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Speicher (10402)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
MT48V8M32LFB5-10 IT TR Micron Technology Inc. MT48V8M32LFB5-10 IT Tr - - -
RFQ
 ECAD 2422 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT48V8M32 SDRAM - Mobile LPSDR 2,3 V ~ 2,7 V 90-VFBGA (8x13) - - - ROHS3 -KONFORM 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 100 MHz Flüchtig 256mbit 7 ns Dram 8m x 32 Parallel 15ns
NAND08GW3F2AN6E Micron Technology Inc. NAND08GW3F2AN6E - - -
RFQ
 ECAD 9135 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) NAND08G Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen -Nand08gw3f2an6e 3a991b1a 8542.32.0051 96 Nicht Flüchtig 8gbit 25 ns Blitz 1g x 8 Parallel 25ns
MT46H32M16LFBF-6 AT:B TR Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-6 AT: B Tr - - -
RFQ
 ECAD 9627 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-VFBGA MT46H32M16 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 60-VFBGA (8x9) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 166 MHz Flüchtig 512mbit 5 ns Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT47H32M16NF-25E AIT:H Micron Technology Inc. MT47H32M16NF-25E AIT: h 4.6446
RFQ
 ECAD 2950 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Schüttgut Lets Kaufen -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-FBGA (8x12,5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 1,368 400 MHz Flüchtig 512mbit 400 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT28F800B5SG-8 BET TR Micron Technology Inc. MT28F800B5SG-8 BET TR - - -
RFQ
 ECAD 2795 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) MT28F800B5 Flash - Nor 4,5 V ~ 5,5 V. 44 Also Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 500 Nicht Flüchtig 8mbit 80 ns Blitz 1m x 8, 512k x 16 Parallel 80ns
MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAAHBAAKS-5 WT TR - - -
RFQ
 ECAD 2476 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 137-VFBGA MT29C4G48 Flash - NAND, Mobile LPDRam 1,7 V ~ 1,95 V. 137-VFBGA (13x10.5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 200 MHz NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Blitz, Ram 256 MX 16 (NAND), 64 MX 32 (LPDRAM) Parallel - - -
MT41K256M8DA-107 AIT:K Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-107 AIT: k - - -
RFQ
 ECAD 2747 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT41K256M8 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 78-FBGA (8x10.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 933 MHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 256 mx 8 Parallel - - -
M58LR256KB70ZQ5F TR Micron Technology Inc. M58LR256KB70ZQ5F TR - - -
RFQ
 ECAD 5690 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 88-tfbga M58LR256 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 88-TFBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 66 MHz Nicht Flüchtig 256mbit 70 ns Blitz 16m x 16 Parallel 70ns
MT53E1G64D8NW-053 WT:E Micron Technology Inc. MT53E1G64D8NW-053 WT: e - - -
RFQ
 ECAD 6939 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E1G64 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1,190 1.866 GHz Flüchtig 64Gbit Dram 1g x 64 - - - - - -
MT62F1536M32D4DS-023 IT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-023 IT: B Tr 37.6950
RFQ
 ECAD 3510 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 557-MT62F1536M32D4DS-023it: Btr 2.000
MT29C1G12MAADVAKC-5 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAADVAKC-5 IT - - -
RFQ
 ECAD 1427 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 107-tfbga MT29C1G12 Flash - NAND, Mobile LPDRam 1,7 V ~ 1,95 V. 107-tfbga Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 200 MHz NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) Blitz, Ram 64 MX 16 (NAND), 32 MX 16 (LPDRAM) Parallel - - -
MT47R128M8CF-25:H Micron Technology Inc. MT47R128M8CF-25: h - - -
RFQ
 ECAD 3060 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT47R128M8 SDRAM - DDR2 1,55 V ~ 1,9 V. 60-FBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 400 MHz Flüchtig 1Gbit 400 ps Dram 128 MX 8 Parallel 15ns
NAND128W3A2BN6F TR Micron Technology Inc. NAND128W3A2BN6F TR - - -
RFQ
 ECAD 3759 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) NAND128 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.500 Nicht Flüchtig 128mbit 50 ns Blitz 16 mx 8 Parallel 50ns
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCDBJ5-6R: D Tr - - -
RFQ
 ECAD 6716 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung - - - MT29F256G08 Blitz - Nand (MLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 132-TBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 167 MHz Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 Parallel - - -
MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-053 WT ES: D TR - - -
RFQ
