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Speicher (10402)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
EDF8165A3MC-GD-F-R Micron Technology Inc. EDF8165A3MC-GD-FR - - -
RFQ
 ECAD 6681 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - - - - - - - EDF8165 - - - - - - - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 2.000 - - - - - - - - - - - - - - -
MTFC32GAOALEA-WT ES TR Micron Technology Inc. MTFC32GAOALEA-WT ES TR - - -
RFQ
 ECAD 1015 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic MTFC32G - - - UnberÜHrt Ereichen 0000.00.0000 1.000
PC28F128P33T85A Micron Technology Inc. PC28F128P33T85A - - -
RFQ
 ECAD 7371 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 64-Tbga PC28F128 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 64 EasyBga (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.800 52 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 85 ns Blitz 8m x 16 Parallel 85ns
M29W256GH7AZS6F TR Micron Technology Inc. M29W256GH7AZS6F TR - - -
RFQ
 ECAD 1417 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-lbga M29W256 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64-FBGA (11x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.800 Nicht Flüchtig 256mbit 70 ns Blitz 32m x 8, 16 mx 16 Parallel 70ns
MT48LC4M32B2P-7 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M32B2P-7 IT: G TR - - -
RFQ
 ECAD 9950 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC4M32B2 Sdram 3v ~ 3,6 V 86-TSOP II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.000 143 MHz Flüchtig 128mbit 5.5 ns Dram 4m x 32 Parallel 14ns
MT62F3G32D8DV-023 WT:B Micron Technology Inc. MT62F3G32D8DV-023 WT: b 67.8450
RFQ
 ECAD 1304 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv -25 ° C ~ 85 ° C. - - - - - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - - - - - - - 557-MT62F3G32D8DV-023WT: b 1 4,266 GHz Flüchtig 96Gbit Dram 3g x 32 Parallel - - -
MT45W8MW16BGX-701 IT Micron Technology Inc. MT45W8MW16BGX-701 IT - - -
RFQ
 ECAD 8648 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 54-VFBGA MT45W8MW16 Psram (pseudo sram) 1,7 V ~ 1,95 V. 54-VFBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0041 1.000 104 MHz Flüchtig 128mbit 70 ns Psram 8m x 16 Parallel 70ns
MT47H128M8B7-5E:A Micron Technology Inc. MT47H128M8B7-5E: a - - -
RFQ
 ECAD 7319 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 92-tfbga MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 92-FBGA (11x19) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.000 200 MHz Flüchtig 1Gbit 600 ps Dram 128 MX 8 Parallel 15ns
MT41K128M8DA-107 IT:J Micron Technology Inc. MT41K128M8DA-107 IT: J. - - -
RFQ
 ECAD 1403 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT41K128M8 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 78-FBGA (8x10.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.440 933 MHz Flüchtig 1Gbit 20 ns Dram 128 MX 8 Parallel - - -
MTFC64GAZAQHD-AAT Micron Technology Inc. MTFC64GAZAQHD-AAT 38.9100
RFQ
 ECAD 7567 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 153-VFBGA MTFC64 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 153-VFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 557-MTFC64GAZAQHD-AAT 1 Nicht Flüchtig 512Gbit Blitz 64g x 8 EMMC - - -
M25P20-VMN6TPB TR Micron Technology Inc. M25P20-VMN6TPB TR - - -
RFQ
 ECAD 7607 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) M25P20 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 2.500 75 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi 15 ms, 5 ms
M25P16-VMN6TPBA TR Micron Technology Inc. M25P16-VMN6TPBA TR - - -
RFQ
 ECAD 2070 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) M25P16 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 2.500 75 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi 15 ms, 5 ms
MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1PX-062 XT ES: C Tr - - -
RFQ
 ECAD 1390 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - - - - - MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1,6 GHz Flüchtig 8gbit Dram 256 mx 32 - - - - - -
MT29F128G08AKAAAC5-ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AKAAAC5-ITZ: a - - -
RFQ
 ECAD 5021 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 52-vlga MT29F128G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 52-vlga (18x14) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 128Gbit Blitz 16g x 8 Parallel - - -
MT40A1G8SA-062E:E TR Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E: E Tr 6.0000
RFQ
 ECAD 1546 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 78-FBGA (7,5x11) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1,6 GHz Flüchtig 8gbit Dram 1g x 8 Parallel - - -
MT42L256M32D4KP-25 IT:A Micron Technology Inc. MT42L256M32D4KP-25 IT: a - - -
RFQ
