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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53D512M32D2DS-053 AUT: d | 21.9750 |  | 1870 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT53D512M32D2DS-053AUT: d | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 512 mx 32 | - - - | - - - | ||
 | M58WR064KB70ZB6F TR | - - - | | 3614 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-VFBGA | M58WR064 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 56-VFBGA (7,7x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 66 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 4m x 16 | Parallel | 70ns | ||
 | MT48H4M16LFB4-75 IT: H Tr | - - - | | 8175 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,9 V. | 54-VFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 6 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | MT48LC8M8A2TG-7E L: G TR | - - - | | 1988 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC8M8A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 8 | Parallel | 14ns | ||
 | MT46H8M16LFBF-5 IT: K. | - - - | | 8818 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-VFBGA | MT46H8M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-VFBGA (8x9) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | MT48LC4M32LFB5-10 IT: g | - - - | | 1217 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48LC4M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 3v ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 100 MHz | Flüchtig | 128mbit | 7 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | 15ns | ||
 | MT29F64G08CBEFBWP-M: f | - - - | | 9758 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F64G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | Verkäfer undefiniert | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | |||||
 | M29W128GH70ZS6E | - - - | | 7151 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | M29W128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (11x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 960 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 70 ns | Blitz | 16m x 8, 8m x 16 | Parallel | 70ns | |||
 | MT47H64M16BT-3: a Tr | - - - | | 2969 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 92-tfbga | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 92-FBGA (11x19) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 333 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 450 ps | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | MTFC64GAPAKEA-WT ES | - - - | | 9268 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tablett | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-WFBGA | MTFC64 | Flash - Nand | - - - | 153-WFBGA (11,5x13) | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.520 | Nicht Flüchtig | 512Gbit | Blitz | 64g x 8 | MMC | - - - | ||||||
 | M28W640FCB70ZB6F TR | - - - | | 4406 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | M28W640 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-TFBGA (6,39 x 10,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 4m x 16 | Parallel | 70ns | |||
 | M29F400BT55N1 | - - - | | 2361 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29F400 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Blitz | 512k x 8, 256k x 16 | Parallel | 55ns | |||
| M29W064FT70N3F TR | - - - | | 8198 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W064 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 70ns | ||||
 | MT29E256G08CECCBH6-6: c | - - - | | 5447 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 152-VBGA | MT29E256G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 152-VBGA (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - | |||
 | N25Q064A11EF640f Tr | - - - | | 6243 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | N25Q064A11 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 8-VDFPN (6x5) (MLP8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 4.000 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 16 mx 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||
| MT29F128G08CFABAWP-IT: B Tr | - - - | | 7378 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | Parallel | - - - | |||||
| MT48LC4M16A2P-75: g | - - - | | 2332 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC4M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT48LC4M16A2P75G | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | 15ns | |
 | MT46V32M4P-5B: d | - - - | | 6556 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V32M4 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 128mbit | 700 ps | Dram | 32m x 4 | Parallel | 15ns | ||
 | MT29F64G08AKCBBH2-12: B Tr | - - - | | 8211 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 TBGA | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100-TBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | ||||
| MT47H128M8SH-25E AIT: m | - - - | | 3648 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-FBGA (8x10) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 253 | 400 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 400 ps | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | ||
 | JS28F512P30EFA | - - - | | 1897 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F512P30 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | 110 ns | Blitz | 32m x 16 | Parallel | 110ns | ||
| MT29F256G08CKKABH2-10: a | - - - | | 9500 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 TBGA | MT29F256G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100-TBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - | ||||
| MT48H8M32LFB5-6: h | - - - | | 1510 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | 15ns | ||
| MT62F1536M32D4DS-023 AAT: b | 47.8950 | | 9560 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - - - | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | 557-MT62F1536M32D4DS-023AAT: b | 1 | 3,2 GHz | Flüchtig | 48Gbit | Dram | 768m x 64 | Parallel | - - - | ||||||||
| MT28F400B5WG-8 b | - - - | | 5545 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28F400B5 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-tsop i | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 80 ns | Blitz | 512k x 8, 256k x 16 | Parallel | 80ns | |||
 | N25Q032A13E1241f TR | - - - | | 6417 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | N25Q032A13 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 8m x 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||
 | MT55V1MV18FT-10 | 18.7900 | | 761 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - ZBT | 2.375 V ~ 2,625 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 18mbit | 7,5 ns | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | |||
 | MT29F256G08CMCDBJ5-6R: D Tr | - - - | | 6716 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | - - - | MT29F256G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 132-TBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 167 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - | ||||
| EDFA164A2PB-JD-FR TR | - - - | | 6800 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | EDFA164 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1,14 V ~ 1,95 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | 933 MHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 256 MX 64 | Parallel | - - - | ||||
| MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-M | - - - | | 2222 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | Sterben | MT29F256G08 | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | Sterben | - - - | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | 333 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - |
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