 ECAD 5142 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14,5) - - - 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1.866 GHz Flüchtig 16gbit Dram 512 mx 32 - - - - - -
MT48LC8M8A2P-7E L:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M8A2P-7E L: G TR - - -
RFQ
 ECAD 4689 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC8M8A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 133 MHz Flüchtig 64Mbit 5.4 ns Dram 8m x 8 Parallel 14ns
MT29F2G01AAAEDH4-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F2G01AAAEDH4-IT: E Tr - - -
RFQ
 ECAD 4400 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F2G01 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1.000 Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 2g x 1 Spi - - -
MTFC16GJDEC-2M WT Micron Technology Inc. MTFC16GJDEC-2M WT - - -
RFQ
 ECAD 4542 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 169-WFBGA MTFC16G Flash - Nand 1,65 V ~ 3,6 V. 169-WFBGA (14x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 980 Nicht Flüchtig 128Gbit Blitz 16g x 8 MMC - - -
MT53B384M16D1Z0AQWC1 Micron Technology Inc. MT53B384M16D1Z0AQWC1 - - -
RFQ
 ECAD 8721 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet 0 ° C ~ 85 ° C (TC) - - - - - - MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1 Flüchtig 6gbit Dram 384 MX 16 - - - - - -
ECF620AAACN-C2-Y3-ES Micron Technology Inc. ECF620AAACN-C2-Y3-ES - - -
RFQ
 ECAD 1252 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv ECF620 - - - 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1
MT44K32M18RB-107E:B Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-107E: b 46.0350
RFQ
 ECAD 3773 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 168-Tbga MT44K32M18 Dram 1,28 V ~ 1,42 V. 168-BGA (13,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1,190 933 MHz Flüchtig 576mbit 8 ns Dram 32m x 18 Parallel - - -
MT29F16G16ADACAH4:C Micron Technology Inc. MT29F16G16ADACAH4: c - - -
RFQ
 ECAD 6576 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F16G16 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3277-MT29F16G16ADACAH4: c 3a991b1a 8542.32.0071 1.260 Nicht Flüchtig 16gbit Blitz 1g x 16 Parallel - - -
N25Q064A13EF840F TR Micron Technology Inc. N25Q064A13EF840F TR - - -
RFQ
 ECAD 5040 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-VDFN Exposed Pad N25Q064A13 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-VDFPN (MLP8) (8x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 4.000 108 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 16 mx 4 Spi 8 ms, 5 ms
MT48LC16M8A2P-7E:L Micron Technology Inc. MT48LC16M8A2P-7E: l - - -
RFQ
 ECAD 4371 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC16M8A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 133 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 16 mx 8 Parallel 14ns
MT29F256G08EBCAGJ4-5M:A Micron Technology Inc. MT29F256G08EBCAGJ4-5M: a - - -
RFQ
 ECAD 4144 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 132-vbga MT29F256G08 Flash - Nand (TLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 132-VBGA (12x18) - - - Veraltet 0000.00.0000 1,120 200 MHz Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 Parallel - - -
MT29F64G08AFAAAWP:A TR Micron Technology Inc. MT29F64G08AFAAAWP: a Tr - - -
RFQ
 ECAD 1902 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F64G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 Parallel - - -
MT29TZZZ5D6EKFRL-107 W.96R TR Micron Technology Inc. MT29TZZZ5D6EKFRL-107 W.96R TR - - -
RFQ
 ECAD 6870 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet MT29TZZZ5 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1.000
MT48LC16M16A2FG-7E:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2FG-7E: d - - -
RFQ
 ECAD 1631 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-VFBGA MT48LC16M16A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-VFBGA (8x14) Herunterladen Rohs Nick Konform 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 16m x 16 Parallel 14ns
MT49H16M18FM-25 IT:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18FM-25 IT: B Tr - - -
RFQ
 ECAD 6208 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 144-tfbga MT49H16M18 Dram 1,7 V ~ 1,9 V. 144-µbga (18,5x11) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0028 1.000 400 MHz Flüchtig 288mbit 20 ns Dram 16m x 18 Parallel - - -
MT29E2T08CUHBBM4-3:B TR Micron Technology Inc. MT29E2T08CUHBBM4-3: B Tr - - -
RFQ
 ECAD 6737 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - - - - - MT29E2T08 Flash - Nand 2,5 V ~ 3,6 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 333 MHz Nicht Flüchtig 2tbit Blitz 256g x 8 Parallel - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

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    15.000 m2

    Lagerhaus

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