SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SIC -Programmierbar SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT48LC8M16A2P-7E:L Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-7E: l - - -
RFQ
ECAD 6962 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC8M16A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.080 133 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 8m x 16 Parallel 14ns
MT49H16M36BM-18:B Micron Technology Inc. MT49H16M36BM-18: b - - -
RFQ
ECAD 1337 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 144-tfbga MT49H16M36 Dram 1,7 V ~ 1,9 V. 144-µbga (18,5x11) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0032 1.000 533 MHz Flüchtig 576mbit 15 ns Dram 16m x 36 Parallel - - -
MTEDFAE4SCA-1P2IT Micron Technology Inc. Mtedfae4Sca-1p2it - - -
RFQ
ECAD 5781 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Rohr Aktiv Mtedfae4 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 150
JS28F512P33TFA Micron Technology Inc. JS28F512P33TFA - - -
RFQ
ECAD 3084 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) JS28F512P33 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 576 40 MHz Nicht Flüchtig 512mbit 105 ns Blitz 32m x 16 Parallel 105ns
MT53B768M64D8NK-053 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B768M64D8NK-053 WT: D Tr - - -
RFQ
ECAD 9638 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 366-WFBGA MT53B768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 366-WFBGA (15x15) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 1.866 GHz Flüchtig 48Gbit Dram 768m x 64 - - - - - -
MT29F2G08ABAEAWP-AATX:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP-AATX: E Tr 5.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F2G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 256 mx 8 Parallel - - -
MT41K256M16HA-125 XIT:E Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-125 XIT: e - - -
RFQ
ECAD 4734 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-FBGA (9x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0036 1.020 800 MHz Flüchtig 4Gbit 13.75 ns Dram 256 mx 16 Parallel - - -
MT47H256M8EB-25E AIT:C Micron Technology Inc. MT47H256M8EB-25E AIT: c - - -
RFQ
ECAD 6105 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT47H256M8 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (9x11.5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0036 1,320 400 MHz Flüchtig 2Gbit 400 ps Dram 256 mx 8 Parallel 15ns
MT45W4MW16PBA-70 IT Micron Technology Inc. MT45W4MW16PBA-70 IT - - -
RFQ
ECAD 7121 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 48-VFBGA MT45W4MW16 Psram (pseudo sram) 1,7 V ~ 1,95 V. 48-VFBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 2.000 Flüchtig 64Mbit 70 ns Psram 4m x 16 Parallel 70ns
MT47H128M8CF-3 AAT:H Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-3 AAT: h - - -
RFQ
ECAD 5830 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 333 MHz Flüchtig 1Gbit 450 ps Dram 128 MX 8 Parallel 15ns
M25P20-VMP6 Micron Technology Inc. M25P20-VMP6 - - -
RFQ
ECAD 6126 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-VDFN Exposed Pad M25P20 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-VFQFPN (6x5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 2.940 50 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi 15 ms, 5 ms
MT53D1536M64D8EG-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53D1536M64D8EG-046 Gew. 55.8750
RFQ
ECAD 7921 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MT53D1536M64D8EG-046WT: ATR 2.000
MT46V32M16FN-75:C Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-75: c - - -
RFQ
ECAD 9303 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT46V32M16 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 60-FBGA (10x12,5) - - - Rohs Nick Konform 5 (48 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 512mbit 750 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT48LC2M32B2P-6:G TR Micron Technology Inc. MT48LC2M32B2P-6: G Tr - - -
RFQ
ECAD 9819 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC2M32B2 Sdram 3v ~ 3,6 V 86-TSOP II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 167 MHz Flüchtig 64Mbit 5.5 ns Dram 2m x 32 Parallel 12ns
N25Q256A13ESFH0F TR Micron Technology Inc. N25Q256A13ESFH0F TR - - -
RFQ
ECAD 6594 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) N25Q256A13 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 16-Sop2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 108 MHz Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 64m x 4 Spi 8 ms, 5 ms
