SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT53D512M64D4NW-046 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NW-046 WT: D TR - - -
RFQ
ECAD 8814 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 432-vfbga MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 432-VFBGA (15x15) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 2.133 GHz Flüchtig 32Gbit Dram 512 MX 64 - - - - - -
MTFC32GAKAEDQ-AAT TR Micron Technology Inc. MTFC32GAKAEDQ-AAT TR - - -
RFQ
ECAD 9738 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100 lbga MTFC32G Flash - Nand - - - 100 lbga (14x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 MMC - - -
MTFC8GACAENS-AAT Micron Technology Inc. MTFC8GACAENS-AAT - - -
RFQ
ECAD 4850 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-tfbga MTFC8 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 153-TFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.520 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 MMC - - -
EMB8132B4PM-DV-F-D Micron Technology Inc. EMB8132B4PM-DV-FD - - -
RFQ
ECAD 3325 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv Emb8132 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1.680
MT53B384M32D2NP-062 XT:B Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NP-062 XT: b - - -
RFQ
ECAD 9454 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.360 1,6 GHz Flüchtig 12gbit Dram 384m x 32 - - - - - -
MTFC64GAJAEDQ-AIT Micron Technology Inc. MTFC64GAJAEDQ-AIT - - -
RFQ
ECAD 9216 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100 lbga MTFC64 Flash - Nand - - - 100 lbga (14x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 980 Nicht Flüchtig 512Gbit Blitz 64g x 8 MMC - - -
MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A Micron Technology Inc. MT29F1T08EHAFJ4-3TES: a - - -
RFQ
ECAD 8138 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 132-vbga MT29F1T08 Flash - Nand 2,5 V ~ 3,6 V. 132-VBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,120 333 MHz Nicht Flüchtig 1Tbit Blitz 128g x 8 Parallel - - -
MT35XL256ABA2GSF-0AAT Micron Technology Inc. MT35XL256ABA2GSF-0AAT - - -
RFQ
ECAD 1659 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela ™ - mt35x Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C. Oberflächenhalterung 24-Tbga MT35XL256 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-T-PBGA (6x8) - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1.440 133 MHz Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Xccela -bus - - -
MT53B192M64D2SG-062 WT ES:A Micron Technology Inc. MT53B192M64D2SG-062 WT ES: a - - -
RFQ
ECAD 8305 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - - - - - MT53B192 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1,190 1,6 GHz Flüchtig 12gbit Dram 192m x 64 - - - - - -
MTFC128GAJAECE-AAT Micron Technology Inc. MTFC128GAJAECE-AAT - - -
RFQ
ECAD 7374 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 169-LFBGA MTFC128 Flash - Nand - - - 169-LFBGA (14x18) - - - 1 (unbegrenzt) 3a991b1a 8542.32.0071 980 Nicht Flüchtig 1Tbit Blitz 128g x 8 MMC - - -
MTFC8GAMALBH-AAT Micron Technology Inc. MTFC8GAMALBH-AAT 11.1750
RFQ
ECAD 5264 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-tfbga MTFC8 Flash - Nand - - - 153-TFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.520 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 MMC - - -
MT35XU256ABA2G12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT35XU256ABA2G12-0AAT TR - - -
RFQ
ECAD 9426 0.00000000 Micron Technology Inc. Xccela ™ - mt35x Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C. Oberflächenhalterung 24-Tbga MT35XU256 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 24-T-PBGA (6x8) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 200 MHz Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Xccela -bus - - -
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2NK-062 WT ES: B Tr - - -
RFQ
ECAD 1870 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - - - - - MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 1,6 GHz Flüchtig 12gbit Dram 384m x 32 - - - - - -
MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D8TZ-053 WT ES: B Tr - - -
RFQ
ECAD 4008 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - - - - - MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 1.866 GHz Flüchtig 32Gbit Dram 512 MX 64 - - - - - -
MTFC128GAJAECE-IT TR Micron Technology Inc. MTFC128GAJAECE-IT TR - - -
RFQ
ECAD 8429 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 169-LFBGA MTFC128 Flash - Nand - - - 169-LFBGA (14x18) - - - 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 1Tbit Blitz 128g x 8 MMC - - -
