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Erinnerung(54)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Spannung - Versorgung	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Taktfrequenz	Speichertyp	Speichergröße	Zugriffszeit	Speicherformat	Gedächtnisorganisation	Speicherschnittstelle	Schreibzykluszeit – Wort, Seite	SIC programmierbar
K6F2016U4E-EF70T	1.6000	Anfrage	2	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	-40°C ~ 85°C (TA)	Oberflächenmontage			SRAM – Asynchron	2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x7)	-				3277-K6F2016U4E-EF70TTR	EAR99	8542.32.0041	100		Flüchtig	2Mbit		SRAM	128K x 16	Parallel	70er Jahre	Nicht verifiziert
M5M5V108DFP-70H	2.0000	Anfrage	175	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Rohr	Veraltet	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage			SRAM – Asynchron	3V	32-SOP	-				3277-M5M5V108DFP-70H	EAR99	8542.32.0041	100		Flüchtig	1Mbit		SRAM	128K x 8	Parallel	70er Jahre	Nicht verifiziert
K6R1008C1D-TC10T00	1.5000	Anfrage	1	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage			SRAM – Asynchron	5V	32-TSOP II	-				3277-K6R1008C1D-TC10T00TR	EAR99	8542.32.0041	1.000		Flüchtig	1Mbit		SRAM	128K x 8	Parallel	10ns	Nicht verifiziert
K6E0808C1E-JC15T00	1.1000	Anfrage	6	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage			SRAM – Asynchron	5V	28-SOJ	-				3277-K6E0808C1E-JC15T00TR	EAR99	8542.32.0041	2.000		Flüchtig	256Kbit		SRAM	32K x 8	Parallel	15ns	Nicht verifiziert
K6R1008V1C-JC12T00	1.4000	Anfrage	45	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage			SRAM – Asynchron	3,3 V	32-SOJ	-				3277-K6R1008V1C-JC12T00TR	EAR99	8542.32.0041	1.000		Flüchtig	1Mbit		SRAM	128K x 8	Parallel	12ns	Nicht verifiziert
K6X4008C1F-MF55000	5.0000	Anfrage	336	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Tablett	Veraltet	-40°C ~ 85°C (TA)	Oberflächenmontage			SRAM – Asynchron	4,5 V ~ 5,5 V	32-TSOP RÜCKWÄRTS	-				3277-K6X4008C1F-MF55000	EAR99	8542.32.0041	200		Flüchtig	4Mbit		SRAM	512K x 8	Parallel	55ns	Nicht verifiziert
K4B4G1646E-BYK000	5.0000	Anfrage	1	Samsung Semiconductor, Inc.	*	Tablett	Aktiv								-	ROHS3-konform		Anbieter nicht definiert	3277-K4B4G1646E-BYK000			224
K4F8E304HB-MGCJ	6.5000	Anfrage	1	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Tablett	Aktiv								-	ROHS3-konform			3277-K4F8E304HB-MGCJ			128
K4S510432D-UC75T00	10.0000	Anfrage	18	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage	54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite)	K4S510432D	SDRAM	3V ~ 3,6V	54-TSOP II	herunterladen		3 (168 Stunden)	Anbieter nicht definiert	3277-K4S510432D-UC75T00TR	EAR99	8542.32.0028	100	133 MHz	Flüchtig	512Mbit	65 ns	DRAM	128M x 4	LVTTL	-
K6X0808C1D-GF55T	3.7500	Anfrage	1	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	-40°C ~ 85°C (TA)	Oberflächenmontage			SRAM – Asynchron	4,5 V ~ 5,5 V	28-SOP	-				3277-K6X0808C1D-GF55TTR	EAR99	8542.32.0041	250		Flüchtig	256Kbit		SRAM	32K x 8	Parallel	55ns	Nicht verifiziert
K6E0804C1E-JC15T00	1.2500	Anfrage	109	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage			SRAM – Asynchron	5V	28-SOJ	-				3277-K6E0804C1E-JC15T00TR	EAR99	8542.32.0041	1.000		Flüchtig	256Kbit		SRAM	64K x 4	Parallel	15ns	Nicht verifiziert
K6E0808C1E-JC15T00.	1.1000	Anfrage	124	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage			SRAM – Asynchron	5V	28-SOJ	-				3277-K6E0808C1E-JC15T00.TR	EAR99	8542.32.0041	2.000		Flüchtig	256Kbit		SRAM	32K x 8	Parallel	15ns	Nicht verifiziert
