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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SIC -Programmierbar | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT48LC8M16A2P-7E: l | - - - | ![]() | 6962 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC8M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.080 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | 14ns | |||
![]() | MT49H16M36BM-18: b | - - - | ![]() | 1337 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | MT49H16M36 | Dram | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-µbga (18,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0032 | 1.000 | 533 MHz | Flüchtig | 576mbit | 15 ns | Dram | 16m x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | Mtedfae4Sca-1p2it | - - - | ![]() | 5781 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | Mtedfae4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 150 | ||||||||||||||||||
![]() | JS28F512P33TFA | - - - | ![]() | 3084 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F512P33 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | 105 ns | Blitz | 32m x 16 | Parallel | 105ns | |||
![]() | MT53B768M64D8NK-053 WT: D Tr | - - - | ![]() | 9638 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 366-WFBGA | MT53B768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA (15x15) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1.866 GHz | Flüchtig | 48Gbit | Dram | 768m x 64 | - - - | - - - | ||||
MT29F2G08ABAEAWP-AATX: E Tr | 5.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F2G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | - - - | ||||||
![]() | MT41K256M16HA-125 XIT: e | - - - | ![]() | 4734 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-FBGA (9x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.020 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 13.75 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | - - - | ||||
![]() | MT47H256M8EB-25E AIT: c | - - - | ![]() | 6105 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT47H256M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-FBGA (9x11.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0036 | 1,320 | 400 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 400 ps | Dram | 256 mx 8 | Parallel | 15ns | |||
![]() | MT45W4MW16PBA-70 IT | - - - | ![]() | 7121 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 48-VFBGA | MT45W4MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 48-VFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Parallel | 70ns | ||||
MT47H128M8CF-3 AAT: h | - - - | ![]() | 5830 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-FBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 333 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 450 ps | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | ||||
![]() | M25P20-VMP6 | - - - | ![]() | 6126 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | M25P20 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-VFQFPN (6x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.940 | 50 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | Blitz | 256k x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | ||||
![]() | MT53D1536M64D8EG-046 Gew. | 55.8750 | ![]() | 7921 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 557-MT53D1536M64D8EG-046WT: ATR | 2.000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MT46V32M16FN-75: c | - - - | ![]() | 9303 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12,5) | - - - | Rohs Nick Konform | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 750 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | MT48LC2M32B2P-6: G Tr | - - - | ![]() | 9819 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC2M32B2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 167 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.5 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | 12ns | |||
![]() | N25Q256A13ESFH0F TR | - - - | ![]() | 6594 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | N25Q256A13 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-Sop2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 64m x 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | ||||
![]() | MT48LC32M8A2TG-75: D Tr | - - - | ![]() | 3718 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC32M8A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 8 | Parallel | 15ns | |||
![]() | MT29F2T08MLGEJ4-ITF: G Tr | 70.0350 | ![]() | 7558 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 557-MT29F2T08MLGEJ4-ITF: GTR | 2.000 | ||||||||||||||||||||||
MT40A4G4NRE-083E: b | - - - | ![]() | 7366 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A4G4 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (8x12) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.140 | 1,2 GHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 4g x 4 | Parallel | - - - | |||||||
![]() | MT28F640J3FS-115 MET | - - - | ![]() | 2916 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-fbga | MT28F640J3 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (10x13) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 115 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | - - - | ||||
MT41J128M16HA-15E AAT: d | - - - | ![]() | 6704 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41J128M16 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-FBGA (9x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 667 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 13,5 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | - - - | |||||
![]() | M29F400FB5AM62 | - - - | ![]() | 5239 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) | M29F400 | Flash - Nor | Nicht Verifiziert | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44 Also | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 240 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Blitz | 512k x 8, 256k x 16 | Parallel | 55ns | |||
![]() | MT29F4T08EULEEM4-QJ: E Tr | 105.9600 | ![]() | 7278 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 557-MT29F4T08EULEEM4-QJ: ETR | 2.000 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MT29C4G96MAZBACKD-5 WT | - - - | ![]() | 4646 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 137-tfbga | MT29C4G96 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | 137-tfbga (10,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | Blitz, Ram | 256 MX 16 (NAND), 128 MX 32 (LPDRAM) | Parallel | - - - | |||||
![]() | PC28F640P33BF60D | - - - | ![]() | 8040 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | PC28F640 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 64 EasyBga (10x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.800 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 60 ns | Blitz | 4m x 16 | Parallel | 60ns | ||||
![]() | MT62F1536M64D8CL-023 WT: B Tr | 55.3050 | ![]() | 8025 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | - - - | - - - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - - - | - - - | - - - | 557-MT62F1536M64D8CL-023WT: BTR | 2.500 | 4,266 GHz | Flüchtig | 96Gbit | Dram | 1,5 GX 64 | Parallel | - - - | |||||||||
![]() | MT29F1G08ABBFAH4-iTE: f | 3.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.260 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | - - - | |||||
![]() | MT47H128M8CF-187E: H Tr | - - - | ![]() | 8740 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-FBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 533 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 350 ps | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | ||||
![]() | M25PX80-VMP6TG0M TR | - - - | ![]() | 5081 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | M25PX80 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-VFQFPN (6x5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 4.000 | 75 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | |||||
![]() | MTFC8GLWDM-3L AAT Z TR | - - - | ![]() | 9539 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-tfbga | MTFC8 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-TFBGA (11,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | MMC | - - - | |||||
MT48LC8M16LFF4-75M IT: g | - - - | ![]() | 8203 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48LC8M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 3v ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x8) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | 15ns |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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