MTFC32GAKAEJP-5M AIT TR Micron Technology Inc. MTFC32GAKAEJP-5M AIT TR - - -
RFQ
ECAD 5747 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-VFBGA MTFC32G Flash - Nand - - - 153-VFBGA (11,5x13) - - - 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 MMC - - -
MTFC32GAKAEJP-AIT TR Micron Technology Inc. MTFC32GAKAEJP-AIT TR - - -
RFQ
ECAD 4995 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-VFBGA MTFC32G Flash - Nand - - - 153-VFBGA (11,5x13) - - - 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 MMC - - -
MTFC16GAKAECN-AIT Micron Technology Inc. MTFC16GAKAECN-AIT - - -
RFQ
ECAD 1987 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-VFBGA MTFC16 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,9 V. 153-VFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1.520 Nicht Flüchtig 128Gbit Blitz 16g x 8 MMC - - -
MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAWP-IT: D Tr 6.6000
RFQ
ECAD 202 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F4G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 512 MX 8 Parallel - - -
MT46H4M32LFB5-6 IT:K Micron Technology Inc. MT46H4M32LFB5-6 IT: k - - -
RFQ
ECAD 6664 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT46H4M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 90-VFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 166 MHz Flüchtig 128mbit 5 ns Dram 4m x 32 Parallel 15ns
MT46V64M8BN-6 L:F Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-6 L: f - - -
RFQ
ECAD 7982 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT46V64M8 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 60-FBGA (10x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1.000 167 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
MT47H128M8CF-3 IT:H Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-3 IT: h - - -
RFQ
ECAD 8073 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 333 MHz Flüchtig 1Gbit 450 ps Dram 128 MX 8 Parallel 15ns
MT47H512M8WTR-3:C Micron Technology Inc. MT47H512M8WTR-3: c - - -
RFQ
ECAD 4970 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 63-tfbga MT47H512M8 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 63-FBGA (9x11.5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 333 MHz Flüchtig 4Gbit 450 ps Dram 512 MX 8 Parallel 15ns
MT47H64M8JN-25E:G Micron Technology Inc. MT47H64M8JN-25E: g - - -
RFQ
ECAD 2160 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0028 1.000 400 MHz Flüchtig 512mbit 400 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
MT29F1G16ABBDAHC:D Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBDAHC: d - - -
RFQ
ECAD 1855 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F1G16 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (10,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 64m x 16 Parallel - - -
MT29F1G16ABBDAHC-IT:D Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBDAHC-IT: d - - -
RFQ
ECAD 4780 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F1G16 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (10,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.140 Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 64m x 16 Parallel - - -
MT29F64G08AECABH1-10:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AECABH1-10: a - - -
RFQ
ECAD 6654 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-vbga MT29F64G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 100-VBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 100 MHz Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 Parallel - - -
MT41K256M8DA-15E:M Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-15E: m - - -
RFQ
ECAD 1744 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT41K256M8 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 78-FBGA (8x10.5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0036 1.000 667 MHz Flüchtig 2Gbit 13,5 ns Dram 256 mx 8 Parallel - - -
MT42L128M64D4LC-25 IT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D4LC-25 IT: a - - -
RFQ
ECAD 8498 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 240-VFBGA MT42L128M64 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 V ~ 1,3 V. 240-FBGA (14x14) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0036 1.000 400 MHz Flüchtig 8gbit Dram 128 MX 64 Parallel - - -
MT47H64M16B7-5E:A Micron Technology Inc. MT47H64M16B7-5E: a - - -
RFQ
ECAD 9907 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 92-tfbga MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 92-FBGA (11x19) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 200 MHz Flüchtig 1Gbit 600 ps Dram 64m x 16 Parallel 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus