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Bild | Produktnummer | Preisgestaltung (USD) | Menge | ECAD | Menge verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montagetyp | Paket / Fall | Grundproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Lieferantengerätepaket | Datenblatt | ROHS -Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | Status erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeit schreiben - Wort, Seite |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT53D1024M32D4DT-046 AIT: D Tr | 35,5500 | ![]() | 1052 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Letztes Kaufen | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14,5) | - - | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | Unberührt erreichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2,133 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | - - | - - | |||
![]() | EDW2032BBBG-6A-FD | - - | ![]() | 9770 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 170-tfbga | EDW2032 | SGRAM - GDDR5 | 1,31 V ~ 1,65 V | 170-FBGA (12x14) | herunterladen | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.440 | 1,5 GHz | Flüchtig | 2Gbit | RAM | 64m x 32 | Parallel | - - | ||||
![]() | MT41K128M8JP-125: g | - - | ![]() | 8314 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT41K128M8 | SDRAM - DDR3L | 1,283V ~ 1,45 V | 78-FBGA (8x11.5) | herunterladen | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 13.75 ns | Dram | 128 m x 8 | Parallel | - - | |||
![]() | MT46H128M32L2KQ-6 IT: b | - - | ![]() | 3636 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 168-WFBGA | MT46H128M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 168-WFBGA (12x12) | herunterladen | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 166 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5 ns | Dram | 128 m x 32 | Parallel | 15ns | |||
![]() | MT29F512G08AUEBBH8-12: b | - - | ![]() | 5260 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 152-lbga | MT29F512G08 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 152 lbga (14x18) | - - | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | Unberührt erreichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 980 | 83 MHz | Nicht flüchtig | 512Gbit | BLITZ | 64g x 8 | Parallel | - - | |||
![]() | RC28F640J3F75B TR | - - | ![]() | 3240 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | RC28F640 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V | 64 EasyBga (10x13) | - - | ROHS3 -konform | 1 (unbegrenzt) | Unberührt erreichen | VERALTET | 0000.00.0000 | 2.000 | Nicht flüchtig | 64Mbit | 75 ns | BLITZ | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 75ns | |||
![]() | MTFC256GBCAQTC-AAT ES | 99.4350 | ![]() | 4590 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Kasten | Aktiv | - - | 557-MTFC256GBCAQTC-AATES | 1 | |||||||||||||||||||||
MT48H8M32LFB5-75 IT: G Tr | - - | ![]() | 8081 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48H8M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-VFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | Unberührt erreichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | 15ns | |||
![]() | M29F200ft5an6f2 tr | - - | ![]() | 8562 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm Breite) | M29F200 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-tsop | herunterladen | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht flüchtig | 2mbit | 55 ns | BLITZ | 256k x 8, 128k x 16 | Parallel | 55ns | ||||
![]() | MT43A4G40200NFA-S15: a | 600.0000 | ![]() | 2901 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Schüttgut | Aktiv | MT43A4 | - - | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | Unberührt erreichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 240 | ||||||||||||||||
![]() | PC28F128P33TF60E TR | - - | ![]() | 7747 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | PC28F128 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V | 64 EasyBga (8x10) | herunterladen | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | 52 MHz | Nicht flüchtig | 128mbit | 60 ns | BLITZ | 8m x 16 | Parallel | 60ns | |||
![]() | M29W160ET70N6F TR | - - | ![]() | 2950 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm Breite) | M29W160 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-tsop | herunterladen | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | Unberührt erreichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht flüchtig | 16mbit | 70 ns | BLITZ | 2m x 8, 1m x 16 | Parallel | 70ns | |||
![]() | MT28F008B3VG-9 b | - - | ![]() | 4764 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 40-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm Breite) | MT28F008B3 | Flash - Nor | 3v ~ 3,6 V | 40-tsop i | herunterladen | ROHS nicht konform | 1 (unbegrenzt) | Unberührt erreichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht flüchtig | 8mbit | 90 ns | BLITZ | 1m x 8 | Parallel | 90ns | |||
![]() | TE28F256P33B95A | - - | ![]() | 7957 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm Breite) | 28f256p33 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V | 56-tsop | herunterladen | ROHS nicht konform | 2 (1 Jahr) | Unberührt erreichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 96 | 40 MHz | Nicht flüchtig | 256mbit | 95 ns | BLITZ | 16m x 16 | Parallel | 95ns | ||
![]() | MT29F4G08ABADAH4-ITE: D Tr | - - | ![]() | 3309 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F4G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - - | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | Unberührt erreichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht flüchtig | 4Gbit | BLITZ | 512 m x 8 | Parallel | - - | ||||
![]() | MTFC8GLDEA-1M WT TR | - - | ![]() | 8567 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-WFBGA | MTFC8 | Flash - Nand | 1,65 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | herunterladen | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | Unberührt erreichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht flüchtig | 64Gbit | BLITZ | 8g x 8 | MMC | - - | ||||
![]() | MT62F512M64D4EK-031 AIT: B Tr | 29.6100 | ![]() | 9924 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automobile, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C. | Oberflächenhalterung | 441-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - - | 441-tfbga (14x14) | - - | 557-MT62F512M64D4EK-031AIT: BTR | 1.500 | 3,2 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 512 m x 64 | Parallel | - - | ||||||||
![]() | MTFC16GAPALGT-AAT | 27.2300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Schüttgut | Abgebrochen bei sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | MTFC16 | Flash - Nand | - - | - - | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | Unberührt erreichen | 557-MTFC16Gapalgt-Aat | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.520 | Nicht flüchtig | 128Gbit | BLITZ | 16g x 8 | MMC | - - | ||||||
![]() | M29W256GH7AZS6F TR | - - | ![]() | 1417 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | M29W256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (11x13) | herunterladen | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | Unberührt erreichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.800 | Nicht flüchtig | 256mbit | 70 ns | BLITZ | 32m x 8, 16 m x 16 | Parallel | 70ns | |||
![]() | MT48LC4M32B2P-7 IT: G Tr | - - | ![]() | 9950 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breite) | MT48LC4M32B2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | herunterladen | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | Unberührt erreichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 143 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.5 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | 14ns | ||
![]() | N25Q128A11B1240f TR | - - | ![]() | 1623 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | N25Q128A11 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | Unberührt erreichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | Nicht flüchtig | 128mbit | BLITZ | 16 m x 8 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||
![]() | MT53B256M32D1PX-062 XT ES: C Tr | - - | ![]() | 1390 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - - | - - | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - | - - | 3 (168 Stunden) | Unberührt erreichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 256 m x 32 | - - | - - | ||||
![]() | EDF8165A3MC-GD-FR | - - | ![]() | 6681 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - | - - | - - | EDF8165 | - - | - - | - - | - - | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | Unberührt erreichen | 0000.00.0000 | 2.000 | - - | - - | - - | - - | - - | ||||||
MT48V4M32LFB5-8: G Tr | - - | ![]() | 9279 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48V4M32 | SDRAM - Mobile LPSDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 90-VFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3 -konform | 2 (1 Jahr) | Unberührt erreichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 125 MHz | Flüchtig | 128mbit | 7 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | 15ns | |||
![]() | N25Q008A11ESC40F TR | - - | ![]() | 2539 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | N25Q008A11 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | - - | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | Unberührt erreichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | Nicht flüchtig | 8mbit | BLITZ | 1m x 8 | Spi | 8 ms, 5 ms | ||||||
![]() | MTFC64GAZAQHD-AAT | 38.9100 | ![]() | 7567 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-VFBGA | MTFC64 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | - - | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | Unberührt erreichen | 557-MTFC64GAZAQHD-AAT | 1 | Nicht flüchtig | 512Gbit | BLITZ | 64g x 8 | EMMC | - - | |||||
MT40A1G8SA-062E: E Tr | 6.0000 | ![]() | 1546 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A1G8 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (7,5x11) | herunterladen | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | Unberührt erreichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 8gbit | Dram | 1g x 8 | Parallel | - - | ||||
![]() | MT28F400B5WG-8 T | - - | ![]() | 7978 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm Breite) | MT28F400B5 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-tsop i | herunterladen | ROHS nicht konform | 1 (unbegrenzt) | Unberührt erreichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht flüchtig | 4mbit | 80 ns | BLITZ | 512k x 8, 256k x 16 | Parallel | 80ns | |||
![]() | M25P16-VMN6TPBA TR | - - | ![]() | 2070 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breite) | M25P16 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-so | herunterladen | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | Unberührt erreichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 75 MHz | Nicht flüchtig | 16mbit | BLITZ | 2m x 8 | Spi | 15 ms, 5 ms | |||
![]() | MT45W8MW16BGX-701 IT | - - | ![]() | 8648 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT45W8MW16 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (8x10) | herunterladen | ROHS3 -konform | 3 (168 Stunden) | Unberührt erreichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | 104 MHz | Flüchtig | 128mbit | 70 ns | Psram | 8m x 16 | Parallel | 70ns |
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