SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT53E128M32D2FW-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E128M32D2FW-046 WT: a 7.9200
RFQ
ECAD 6308 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 V ~ 1,17 V. 200-TFBGA (10x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 557-MT53E128M32D2FW-046WT: a 1 2.133 GHz Flüchtig 4Gbit 3,5 ns Dram 128 mx 32 Parallel 18ns
MT62F3G32D8DV-026 AIT:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-026 AIT: b 86.2050
RFQ
ECAD 9714 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Kasten Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C. - - - - - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - - - - - - - 557-MT62F3G32D8DV-026AIT: b 1 3,2 GHz Flüchtig 96Gbit Dram 3g x 32 Parallel - - -
PC28F640P33B85D Micron Technology Inc. PC28F640P33B85D - - -
RFQ
ECAD 5700 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 64-Tbga PC28F640 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 64 EasyBga (10x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.800 52 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 85 ns Blitz 4m x 16 Parallel 85ns
N25Q064A13EW94ME Micron Technology Inc. N25Q064A13EW94ME - - -
RFQ
ECAD 7726 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - - - - - N25Q064A13 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.920 108 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 16 mx 4 Spi 8 ms, 5 ms
PC28F256P33T85A Micron Technology Inc. PC28F256P33T85A - - -
RFQ
ECAD 3315 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 64-Tbga PC28F256 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 64 EasyBga (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 144 52 MHz Nicht Flüchtig 256mbit 85 ns Blitz 16m x 16 Parallel 85ns
MT48LC16M8A2FB-7E:G Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2FB-7E: g - - -
RFQ
ECAD 7024 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-fbga MT48LC16M8A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 60-FBGA (8x16) Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 133 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 16 mx 8 Parallel 14ns
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4EZ-062 GEW .- - - -
RFQ
ECAD 7269 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - - - - - MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1.000 1,6 GHz Flüchtig 24gbit Dram 384m x 64 - - - - - -
MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B512M32D2GZ-062 WT ES: B Tr - - -
RFQ
ECAD 3597 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (11x14,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 1,6 GHz Flüchtig 16gbit Dram 512 mx 32 - - - - - -
MTFC16GAPALBH-AAT ES Micron Technology Inc. MTFC16GAPALBH-AAT ES - - -
RFQ
ECAD 7507 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-tfbga MTFC16 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,9 V. 153-TFBGA (11,5x13) - - - 1 (unbegrenzt) 3a991b1a 8542.32.0071 1.520 Nicht Flüchtig 128Gbit Blitz 16g x 8 MMC - - -
MT29F2T08GELCEJ4-QB:C TR Micron Technology Inc. MT29F2T08GELCEJ4-QB: C Tr 39.0600
RFQ
ECAD 8447 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-mt29f2t08gelcej4-QB: Ctr 2.000
N25Q064A13E1241E Micron Technology Inc. N25Q064A13E1241E - - -
RFQ
ECAD 3783 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga N25Q064A13 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-T-PBGA (6x8) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,122 108 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 16 mx 4 Spi 8 ms, 5 ms
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4-AITX: D Tr - - -
RFQ
ECAD 7063 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F4G08 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 512 MX 8 Parallel - - -
M28W160CB70N6E Micron Technology Inc. M28W160CB70N6E - - -
RFQ
ECAD 4887 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) M28W160 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 96 Nicht Flüchtig 16mbit 70 ns Blitz 1m x 16 Parallel 70ns
MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AKCABH2-10IT: a 159,3000
RFQ
ECAD 983 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100 TBGA MT29F128G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 100-TBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1,120 100 MHz Nicht Flüchtig 128Gbit Blitz 16g x 8 Parallel - - -
MT48LC8M16LFF4-10 IT:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFF4-10 ES: g - - -
RFQ
