bei 150 mA - Überstrom
TA58M05S(BEF,LB180 Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S(BEF,LB180 -
Anfrage
ECAD 2225 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -40 °C ~ 105 °C Durchgangsloch TO-220-3 Komplettpaket TA58M05 29V Behoben TO-220NIS herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 1mA 80mA - Positiv 500µA 5V - 1 0,65 V bei 500 mA - Überstrom, Übertemperatur, Verpolung
TA78L015AP,6FNCF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP,6FNCF(J -
Anfrage
ECAD 4631 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage - Schüttgut Veraltet -30°C ~ 85°C Durchgangsloch TO-226-3, TO-92-3 Langkörper TA78L015 35V Behoben LSTM herunterladen 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 1 6,5mA - Positiv 150mA 15V - 1 1,7 V bei 40 mA (typisch) 40 dB (120 Hz) Überstrom, Übertemperatur
TCR2LE25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE25,LM(CT 0,4400
Anfrage
ECAD 7 0,00000000 Toshiba Semiconductor und Storage TCR2LE Tape & Reel (TR) Aktiv -40°C ~ 85°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-553 TCR2LE25 5,5V Behoben ESV herunterladen ROHS3-konform 1 (Unbegrenzt) EAR99 8542.39.0001 4.000 2 µA Aktivieren Positiv 200mA 2,5V - 1 0,38 V bei 150 mA - Überstrom
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lager vorrätig