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Speicher (10402)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT28F008B3VG-9 TET TR Micron Technology Inc. MT28F008B3VG-9 TET TR - - -
RFQ
 ECAD 2922 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 40-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT28F008B3 Flash - Nor 3v ~ 3,6 V 40-tsop i Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 8mbit 90 ns Blitz 1m x 8 Parallel 90ns
MTFC8GLGDM-AIT Z TR Micron Technology Inc. MTFC8GLGDM-AIT Z Tr - - -
RFQ
 ECAD 1747 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-tfbga MTFC8 Flash - Nand 1,65 V ~ 3,6 V. 153-TFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 MMC - - -
MT29F1G01ABAFD12-IT:F TR Micron Technology Inc. MT29F1G01ABAFD12-IT: F Tr - - -
RFQ
 ECAD 4987 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga MT29F1G01 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 24-T-PBGA (6x8) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 1g x 1 Spi - - -
MT47H128M8HQ-3:E TR Micron Technology Inc. MT47H128M8HQ-3: E Tr - - -
RFQ
 ECAD 8249 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-fbga MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (8x11.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 2.000 333 MHz Flüchtig 1Gbit 450 ps Dram 128 MX 8 Parallel 15ns
MT52L256M64D2GN-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2GN-107 WT: B Tr - - -
RFQ
 ECAD 7183 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 256-WFBGA MT52L256 SDRAM - Mobile LPDDR3 1,2 v 256-FBGA (14x14) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 933 MHz Flüchtig 16gbit Dram 256 MX 64 - - - - - -
MT41J128M16JT-093 J:K Micron Technology Inc. MT41J128M16JT-093 J: K. - - -
RFQ
 ECAD 8668 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT41J128M16 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 96-FBGA (8x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 100 1.066 GHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 128 MX 16 Parallel - - -
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBEAH4-IT: E Tr - - -
RFQ
 ECAD 6222 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F4G08 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 512 MX 8 Parallel - - -
MT40A512M16JY-083E AUT:B Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-083E AUT: b - - -
RFQ
 ECAD 8179 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 96-FBGA (8x14) Herunterladen UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.280 1,2 GHz Flüchtig 8gbit Dram 512 mx 16 Parallel - - -
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4-AITX: E Tr 5.1300
RFQ
 ECAD 642 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F2G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 256 mx 8 Parallel - - -
M25PE80-VMP6G Micron Technology Inc. M25PE80-VMP6G - - -
RFQ
 ECAD 8340 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-VDFN Exposed Pad M25PE80 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-VFQFPN (6x5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 490 75 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi 15 ms, 3 ms
MT41K256M4DA-107:J TR Micron Technology Inc. MT41K256M4DA-107: J Tr - - -
RFQ
 ECAD 3388 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT41K256M4 SDRAM - DDR3 1,283v ~ 1,45 V. 78-FBGA (8x10.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 2.000 933 MHz Flüchtig 1Gbit 20 ns Dram 256 mx 4 Parallel - - -
MT62F1G16D1DS-023 IT:B Micron Technology Inc. MT62F1G16D1DS-023 IT: b 12.5550
RFQ
 ECAD 7359 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv - - - Oberflächenhalterung 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1,05 v 200-WFBGA (10x14,5) - - - 557-MT62F1G16D1DS-023it: b 1 4,266 GHz Flüchtig 16gbit Dram 1g x 16 Parallel - - -
MT53E2D1BCY-DC TR Micron Technology Inc. MT53E2D1BCY-DC TR 22.5000
RFQ
 ECAD 2577 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv MT53E2 - - - UnberÜHrt Ereichen 557-MT53E2D1BCY-DCTR 2.000
MT29E512G08CUCABJ3-10Z:A TR Micron Technology Inc. MT29E512G08CUCABJ3-10Z: a Tr - - -
RFQ
 ECAD 3090 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 132-lbga MT29E512G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 132-lbga (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 100 MHz Nicht Flüchtig 512Gbit Blitz 64g x 8 Parallel - - -
MT29F2G08AABWP-ET TR Micron Technology Inc. MT29F2G08AABWP-ET TR - - -
RFQ
 ECAD 6677 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F2G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 256 mx 8 Parallel - - -
MT29F32G08ABEABM73A3WC1P Micron Technology Inc. MT29F32G08ABABM73A3WC1P - - -
RFQ
 ECAD 2721 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung Sterben MT29F32G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. Sterben - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1 Nicht Flüchtig 32Gbit Blitz 4g x 8 Parallel - - -
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B Micron Technology Inc. MT53B512M64D8HR-053 WT ES: B - - -
RFQ
 ECAD 5506 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - - - - - MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Flüchtig 32Gbit Dram 512 MX 64 - - - - - -
MT46V16M16P-6T:F Micron Technology Inc. MT46V16M16P-6T: f - - -
RFQ
 ECAD 4432 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V16M16 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 167 MHz Flüchtig 256mbit 700 ps Dram 16m x 16 Parallel 15ns
MT53E1536M64D8HJ-046 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53E1536M64D8HJ-046 WT ES: C. 67.8450
RFQ
 ECAD 9186 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv -25 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 556-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR4 - - - 556-WFBGA (12,4x12,4) - - - 557-MT53E1536M64D8HJ-046WTES: c 1 2.133 GHz Flüchtig 96Gbit Dram 1,5 mx 64 - - - - - -
MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADVAMD-5 E IT TR - - -
RFQ
 ECAD 8952 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 130-vfbga MT29C1G12 Flash - NAND, Mobile LPDRam 1,7 V ~ 1,95 V. 130-VFBGA (8x9) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 200 MHz NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) Blitz, Ram 64 MX 16 (NAND), 32 MX 16 (LPDRAM) Parallel - - -
MTFC8GACAEDQ-K1 AIT TR Micron Technology Inc. MTFC8GACAEDQ-K1 AIT TR - - -
RFQ
 ECAD 4362 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100 lbga MTFC8 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 100 lbga (14x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 MMC - - -
MTFC16GAKAEJP-4M IT Micron Technology Inc. MTFC16GAKAEJP-4M IT - - -
RFQ
 ECAD 3087 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-VFBGA MTFC16 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,9 V. 153-VFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.520 Nicht Flüchtig 128Gbit Blitz 16g x 8 MMC - - -
RC48F4400P0VB0EA Micron Technology Inc. RC48F4400P0VB0EA - - -
RFQ
 ECAD 7427 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 64-Tbga RC48F4400 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 64 EasyBga (8x10) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 864 52 MHz Nicht Flüchtig 512mbit 100 ns Blitz 32m x 16 Parallel 100ns
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAEAWP-AAT: E Tr 3.7059
RFQ
 ECAD 6729 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Lets Kaufen -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F2G16 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 128 MX 16 Parallel - - -
M25P20-VMP6TG TR Micron Technology Inc. M25P20-VMP6TG TR - - -
RFQ
 ECAD 2145 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-VDFN Exposed Pad M25P20 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-VFQFPN (6x5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 4.000 50 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi 15 ms, 5 ms
MT53B256M64D2PX-062 XT ES:C Micron Technology Inc. MT53B256M64D2PX-062 XT ES: C. - - -
RFQ
 ECAD 5547 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - - - - - MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1,540 1,6 GHz Flüchtig 16gbit Dram 256 MX 64 - - - - - -
MT48LC8M8A2P-75:G Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2P-75: g - - -
RFQ
 ECAD 3778 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC8M8A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 133 MHz Flüchtig 64Mbit 5.4 ns Dram 8m x 8 Parallel 15ns
MT42L128M64D2LN-18 WT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D2LN-18 WT: a - - -
RFQ
 ECAD 9341 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TC) - - - - - - MT42L128M64 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 V ~ 1,3 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0036 1 533 MHz Flüchtig 8gbit Dram 128 MX 64 Parallel - - -
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFB5-5 IT: C Tr 6.1500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT46H16M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 90-VFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 200 MHz Flüchtig 512mbit 5 ns Dram 16 mx 32 Parallel 15ns
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT Micron Technology Inc. MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT - - -
RFQ
 ECAD 6126 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 137-VFBGA MT29C4G48 Flash - NAND, Mobile LPDRam 1,7 V ~ 1,95 V. 137-VFBGA (13x10.5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.140 208 MHz NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Blitz, Ram 512 MX 8 (NAND), 64 MX 32 (LPDRAM) Parallel - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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