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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | DATENBLATT | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT47H32M16BN-37E IT: D Tr | - - - |  | 7565 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | MT47H32M16 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-FBGA (10x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 267 MHz | Flüchtig | 512mbit | 500 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | MT29F2G08ABAEAWP-AITX: e | 5.1300 | | 880 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F2G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 960 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT53D384M32D2DS-046 WT: e | - - - | | 5162 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53D384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Flüchtig | 12gbit | Dram | 384m x 32 | - - - | - - - | |||
 | MT41J128M16HA-125 ES: d | - - - | | 8866 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41J128M16 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-FBGA (9x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 13.75 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | - - - | ||
 | MT29F64G08AMABAC5-IT: b | - - - | | 3605 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 52-vlga | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 52-vlga (18x14) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | |||||
 | M29F160ft55N3F2 TR | - - - | | 4492 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29F160 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 16mbit | 55 ns | Blitz | 2m x 8, 1m x 16 | Parallel | 55ns | |||
| MT40A512M8RH-075E AUT: B Tr | - - - | | 3329 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A512M8 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (9x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,33 GHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 512 MX 8 | Parallel | - - - | |||
| MT53B1536M32D8QD-053 WT: d | - - - | | 4451 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53B1536 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.866 GHz | Flüchtig | 6gbit | Dram | 1,5 GX 32 | - - - | - - - | |||
 | MT46H16M32LFCX-6 IT: b | - - - | | 6055 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | 15ns | ||
| M50FW016N5G | - - - | | 3796 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 40-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M50FW016 | Flash - Nor | 3v ~ 3,6 V | 40-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 120 | 33 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | 250 ns | Blitz | 2m x 8 | Parallel | - - - | ||
| M29F400ft55M3F2 Tr | - - - | | 4962 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) | M29F400 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44 Also | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Blitz | 512k x 8, 256k x 16 | Parallel | 55ns | |||
| MT53D512M64D8TZ-053 WT ES: B | - - - | | 7165 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1,190 | 1.866 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 512 MX 64 | - - - | - - - | |||||
 | MT48LC8M32LFF5-8 TR | - - - | | 5804 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48LC8M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 3v ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 125 MHz | Flüchtig | 256mbit | 7 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | 15ns | ||
 | JS28F256P30T95A | - - - | | 3272 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F256P30 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 96 | 40 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 95 ns | Blitz | 16m x 16 | Parallel | 95ns | ||
 | MT29C4G48MAZBBAKS-48 IT | - - - | | 5160 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 137-VFBGA | MT29C4G48 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | 137-VFBGA (13x10.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.140 | 208 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | Blitz, Ram | 256 MX 16 (NAND), 128 MX 16 (LPDRAM) | Parallel | - - - | |||
| M29W640GT90NA6E | - - - | | 7546 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W640 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 90 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 90ns | ||||
 | M29F400BB90N1 | - - - | | 9763 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29F400 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 90 ns | Blitz | 512k x 8, 256k x 16 | Parallel | 90ns | |||
 | MT29F128G08CECABH1-12it: a tr | - - - | | 5712 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-vbga | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100-VBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | Parallel | - - - | |||
 | MT47H128M8B7-5E: a | - - - | | 7319 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 92-tfbga | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 92-FBGA (11x19) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 600 ps | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | ||
 | MT25QU128ABA1EW9-0SIT | - - - | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | MT25QU128 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 8-wpdfn (8x6) (MLP8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.920 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | |||
| MT28F640J3RG-115 GMET | - - - | | 8505 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28F640J3 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 115 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | - - - | |||
| MT29F128G08AMAAAAC5-ITZ: a Tr | - - - | | 2049 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 52-vlga | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 52-vlga (18x14) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT46V32M16BN-5B: C Tr | - - - | | 3754 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| MT41K256M16HA-107 ES: E Tr | - - - | | 8200 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-FBGA (9x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 933 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | - - - | ||
 | MT29F16G16ADBCAH4: c | - - - | | 5564 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F16G16 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.260 | Nicht Flüchtig | 16gbit | Blitz | 1g x 16 | Parallel | - - - | ||||
| MT53D8DARG-DC Tr | - - - | | 2413 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | MT53D8 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | ||||||||||||||||||
| M29W800FB70N3F TR | - - - | | 5350 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29W800 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 70 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 70ns | |||
 | PC28F00AP33BF0 | - - - | | 9465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | PC28F00A | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 64 EasyBga (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 184 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 95 ns | Blitz | 64m x 16 | Parallel | 95ns | ||
 | MT48LC16M16A2P-7E: d | - - - | | 7175 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT48LC16M16A2P7ED | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 14ns | |
 | MT40A512M16JY-075E: B Tr | - - - | | 2498 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 96-FBGA (8x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,33 GHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 512 mx 16 | Parallel | - - - |
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