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Power Management (PMIC) (1138)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Typ | Merkmale | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Frequenz | Technologie | Spannung - Eingang | Spannung - Eingang (max) | Ausgangstyp | Verhöltnis - Eingang: Ausgang | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Feuchtigitesempfindlich (MSL) | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Fungion | Strom - Ausgang / Kanal | Spannung - Verorgung (VCC/VDD) | Schnittstelle | Anzahl der Ausgänge | Strom - ruhe (IQ) | Strom - Verrorane (max) | Interne Schalter (en) | Topologie | Fehmlerschutz | Steuerfunktionen | Spannung - Verrorane (max) | AUSGABEKONfiguration | Strom - Ausgabe | RDS AUF (Typ) | Spannung - zuletzt | Motortyp - Stepper | Motortyp - AC, DC | Schrittlösung | Dimm | Spannung - Verrorane (min) | Spannung - Ausgang | Schaltertyp | Strom - Ausgang (max) | Spannung - Ausgang (Min/Fest) | Spannung - Ausgang (max) | Anzahl der Regulierungsbehörden | Spannungsabfall (max) | PSRR | SchutzmerkMale |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TB67H450AFNG, EL | 1.5300 |  | 33 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 8-Soikale (0,154 ", 3,90 mm Breit) Exponiertebad | TB67H450 | Power MOSFET | 4,5 V ~ 44 V | 8-hsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.500 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | - - - | Halbbrücke | 3a | 4,5 V ~ 44 V | Bipolar | Gebürstet DC | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA78DS12BP, F (j | - - - | | 9727 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | Ta78ds | 33V | Uhben | Lstm | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1,5 Ma | 1,5 Ma | - - - | Positiv | 30 ma | 12V | - - - | 1 | 0,3 V @ 10 mA | - - - | Überstrom, übertemperatur, überspannung, transiente spannung | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LF32, LM (CT | 0,0721 | | 2819 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR2LF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TCR2LF32 | 5,5 v | Uhben | SMV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 3.2 v | - - - | 1 | 0,3 V @ 150 mA | - - - | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62004APG | 1.1500 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | - - - | TBD62004 | Invertieren | N-Kanal | 1: 1 | 16-DIP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | TBD62004APG (Z, Hz) | Ear99 | 8542.39.0001 | 25 | Nicht Erforderlich | Ein/Aus | 7 | - - - | Niedrige Site | - - - | 50 V (max) | Allgemein Zweck | 500 mA | |||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3LM33A, RF | 0,3700 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr3lm | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-xfdfn exponiert Pad | 5,5 v | Uhben | 4-DFN (1x1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | 2,2 µA | Aktuelle Grenze, Aktivieren | Positiv | 300 ma | 3.3 v | - - - | 1 | 0,251V @ 200 mA | - - - | Überstrom Übertemperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB6551FG (O, El, Trocken) | - - - | | 4894 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 115 ° C (TA) | Lüftercontroller | Oberflächenhalterung | 0,236 ", 6,00 mm Breit) | TB6551 | Bi-CMOs | 6v ~ 10V | 24-SSOP | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.31.0001 | 2.000 | Controller - Kommutierung, Richtungsmanagement | Parallel | Vorfahrer - Halbbrücke (3) | - - - | - - - | - - - | Bürstenloser DC (Bldc) | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB9057fg | 11.0300 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Automobil | Oberflächenhalterung | 48-lqfp | TB9057 | Bi-CMOs | 5v ~ 21V | 48-LQFP (7x7) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.39.0001 | 250 | Treiber | PWM | Vorfahrer | - - - | - - - | Bipolar | Gebürstet DC | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB6549HQ (O) | - - - | | 5747 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Rohr | Veraltet | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Allgemein Zweck | K. Loch | 25-ssip gebildete Leads | TB6549 | Bi-CMOs | 10V ~ 27V | 25-hzip | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 500 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | PWM, Serie | Halbbrücke (2) | 4,5a | 10V ~ 27V | - - - | Gebürstet DC | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCK302G, LF | 0,4658 | | 2363 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCK30 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 9-UFBGA, WLCSP | SLW -RATE Kontrollierert, StatusFlagge | TCK302 | - - - | N-Kanal | 1: 1 | 9-WCSP (1,5x1,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | Nicht Erforderlich | Ein/Aus | 1 | Übertemperatur, über Spannung, Rückstrom, Uvlo | HOHE SETE | 73mohm | 2,3 V ~ 28 V | Allgemein Zweck | 3a | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tck105g, lf | - - - | | 1267 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 6-UFBGA, WLCSP | Lastentladung, SchwindelgesChwindigeit Kontrollierert | TCK105 | Nicht Invertierend | P-Kanal | 1: 1 | 6-WCSPB (0,80 x 1,2) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Nicht Erforderlich | Ein/Aus | 1 | Strombegrenzung (Fest) Übertemperatur | HOHE SETE | 50mohm | 1,1 V ~ 5,5 V. | Allgemein Zweck | 1.2a | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78DS10BP (6MB1, FM | - - - | | 6633 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | Ta78ds | 33V | Uhben | Lstm | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1,4 Ma | 1,4 Ma | - - - | Positiv | 30 ma | 10V | - - - | 1 | 0,3 V @ 10 mA | - - - | Überstrom, übertemperatur, überspannung, transiente spannung | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LN115, LF (SE | 0,3800 | | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr2ln | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-xfdfn exponiert Pad | 5,5 v | Uhben | 4-SDFN (0,8 x 0,8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,15 V | - - - | 1 | 1,28 V @ 150 mA | - - - | Über Strom | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Tcr2ln11, lf | - - - | | 2442 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr2ln | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-xfdfn exponiert Pad | TCR2LN11 | 5,5 v | Uhben | 4-SDFN (0,8 x 0,8) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1.1V | - - - | 1 | 1,28 V @ 150 mA | - - - | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Tb6552fng, c, 8, el | 1.5800 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 16-LSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | TB6552 | Power MOSFET | 2,7 V ~ 5,5 V. | 16-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.39.0001 | 2.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | PWM, Serie | Halbbrücke (4) | 800 mA | 2,5 V ~ 13,5 V. | - - - | Gebürstet DC | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TBD62381afwg, El | 1.6600 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 18-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) | - - - | TBD62381 | - - - | N-Kanal | 1: 1 | 18-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | 4,5 V ~ 5,5 V. | Ein/Aus | 8 | - - - | Niedrige Site | 1ohm | 0V ~ 50 V | Allgemein Zweck | 500 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR3DM36, LF | 0,0926 | | 8010 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr3dm | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-udfn exponiert pad | TCR3DM36 | 5,5 v | Uhben | 4-DFN (1x1) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 65 µA | 78 µA | Aktivieren | Positiv | 300 ma | 3.6 V | - - - | 1 | 0,2 V @ 300 mA | 70 dB (1 kHz) | Überstrom Übertemperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TB67S279ftg, El | 3.8200 | | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Allgemein Zweck | Oberflächenhalterung | 48-VFQFN Exponiertes Pad | TB67S279 | Power MOSFET | 4,75 V ~ 5,25 V. | 48-vqfn (7x7) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | Treiber - Vollständig Integrierter, Kontroll - und Leistungsstufe | Parallel | Halbbrücke (4) | 2a | 10V ~ 47V | Bipolar | - - - | 1, 1/2, 1/4, 1/8, 1/16, 1/32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3UM30A, LF (SE | 0,4700 | | 12 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-udfn exponiert pad | 5,5 v | Uhben | 4-DFN (1x1) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 680 na | Aktuelle Grenze, Aktivieren | Positiv | 300 ma | 3v | - - - | 1 | 0,273V @ 300 mA | - - - | Überstrom Übertemperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2LF11, LM (CT | 0,3800 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR2LF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TCR2LF11 | 5,5 v | Uhben | SMV | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1.1V | - - - | 1 | 1,3 V @ 150 mA | - - - | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TA78L018AP, T6F (m | - - - | | 1498 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C. | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 Langer Körper | TA78L018 | 40V | Uhben | Lstm | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 6.5 Ma | - - - | Positiv | 150 Ma | 18V | - - - | 1 | 1,7 V @ 40 mA (Typ) | 38 dB (120 Hz) | Über Strom | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR15AG09, LF | 0,2294 | | 7309 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR15AG | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-XFBGA, WLCSP | TCR15AG09 | 6v | Uhben | 6-WCSP (1,2x0,80) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | 40 µA | Aktivieren | Positiv | 1,5a | 0,9 v | - - - | 1 | 0,216 V @ 1,5a | 95 dB ~ 60 dB (1 kHz) | Strombegrenzung, Thermische Abschaltung, Uvlo | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TB62747AFG, C8, El | 1.2600 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | LED -Beleiltung | Oberflächenhalterung | 0,236 ", 6,00 mm Breit) | Linear | TB62747 | - - - | 24-SSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 2.000 | 45 ma | 16 | Ja | Schichtregister | 5,5 v | - - - | 3v | 26v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR5BM12A, L3F | 0,4900 | | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR5BM | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-xdfn exponiert Pad | TCR5BM12 | 5,5 v | Uhben | 5-DFNB (1,2x1,2) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | 36 µA | Aktuelle Grenze, Aktivieren | Positiv | 500 mA | 1,2 v | - - - | 1 | 0,15 V @ 500 mA | 98 dB (1KHz) | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TB9045FNG-125, El | 11.4387 | | 1424 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Stromversorgung, Automobilanwendungen | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,240 ", 6,10 mm Breit Feiliegender-Pad | TB9045 | - - - | 48-HTSSOP | Herunterladen | 3 (168 Stunden) | 264-TB9045FNG-125LTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | 3 | 6v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TA58L05S, APNQ (m | - - - | | 1977 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C. | K. Loch | To-220-3 Full Pack | TA58L05 | 29V | Uhben | To-220nis | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 1 Ma | 50 ma | - - - | Positiv | 250 Ma | 5v | - - - | 1 | 0,4 V @ 200 Ma | - - - | Überstrom Übertemperatur | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | TCR2EE28, LM (CT | 0,3700 | | 5527 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | Tcr2ee | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SOT-553 | Tcr2ee28 | 5,5 v | Uhben | ESV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 4.000 | 60 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 2,8 v | - - - | 1 | 0,23 V @ 150 mA | 73 dB (1 kHz) | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3DF36, LM (CT | 0,0906 | | 5767 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR3DF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | 5,5 v | Uhben | SMV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | Aktivieren | Positiv | 300 ma | 3.6 V | - - - | 1 | 0,22 V @ 300 mA | 70 dB (1 kHz) | Überstrom Übertemperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR3UM12A, LF (SE | 0,4700 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-udfn exponiert pad | 5,5 v | Uhben | 4-DFN (1x1) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 10.000 | 580 na | Aktuelle Grenze, Aktivieren | Positiv | 300 ma | 1,2 v | - - - | 1 | 0,857 V @ 300 mA | - - - | Überstrom Übertemperatur | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR2LF28, LM (CT | 0,3800 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR2LF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74A, SOT-753 | TCR2LF28 | 5,5 v | Uhben | SMV | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 2 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 2,8 v | - - - | 1 | 0,38 V @ 150 mA | - - - | Über Strom | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TCR4S15WBG, LF (s | - - - | | 2048 | 0.00000000 | Toshiba Semiconductor und Lagerung | TCR4S | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-Ufbga, WLCSP | TCR4S15 | 6v | Uhben | 4-WCSP (0,79 x 0,79) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 75 µA | Aktivieren | Positiv | 200 ma | 1,5 v | - - - | 1 | 0,35 V @ 50 Ma | 80 dB (1 kHz) | Über Strom |
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