 ECAD 3155 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 168-VFBGA MT42L256M32 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 V ~ 1,3 V. 168-FBGA (12x12) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0036 1.000 400 MHz Flüchtig 8gbit Dram 256 mx 32 Parallel - - -
N25Q128A11B1240F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11B1240f TR - - -
RFQ
 ECAD 1623 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga N25Q128A11 Flash - Nor 1,7 V ~ 2 V 24-T-PBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 108 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi 8 ms, 5 ms
MT28HL16GJBB3ERK-0SCT Micron Technology Inc. MT28HL16GJBB3ERK-0SCT - - -
RFQ
 ECAD 5429 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 960
MT48H16M32LFCM-75 IT:B TR Micron Technology Inc. MT48H16M32LFCM-75 IT: B Tr - - -
RFQ
 ECAD 9457 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT48H16M32 SDRAM - Mobile LPSDR 1,7 V ~ 1,95 V. 90-VFBGA (10x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 512mbit 5.4 ns Dram 16 mx 32 Parallel 15ns
MT62F512M32D2DS-031 WT:B Micron Technology Inc. MT62F512M32D2DS-031 WT: b 12.2400
RFQ
 ECAD 5935 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv -25 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 200-WFBGA (10x14,5) - - - 557-MT62F512M32D2DS-031WT: b 1 3,2 GHz Flüchtig 16gbit Dram 512 mx 32 Parallel - - -
MT48LC32M8A2P-6A:G TR Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2P-6A: G Tr - - -
RFQ
 ECAD 3195 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC32M8A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 2.000 167 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 32m x 8 Parallel 12ns
MT53E1G64D4NZ-46 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E1G64D4NZ-46 WT: C Tr 76.0350
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 376-WFBGA MT53E1G64 SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 V ~ 1,17 V. 376-WFBGA (14x14) - - - UnberÜHrt Ereichen 557-MT53E1G64D4NZ-46WT: Ctr 2.000 2.133 GHz Flüchtig 64Gbit 3,5 ns Dram 1g x 64 Parallel 18ns
N2M400GDB321A3CE Micron Technology Inc. N2M400GDB321A3CE - - -
RFQ
 ECAD 6109 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung - - - N2M400 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 98 52 MHz Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 MMC - - -
MT46V128M4FN-75Z:D Micron Technology Inc. MT46V128M4FN-75Z: d - - -
RFQ
 ECAD 3780 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga MT46V128M4 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 60-FBGA (10x12,5) - - - Rohs Nick Konform 5 (48 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 512mbit 750 ps Dram 128 mx 4 Parallel 15ns
MT29F128G08AMCDBJ5-6IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCDBJ5-6it: D Tr - - -
RFQ
 ECAD 9932 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung - - - MT29F128G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 132-TBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 167 MHz Nicht Flüchtig 128Gbit Blitz 16g x 8 Parallel - - -
M50FLW080BNB5G Micron Technology Inc. M50FLW080BNB5G - - -
RFQ
 ECAD 8689 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 32-TFSOP (0,488 ", 12,40 mm BreiTe) M50FLW080 Flash - Nor 3v ~ 3,6 V 32-tsop - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 208 33 MHz Nicht Flüchtig 8mbit 250 ns Blitz 1m x 8 Parallel - - -
MT46V32M16TG-75E:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16TG-75E: C Tr - - -
RFQ
 ECAD 5255 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT46V32M16 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop - - - Rohs Nick Konform 4 (72 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 512mbit 750 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
MT48LC8M32LFB5-10 IT Micron Technology Inc. MT48LC8M32LFB5-10 IT - - -
RFQ
 ECAD 3073 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-VFBGA MT48LC8M32 SDRAM - Mobile LPSDR 3v ~ 3,6 V 90-VFBGA (8x13) - - - ROHS3 -KONFORM 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 100 MHz Flüchtig 256mbit 7 ns Dram 8m x 32 Parallel 15ns
MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAAGBAAKS-5 WT TR - - -
RFQ
 ECAD 5113 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 137-VFBGA MT29C4G48 Flash - NAND, Mobile LPDRam 1,7 V ~ 1,95 V. 137-VFBGA (13x10.5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 200 MHz NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Blitz, Ram 512 MX 8 (NAND), 64 MX 32 (LPDRAM) Parallel - - -
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B1024M32D4NQ-053 WT: C Tr - - -
RFQ
 ECAD 6762 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-VFBGA MT53B1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14,5) - - - 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1.866 GHz Flüchtig 32Gbit Dram 1g x 32 - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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