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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | DATENBLATT | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT53D2G32D8QD-046 WT ES: e | - - - |  | 5835 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D2G32 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.360 | 2.133 GHz | Flüchtig | 64Gbit | Dram | 2g x 32 | - - - | - - - | ||||||||
 | MT47R64M16HR-25: h | - - - | | 4904 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | MT47R64M16 | SDRAM - DDR2 | 1,55 V ~ 1,9 V. | 84-FBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 400 ps | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | M29F400BT90N6T TR | - - - | | 5976 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M29F400 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-tsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 90 ns | Blitz | 512k x 8, 256k x 16 | Parallel | 90ns | |||
| MT40A512M8RH-083E AAT: b | - - - | | 3000 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A512M8 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (9x10.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 1,2 GHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 512 MX 8 | Parallel | - - - | |||
 | MT41K128M8DA-107 AIT: J Tr | - - - | | 5399 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT41K128M8 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-FBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 933 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 8 | Parallel | - - - | ||
| MT41K256M16HA-125: E Tr | - - - | | 7256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-FBGA (9x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 13.75 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | - - - | ||
 | N25Q064A13ese40e | - - - | | 9138 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | N25Q064A13 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-so w | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.800 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 16 mx 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||
 | MTFC8GLWDQ-3L AAT Z TR | - - - | | 2429 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 lbga | MTFC8 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100 lbga (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | MMC | - - - | |||||
| MT52L256M64D2LZ-107 XT: B Tr | - - - | | 6800 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 216-WFBGA | MT52L256 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1,2 v | 216-FBGA (12x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 933 MHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 256 MX 64 | - - - | - - - | |||
 | MT29F128G08CCCCBH2-12: c | - - - | | 3529 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 TBGA | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100-TBGA (12x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT52L256M32D1PF-093 WT: b | - - - | | 6342 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 178-VFBGA | MT52L256 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1,2 v | 178-FBGA (11,5x11) | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.890 | 1067 MHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 256 mx 32 | - - - | - - - | |||||
| MT29VZZZZZAD8HQKWL-053 W.G8C | - - - | | 4428 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Veraltet | MT29Vzzzad8 | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.520 | ||||||||||||||||||
 | MT44K32M18RB-125E ES: a Tr | - - - | | 1956 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-Tbga | MT44K32M18 | Dram | 1,28 V ~ 1,42 V. | 168-BGA (13,5x13,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 800 MHz | Flüchtig | 576mbit | 10 ns | Dram | 32m x 18 | Parallel | - - - | ||
| EDB8164B4PR-1D-FR TR | - - - | | 1765 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 216-WFBGA | EDB8164 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 216-FBGA (12x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 533 MHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 128 MX 64 | Parallel | - - - | |||
 | EDB5432BEBH-1DAAT-FR TR | - - - | | 3839 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-vfbga | EDB5432 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 134-VFBGA (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 533 MHz | Flüchtig | 512mbit | Dram | 16 mx 32 | Parallel | - - - | |||
 | MT47H32M16BN-25E IT: D Tr | - - - | | 1907 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | MT47H32M16 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-FBGA (10x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 400 MHz | Flüchtig | 512mbit | 400 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | N25Q128A11E1241E | - - - | | 8734 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | N25Q128A11 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 32m x 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||
 | MT28EW512ABA1LPC-1SIT TR | - - - | | 7948 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | MT28EW512 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-lbga (11x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | Nicht Flüchtig | 512mbit | 95 ns | Blitz | 64m x 8, 32m x 16 | Parallel | 60ns | ||||
 | MT53B128M32D1DS-062 AIT: a | - - - | | 2591 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | MT53B128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1,6 GHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 128 mx 32 | - - - | - - - | |||
| MTFC16GJDEC-H1 WT | - - - | | 6348 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Schüttgut | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | MTFC16G | Flash - Nand | 1,65 V ~ 3,6 V. | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | MMC | - - - | ||||||||
 | MT40A2G4SA-075 C: e | - - - | | 5780 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A2G4 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (7,5x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 557-MT40A2G4SA-075C: e | Veraltet | 1.260 | 1,33 GHz | Flüchtig | 8gbit | 19 ns | Dram | 2g x 4 | Parallel | 15ns | |||
 | MTFC16GAKAENA-4M IT | - - - | | 5346 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 TBGA | MTFC16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,9 V. | 100-TBGA (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 980 | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | MMC | - - - | |||||
| MT62F3G32D8DV-023 AUT: b | 109.0500 | | 2781 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | - - - | - - - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - - - | - - - | - - - | 557-MT62F3G32D8DV-023AUT: b | 1 | 4,266 GHz | Flüchtig | 96Gbit | Dram | 3g x 32 | Parallel | - - - | ||||||||
| MT40A1G8SA-075: E Tr | 6.0000 | | 9675 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A1G8 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (7,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,33 GHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 1g x 8 | Parallel | - - - | |||
 | MT46H32M16LFBF-5 IT: C Tr | 5.6600 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-VFBGA | MT46H32M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-VFBGA (8x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| MTFC32GAMALAM-WT | - - - | | 7120 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tablett | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - - - | - - - | MTFC32G | Flash - Nand | - - - | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.520 | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | MMC | - - - | |||||
 | MT41K128M16JT-125 XIT: K Tr | 7.8450 | | 9584 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41K128M16 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-FBGA (8x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 13.75 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | - - - | ||
 | MT29E256G08CECCBH6-6: C Tr | - - - | | 9790 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 152-VBGA | MT29E256G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 152-VBGA (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 167 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - | |||
| MT48H16M16LFBF-75: h | - - - | | 1048 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48H16M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-VFBGA (8x9) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Q4707290 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | |
 | MT35XU512ABA1G12-0AAT | 10.5900 | | 5 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela ™ - mt35x | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT35XU512 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,122 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Xccela -bus | - - - |
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