ECAD 1608 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-VFBGA MT48LC8M16 SDRAM - Mobile LPSDR 3v ~ 3,6 V 54-VFBGA (8x8) Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 100 MHz Flüchtig 128mbit 7 ns Dram 8m x 16 Parallel 15ns
N25Q128A11ESECFF TR Micron Technology Inc. N25Q128A11esecff Tr - - -
RFQ
ECAD 5197 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) N25Q128A11 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 8-Sop2 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1.500 108 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 32m x 4 Spi 8 ms, 5 ms
MT29F8G08ABBCAH4:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ABBCAH4: C Tr - - -
RFQ
ECAD 8449 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F8G08 Flash - Nand 1,7 V ~ 1,95 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 8gbit Blitz 1g x 8 Parallel - - -
MT46V64M8P-6T L:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8P-6T L: F Tr - - -
RFQ
ECAD 6883 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V64M8 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 4 (72 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 167 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
MT46V256M4TG-75:A Micron Technology Inc. MT46V256M4TG-75: a - - -
RFQ
ECAD 7113 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V256M4 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop Herunterladen Rohs Nick Konform 5 (48 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 133 MHz Flüchtig 1Gbit 750 ps Dram 256 mx 4 Parallel 15ns
MT41J256M8DA-093:K Micron Technology Inc. MT41J256M8DA-093: k - - -
RFQ
ECAD 7356 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT41J256M8 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 78-FBGA (8x10.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.440 1.066 GHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 256 mx 8 Parallel - - -
MT29F768G08EECBBJ4-37ES:B TR Micron Technology Inc. MT29F768G08EECBBJ4-37ES: B Tr - - -
RFQ
ECAD 4890 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 132-vbga MT29F768G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 132-VBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 267 MHz Nicht Flüchtig 768Gbit Blitz 96G x 8 Parallel - - -
MT29F1T08EBLCHD4-T:C TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCHD4-T: C Tr 20.9850
RFQ
ECAD 6343 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-mt29f1t08eblchd4-t: ctr 2.000
MT53B4DCNY-DC Micron Technology Inc. MT53B4DCNY-DC - - -
RFQ
ECAD 1224 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv MT53B4 SDRAM - Mobile LPDDR4 - - - 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1,190 Flüchtig Dram
MT28HL16GPBB3EBK-0GCT Micron Technology Inc. MT28HL16GPBB3EBK-0GCT - - -
RFQ
ECAD 4639 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 270
MT48LC8M32LFB5-8 IT TR Micron Technology Inc. MT48LC8M32LFB5-8 IT Tr - - -
RFQ
ECAD 7229 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT48LC8M32 SDRAM - Mobile LPSDR 3v ~ 3,6 V 90-VFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 125 MHz Flüchtig 256mbit 7 ns Dram 8m x 32 Parallel 15ns
MT53E512M32D4NQ-053 RS WT:F Micron Technology Inc. MT53E512M32D4NQ-053 RS WT: F. - - -
RFQ
ECAD 5515 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Veraltet - - - 557-MT53E512M32D4NQ-053RSWT: f Veraltet 1
N25Q128A13E12A0F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13E12A0f TR - - -
RFQ
ECAD 2113 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga N25Q128A13 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-T-PBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 108 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 32m x 4 Spi 8 ms, 5 ms
M29W400DB55N1 Micron Technology Inc. M29W400DB55N1 - - -
RFQ
ECAD 9368 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) M29W400 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 96 Nicht Flüchtig 4mbit 55 ns Blitz 512k x 8, 256k x 16 Parallel 55ns
MT46H32M32LFJG-6 IT:A Micron Technology Inc. MT46H32M32LFJG-6 IT: a - - -
RFQ
ECAD 2453 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 168-VFBGA MT46H32M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 168-VFBGA (12x12) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 166 MHz Flüchtig 1Gbit 5 ns Dram 32m x 32 Parallel 15ns
MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53B1G64D8NW-062 WT ES: D Tr - - -
RFQ
ECAD 6302 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53B1G64 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1.000 1,6 GHz Flüchtig 64Gbit Dram 1g x 64 - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus