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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT28EW01GABA1LPC-0SIT | - - - |  | 3897 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | MT28EW01 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-lbga (11x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,104 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 95 ns | Blitz | 128 mx 8, 64 mx 16 | Parallel | 60ns | |||
 | MT53D4DESB-DC | - - - | | 3677 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | MT53D4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1,190 | |||||||||||||||||||
 | MT25QU128ABA1ESF-0SIT TR | - - - | | 4531 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | MT25QU128 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 16 Also | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | |||
 | MT58L256L32FS-8.5it | 18.9100 | | 9504 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 8mbit | 8.5 ns | Sram | 256k x 32 | Parallel | - - - | |||
| MT53D4D1ABP-DC | - - - | | 2811 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | MT53D4 | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | M25P10-AVMN3P/x | - - - | | 5520 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | M25P10 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -M25P10-AV-MN3P/x | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 50 MHz | Nicht Flüchtig | 1Mbit | Blitz | 128k x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | ||
 | MT41J128M8JP-125: G Tr | - - - | | 4097 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT41J128M8 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-FBGA (8x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | Dram | 128 MX 8 | Parallel | - - - | ||||
| M25P05-AVMN6P | - - - | | 8412 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | M25P05-A | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 50 MHz | Nicht Flüchtig | 512Kbit | Blitz | 64k x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT29F2G08ABBEAH4-IT: E Tr | 4.2400 | | 38 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT48H4M16LFF4-8 IT | - - - | | 9077 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48H4M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,9 V. | 54-VFBGA (8x8) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 125 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 6 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | MTFC32GAPALBH-AIT | - - - | | 1496 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tablett | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-tfbga | MTFC32G | Flash - Nand | - - - | 153-TFBGA (11,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.520 | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | MMC | - - - | ||||
| MT42L64M64D2MC-3 IT: a | - - - | | 2748 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 240-WFBGA | MT42L64M64 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,3 V. | 240-FBGA (14x14) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 333 MHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 64m x 64 | Parallel | - - - | ||||
 | N25Q256A83E1241E | - - - | | 5801 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | N25Q256A83 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-T-PBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 64m x 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||
 | MT40A2G8FSE-093E: a Tr | - - - | | 8090 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A2G8 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (9,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.066 GHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 2g x 8 | Parallel | - - - | |||
| MT29F2T08CQHBBG2-3RES: B Tr | - - - | | 1606 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | - - - | MT29F2T08 | Flash - Nand | 2,5 V ~ 3,6 V. | 272-TBGA (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 333 MHz | Nicht Flüchtig | 2tbit | Blitz | 256g x 8 | Parallel | - - - | |||
| MT46V64M8TG-5B: J. | - - - | | 7584 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V64M8 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | |||
 | MT45W4MW16BBB-706 L WT | - - - | | 2337 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Abgebrochen bei Sic | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT45W4MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-VFBGA (6x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Parallel | 70ns | |||
| MT62F2G32D4DS-023 FAAT: c | 63.8550 | | 5581 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-MT62F2G32D4DS-023FAAT: c | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT53D1024M32D4DT-046 AUT: d | - - - | | 1330 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | - - - | - - - | ||||
| MT53B256M32D1PX-062 XT: C Tr | - - - | | 9581 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 256 mx 32 | - - - | - - - | |||
| NAND256W3A2BZAXE | - - - | | 2144 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 55-tfbga | NAND256 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 55-VFBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1,518 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 50 ns | Blitz | 32m x 8 | Parallel | 50ns | |||
 | MT29F256G08CECABH6-6: a | - - - | | 3587 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 152-VBGA | MT29F256G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 152-VBGA (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | Parallel | - - - | |||
| MT25TL512HBA8ESF-0AAT TR | 10.3950 | | 6998 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | MT25TL512 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-Sop2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi | 8 ms, 2,8 ms | |||
| EDFA232A2PB-GD-FD | - - - | | 5773 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | - - - | EDFA232 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 216-FBGA (12x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.680 | 800 MHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 512 mx 32 | Parallel | - - - | ||||
 | MT41J128M16JT-093: K Tr | - - - | | 7015 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41J128M16 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-FBGA (8x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.066 GHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | - - - | ||
 | MT35XU01GBBA1G12-0SIT TR | 14.9250 | | 6449 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela ™ - mt35x | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT35XU01 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | Blitz | 128 MX 8 | Xccela -bus | - - - | |||
 | MT46V128M4FN-75Z: D Tr | - - - | | 3196 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | MT46V128M4 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12,5) | - - - | Rohs Nick Konform | 5 (48 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 750 ps | Dram | 128 mx 4 | Parallel | 15ns | ||
| M29W128GL70ZS3F TR | - - - | | 8546 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | M29W128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (11x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.800 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 70 ns | Blitz | 16m x 8, 8m x 16 | Parallel | 70ns | |||
 | JS28F128M29EWHA | - - - | | 4832 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | JS28F128M29 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 56-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 96 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 70 ns | Blitz | 16m x 8, 8m x 16 | Parallel | 70ns | |||
 | MT53E256M32D1KS-046 AAT: L Tr | 15.0700 | | 9427 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | 200-VFBGA | 200-VFBGA (10x14,5) | - - - | UnberÜHrt Ereichen | 557-MT53E256M32D1KS-046AAT: LTR | 1 |
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