MT48LC32M8A2TG-75:D TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2TG-75: D Tr - - -
RFQ
ECAD 3718 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC32M8A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 32m x 8 Parallel 15ns
MT29F2T08EMLGEJ4-ITF:G TR Micron Technology Inc. MT29F2T08MLGEJ4-ITF: G Tr 70.0350
RFQ
ECAD 7558 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MT29F2T08MLGEJ4-ITF: GTR 2.000
MT40A4G4NRE-083E:B Micron Technology Inc. MT40A4G4NRE-083E: b - - -
RFQ
ECAD 7366 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT40A4G4 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 78-FBGA (8x12) - - - UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.140 1,2 GHz Flüchtig 16gbit Dram 4g x 4 Parallel - - -
MT28F640J3FS-115 MET Micron Technology Inc. MT28F640J3FS-115 MET - - -
RFQ
ECAD 2916 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-fbga MT28F640J3 Blitz 2,7 V ~ 3,6 V. 64-FBGA (10x13) Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 64Mbit 115 ns Blitz 8m x 8, 4m x 16 Parallel - - -
MT41J128M16HA-15E AAT:D Micron Technology Inc. MT41J128M16HA-15E AAT: d - - -
RFQ
ECAD 6704 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT41J128M16 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 96-FBGA (9x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0036 1.000 667 MHz Flüchtig 2Gbit 13,5 ns Dram 128 MX 16 Parallel - - -
M29F400FB5AM62 Micron Technology Inc. M29F400FB5AM62 - - -
RFQ
ECAD 5239 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) M29F400 Flash - Nor Nicht Verifiziert 4,5 V ~ 5,5 V. 44 Also Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 240 Nicht Flüchtig 4mbit 55 ns Blitz 512k x 8, 256k x 16 Parallel 55ns
MT29F4T08EULEEM4-QJ:E TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EULEEM4-QJ: E Tr 105.9600
RFQ
ECAD 7278 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MT29F4T08EULEEM4-QJ: ETR 2.000
MT29C4G96MAZBACKD-5 WT Micron Technology Inc. MT29C4G96MAZBACKD-5 WT - - -
RFQ
ECAD 4646 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 137-tfbga MT29C4G96 Flash - NAND, Mobile LPDRam 1,7 V ~ 1,95 V. 137-tfbga (10,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 200 MHz NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDRAM) Blitz, Ram 256 MX 16 (NAND), 128 MX 32 (LPDRAM) Parallel - - -
PC28F640P33BF60D Micron Technology Inc. PC28F640P33BF60D - - -
RFQ
ECAD 8040 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 64-Tbga PC28F640 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 64 EasyBga (10x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.800 52 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 60 ns Blitz 4m x 16 Parallel 60ns
MT62F1536M64D8CL-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M64D8CL-023 WT: B Tr 55.3050
RFQ
ECAD 8025 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - - - - - - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - - - - - - - 557-MT62F1536M64D8CL-023WT: BTR 2.500 4,266 GHz Flüchtig 96Gbit Dram 1,5 GX 64 Parallel - - -
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBFAH4-iTE: f 3.4600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F1G08 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.260 Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Parallel - - -
MT47H128M8CF-187E:H TR Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-187E: H Tr - - -
RFQ
ECAD 8740 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0032 1.000 533 MHz Flüchtig 1Gbit 350 ps Dram 128 MX 8 Parallel 15ns
M25PX80-VMP6TG0M TR Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6TG0M TR - - -
RFQ
ECAD 5081 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-VDFN Exposed Pad M25PX80 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-VFQFPN (6x5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 4.000 75 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi 15 ms, 5 ms
MTFC8GLWDM-3L AAT Z TR Micron Technology Inc. MTFC8GLWDM-3L AAT Z TR - - -
RFQ
ECAD 9539 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-tfbga MTFC8 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 153-TFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 MMC - - -
MT48LC8M16LFF4-75M IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFF4-75M IT: g - - -
RFQ
ECAD 8203 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-VFBGA MT48LC8M16 SDRAM - Mobile LPSDR 3v ~ 3,6 V 54-VFBGA (8x8) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 133 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 8m x 16 Parallel 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus