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Speicher (10402)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53E512M32D1ZW-046 WT: B Tr | 13.2750 |  | 2178 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-tfbga | MT53E512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V. | 200-TFBGA (10x14,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT53E512M32D1ZW-046WT: BTR | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 16gbit | 3,5 ns | Dram | 512 mx 32 | Parallel | 18ns | ||||
 | MT29AZ5A5CHGSQ-18AAT.87U | 13.9200 | | 8743 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | MT29AZ5 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-mt29Az5A5ChgSQ-18Aat.87U | 1.440 | ||||||||||||||||||
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| MT29Vzzzad9FQFSM-046 W.G9K | - - - | | 3010 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | MT29Vzzzad9 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 557-mt29vzzzad9fqfsm-046w.g9k | Veraltet | 152 | |||||||||||||||||||
 | MT29F2G08ABAGAWP-AAT: G Tr | 2.7962 | | 4305 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F2G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT29F2G08ABAGAWP-AAT: GTR | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | 20ns | ||||
 | MT29F2G01ABBGD12-AAT: g | 2.7962 | | 6625 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT29F2G01 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT29F2G01ABBGD12-AAT: g | 8542.32.0071 | 1,122 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 2g x 1 | Spi | - - - | Nicht Verifiziert | |||
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 | MT29F2T08EMHAFJ4-3itf: a tr | 70.9650 | | 7425 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F2T08 | Flash - Nand (TLC) | 2,5 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT29F2T08emHAFJ4-3itf: ATR | 8542.32.0071 | 2.000 | 333 MHz | Nicht Flüchtig | 2tbit | Blitz | 256g x 8 | Parallel | - - - | |||||
 | MT53E1G32D2NP-046 WT: a | - - - | | 5645 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53E1G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 557-MT53E1G32D2NP-046WT: a | Veraltet | 136 | 2.133 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | - - - | - - - | ||||||
| MT29F4T08GMLBEJ4: B Tr | - - - | | 9942 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F4T08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-mt29f4t08gmlbej4: btr | Veraltet | 2.000 | Nicht Flüchtig | 4tbit | Blitz | 512g x 8 | Parallel | - - - | ||||||
| MTFC32GAPALGT-AIT | - - - | | 3412 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | MTFC32G | Flash - Nand | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MTFC32Gapalgt-Mait | 8542.32.0071 | 1.520 | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | MMC | - - - | ||||||||
| MT40A512M16LY-062E AT: E Tr | - - - | | 8981 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | - - - | 96-FBGA (7,5x13,5) | - - - | 557-MT40A512M16ly-062eat: ETR | Veraltet | 8542.32.0071 | 2.000 | 1,6 GHz | Nicht Flüchtig | 8gbit | Dram | 512 mx 16 | - - - | - - - | ||||||
| MT53E4D1BSQ-DC TR | 22.5000 | | 7747 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MT53E4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT53E4D1BSQ-DCTR | 2.000 | ||||||||||||||||||||
| MT29F1G08ABAFAWP-AAT: f | 2.9984 | | 8103 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F1G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT29F1G08ABAFAWP-AAT: f | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | 20ns | ||||
| MT53E1DBDS-DC TR | 22.5000 | | 9059 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MT53E1 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT53E1DBDS-DCTR | 2.000 | ||||||||||||||||||||
| MT29F4T08Eulcem4-R: c | - - - | | 6844 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - - - | - - - | MT29F4T08 | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | - - - | - - - | 557-MT29F4T08Eulcem4-R: c | Veraltet | 8542.32.0071 | 1,120 | Nicht Flüchtig | 4tbit | Blitz | 512g x 8 | Parallel | - - - | |||||||
 | MT29F1G08ABBFAH4-AAT: f | 2.9984 | | 3752 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT29F1G08ABBFAH4-AAT: f | 8542.32.0071 | 210 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 25 ns | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | 25ns | ||||
| MT53E512M32D2NP-046 WT: F Tr | - - - | | 5868 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53E512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT53E512M32D2NP-046WT: FTR | Veraltet | 2.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 512 mx 32 | - - - | - - - | |||||
| MT53E4D1ABA-DC TR | 22.5000 | | 4923 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MT53E4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT53E4D1ABA-DCTR | 2.000 | ||||||||||||||||||||
| MT29F2T08EMHBFJ4-T: B Tr | - - - | | 2212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F2T08 | Flash - Nand (TLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT29F2T08EMHBFJ4-T: BTR | Veraltet | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 2tbit | Blitz | 256g x 8 | Parallel | - - - | ||||
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| MT53E4DADT-DC | 22.5000 | | 1540 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | MT53E4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT53E4DADT-DC | 1.360 | |||||||||||||||||||
| MT29F2G08ABAGAGAGAH4-AIT: g | 2.5267 | | 2047 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT29F2G08ABAGAGAGAH4-AIT: g | 1.260 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | - - - | ||||||
| MT53E4D1BSQ-DC | 22.5000 | | 9011 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | MT53E4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT53E4D1BSQ-DC | 1.360 | ||||||||||||||||||||
| MTFC64GAPALGT-AAT | - - - | | 2879 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | MTFC64 | Flash - Nand | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MTFC64Gapalgt-Aat | 8542.32.0071 | 1.520 | Nicht Flüchtig | 512Gbit | Blitz | 64g x 8 | MMC | - - - | ||||||||
| MT29F2T08GELBEJ4: b | - - - | | 1328 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 132-vbga | MT29F2T08 | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 132-VBGA (12x18) | - - - | 557-mt29f2t08gelbej4: b | Veraltet | 1,120 | Nicht Flüchtig | 2tbit | Blitz | 256g x 8 | Parallel | - - - | ||||||||
| MTFC16GAPALGT-AIT | - - - | | 3887 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | MTFC16 | Flash - Nand | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MTFC16GAPALGT-AIT | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.520 | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | MMC | - - - | |||||||
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| MTFC32GAPALHT-AAT | - - - | | 5316 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | MTFC32G | Flash - Nand | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MTFC32Gapalht-Aat | 8542.32.0071 | 980 | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | MMC | - - - | ||||||||
| MT53E2D1ACY-DC | 22.5000 | | 5695 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | MT53E2 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT53E2D1ACY-DC | 1.360 |
2000+
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