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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MTFC128GASAONS-AAT | 73.7250 | ![]() | 8085 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 153-tfbga | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-TFBGA (11,5x13) | - - - | 557-MTFC128GASAONS-AAT | 1 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 1Tbit | Blitz | 128g x 8 | UFS2.1 | - - - | ||||||||
![]() | PC28F320J3F75B TR | - - - | ![]() | 4714 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | PC28F320 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64 EasyBga (10x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 75 ns | Blitz | 4m x 8, 2m x 16 | Parallel | 75ns | |||
![]() | N25Q00AA13GSF40F TR | - - - | ![]() | 5428 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | N25Q00AA13 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16 Also | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 256 mx 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||
![]() | MTFC16GAPALBH-AIT ES TR | - - - | ![]() | 3746 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-tfbga | MTFC16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,9 V. | 153-TFBGA (11,5x13) | - - - | 1 (unbegrenzt) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | MMC | - - - | ||||||
![]() | MT28F400B3SG-8 b | - - - | ![]() | 3010 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) | MT28F400B3 | Flash - Nor | 3v ~ 3,6 V | 44 Also | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | Nicht Flüchtig | 4mbit | 80 ns | Blitz | 512k x 8, 256k x 16 | Parallel | 80ns | |||
![]() | MT29C8G48MAZAPBJA-5 IT | - - - | ![]() | 8777 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 137-tfbga | MT29C8G48 | Flash - NAND, Mobile LPDRam | 1,7 V ~ 1,95 V. | 137-TFBGA (10,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 8gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) | Blitz, Ram | 512 MX 16 (NAND), 64 MX 32 (LPDRAM) | Parallel | - - - | ||||
![]() | MT46H64M32LFMA-5 ES: a Tr | - - - | ![]() | 7409 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 168-WFBGA | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-WFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5 ns | Dram | 64m x 32 | Parallel | 15ns | |||
![]() | MT35XU256ABA1G12-0AAT | - - - | ![]() | 1604 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela ™ - mt35x | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT35XU256 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,122 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Xccela -bus | - - - | |||
MT47H64M8CF-25E: G Tr | - - - | ![]() | 3189 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-FBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.000 | 400 MHz | Flüchtig | 512mbit | 400 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | |||
MT48H16M32L2B5-8 IT | - - - | ![]() | 2861 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48H16M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,9 V. | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 125 MHz | Flüchtig | 512mbit | 7,5 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | - - - | |||
![]() | M29W128GH70ZS6E | - - - | ![]() | 7151 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | M29W128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (11x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 960 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 70 ns | Blitz | 16m x 8, 8m x 16 | Parallel | 70ns | |||
N25Q064A13E12D1F TR | - - - | ![]() | 6068 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | N25Q064A13 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 16 mx 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||||
![]() | MT44K32M36RB-093F: a | - - - | ![]() | 9024 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-Tbga | MT44K32M36 | RLDRAM 3 | 1,28 V ~ 1,42 V. | 168-BGA (13,5x13,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,190 | 1.066 GHz | Flüchtig | 1.125Gbit | 7,5 ns | Dram | 32 mx 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | MT29F128G08CBECBH6-12M: C Tr | - - - | ![]() | 5450 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 152-VBGA | MT29F128G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 152-VBGA (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | Parallel | - - - | |||
MT29F2G08ABAGAWP-AAT: g | 2.7962 | ![]() | 3989 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F2G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT29F2G08ABAGAWP-AAT: g | 8542.32.0071 | 960 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | 20ns | ||||
![]() | MT29F32G08AFABAWP-IT: B Tr | - - - | ![]() | 6557 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F32G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 32Gbit | Blitz | 4g x 8 | Parallel | - - - | |||||
![]() | MT28EW01GABA1LPC-0SIT | - - - | ![]() | 3897 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | MT28EW01 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-lbga (11x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,104 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 95 ns | Blitz | 128 mx 8, 64 mx 16 | Parallel | 60ns | |||
![]() | MT53D4DESB-DC | - - - | ![]() | 3677 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | MT53D4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1,190 | |||||||||||||||||||
![]() | MT25QU128ABA1ESF-0SIT TR | - - - | ![]() | 4531 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | MT25QU128 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 16 Also | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | |||
![]() | MT58L256L32FS-8.5it | 18.9100 | ![]() | 9504 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 8mbit | 8.5 ns | Sram | 256k x 32 | Parallel | - - - | |||
![]() | MT53D4D1ABP-DC | - - - | ![]() | 2811 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | MT53D4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | M25P10-AVMN3P/x | - - - | ![]() | 5520 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | M25P10 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -M25P10-AV-MN3P/x | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 50 MHz | Nicht Flüchtig | 1Mbit | Blitz | 128k x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | ||
![]() | MT41J128M8JP-125: G Tr | - - - | ![]() | 4097 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT41J128M8 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-FBGA (8x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | Dram | 128 MX 8 | Parallel | - - - | ||||
![]() | M25P05-AVMN6P | - - - | ![]() | 8412 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | M25P05-A | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 50 MHz | Nicht Flüchtig | 512Kbit | Blitz | 64k x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | |||
![]() | MT29F2G08ABBEAH4-IT: E Tr | 4.2400 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | - - - | ||||
MT48H4M16LFF4-8 IT | - - - | ![]() | 9077 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,9 V. | 54-VFBGA (8x8) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 125 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 6 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | MTFC32GAPALBH-AIT | - - - | ![]() | 1496 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tablett | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-tfbga | MTFC32G | Flash - Nand | - - - | 153-TFBGA (11,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.520 | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | MMC | - - - | ||||
![]() | MT29F1G08ABBDAHC-IT: D Tr | - - - | ![]() | 8041 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F1G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (10,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Parallel | - - - | ||||
![]() | MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T TR | - - - | ![]() | 4595 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C. | - - - | - - - | MT29TZZZ8 | Flash - Nand, Dram - LPDDR3 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | 800 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 64Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR3) | Blitz, Ram | 68G x 8 (NAND), 256 MX 32 (LPDDR3) | MMC, LPDRAM | - - - | |||
![]() | MT42L64M64D2MC-3 IT: a | - - - | ![]() | 2748 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 240-WFBGA | MT42L64M64 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,3 V. | 240-FBGA (14x14) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 333 MHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 64m x 64 | Parallel | - - - |
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