K4F6E3S4HM-MGCJ	11.0000	Anfrage	1	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Tablett	Aktiv								-	ROHS3-konform			3277-K4F6E3S4HM-MGCJ			1.280
K6E0808C1E-JC12	1.0000	Anfrage	4	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Rohr	Veraltet	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage			SRAM – Asynchron	5V	28-SOJ	-				3277-K6E0808C1E-JC12	EAR99	8542.32.0041	1.000		Flüchtig	256Kbit		SRAM	32K x 8	Parallel	12ns	Nicht verifiziert
K6X4008C1F-MF55	5.0000	Anfrage	3	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Tablett	Veraltet	-40°C ~ 85°C (TA)	Oberflächenmontage			SRAM – Asynchron	4,5 V ~ 5,5 V	32-TSOP RÜCKWÄRTS	-				3277-K6X4008C1F-MF55	EAR99	8542.32.0041	250		Flüchtig	4Mbit		SRAM	512K x 8	Parallel	55ns	Nicht verifiziert
KM68V1002CJ-15T	2.0000	Anfrage	2	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage			SRAM – Asynchron	3,3 V	32-SOJ	-				3277-KM68V1002CJ-15TTR	EAR99	8542.32.0041	1.000		Flüchtig	1Mbit		SRAM	128K x 8	Parallel	15ns	Nicht verifiziert
K6F3216U6M-EF70T	7.5000	Anfrage	800	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	-40°C ~ 85°C (TA)	Oberflächenmontage			SRAM – Asynchron	2,7 V ~ 3,6 V	55-TFBGA (7,5x12)	-				3277-K6F3216U6M-EF70TTR	EAR99	8542.32.0041	100		Flüchtig	32Mbit		SRAM	2M x 16	Parallel	70er Jahre	Nicht verifiziert
MT58L64L32PT7.5	5.0000	Anfrage	500	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Tablett	Veraltet	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage			SRAM – Synchron	3,3 V	100-TQFP	-				3277-MT58L64L32PT7.5	EAR99	8542.32.0041	100		Flüchtig	2Mbit		SRAM	64K x 32	Parallel	7,5 ns	Nicht verifiziert
K6X0808C1D-BF70T	3.5000	Anfrage	6	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	-40°C ~ 85°C (TA)	Oberflächenmontage			SRAM – Asynchron	4,5 V ~ 5,5 V	28-SOP	-				3277-K6X0808C1D-BF70TTR	EAR99	8542.32.0041	1.000		Flüchtig	256Kbit		SRAM	32K x 8	Parallel	70er Jahre	Nicht verifiziert
KM616BV4002J-12	15.0000	Anfrage	925	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Rohr	Veraltet	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage			SRAM – Asynchron	3,3 V	36-SOJ	-				3277-KM616BV4002J-12	EAR99	8542.32.0041	100		Flüchtig	4Mbit		SRAM	256K x 16	Parallel	12ns	Nicht verifiziert
KM681002BJ-10T	2.5000	Anfrage	5	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage			SRAM – Asynchron	5V	32-SOJ	-				3277-KM681002BJ-10TTR	EAR99	8542.32.0041	100		Flüchtig	1Mbit		SRAM	128K x 8	Parallel	10ns	Nicht verifiziert
K6E0808C1E-JC15000	1.0000	Anfrage	3	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Rohr	Veraltet	0°C ~ 70°C (TA)	Oberflächenmontage			SRAM – Asynchron	5V	28-SOJ	-				3277-K6E0808C1E-JC15000	EAR99	8542.32.0041	1.000		Flüchtig	256Kbit		SRAM	32K x 8	Parallel	15ns	Nicht verifiziert
K6F4016R4E-EF85T00	2.5000	Anfrage	4	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	-40°C ~ 85°C (TA)	Oberflächenmontage			SRAM – Asynchron	1,65 V ~ 2,2 V	48-TFBGA (6x7)	-				3277-K6F4016R4E-EF85T00TR	EAR99	8542.32.0041	1.000		Flüchtig	4Mbit		SRAM	256K x 16	Parallel	85ns	Nicht verifiziert
K9F8008W0M-TCB0	0,7500	Anfrage	21	Samsung Semiconductor, Inc.	-	Tablett	Aktiv	0°C ~ 70°C	Oberflächenmontage			FLASH - NAND (SLC)	2,7 V ~ 5,5 V	48-TSOP	-				3277-K9F8008W0M-TCB0	EAR99	8542.32.0071	480		Nicht flüchtig	8Mbit		BLITZ	1M x 8	Parallel		Nicht verifiziert

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Vorrätiges Lager

Erinnerung(54)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²