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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT48H16M16LFBF-6 IT: h | - - - |  | 6087 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48H16M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-VFBGA (8x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | MT40A256M16GE-083E IT: B Tr | - - - | | 6838 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT40A256M16 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 96-FBGA (9x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,2 GHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 256 mx 16 | Parallel | - - - | |||
 | M29DW128F60ZA6E | - - - | | 8204 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | M29DW128 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-TBGA (10x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 136 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 60 ns | Blitz | 16m x 8, 8m x 16 | Parallel | 60ns | |||
| MT29TZZZAD7EKKFB-107 W.97R TR | - - - | | 3643 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | ||||||||||||||||||
 | MT48LC4M16A2P-75: g | - - - | | 2332 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC4M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT48LC4M16A2P75G | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | 15ns | |
 | MT48H32M16LFB4-6 IT: C Tr | 7.6400 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48H32M16 | SDRAM - Mobile LPSDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-VFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | MTFC16GAKAEEF-AIT | - - - | | 5962 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 169-tfbga | MTFC16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,9 V. | 169-tfbga (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 980 | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | MMC | - - - | |||||
 | MTFC128GAJAECE-5M AIT | - - - | | 9927 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 169-LFBGA | MTFC128 | Flash - Nand | - - - | 169-LFBGA (14x18) | - - - | 1 (unbegrenzt) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 980 | Nicht Flüchtig | 1Tbit | Blitz | 128g x 8 | MMC | - - - | ||||||
 | MT29F8G16ADBDAH4: d | - - - | | 3016 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F8G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 8gbit | Blitz | 512 mx 16 | Parallel | - - - | |||||
 | MT58V1MV18FT-7 | 23.5000 | | 53 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Standard | 2.375 V ~ 2,625 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 18mbit | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | |||||
| MT29F8T08GULCEM4-QJ: c | 156.3000 | | 1535 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Aktiv | - - - | 557-mt29f8t08gulcem4-QJ: c | 1 | |||||||||||||||||||||
 | N25Q128A13TF840E | - - - | | 2648 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | N25Q128A13 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 320 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 32m x 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | ||||
| MT53B192M32D1Z0AMWC1 | - - - | | 2800 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | - - - | - - - | MT53B192 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | Flüchtig | 6gbit | Dram | 192m x 32 | - - - | - - - | ||||||
| MT62F2G32D4DS-026 AAT ES: B | 63.8550 | | 9544 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1,05 v | 200-WFBGA (10x14,5) | - - - | 557-MT62F2G32D4DS-026AATES: b | 1 | 3,2 GHz | Flüchtig | 64Gbit | Dram | 2g x 32 | Parallel | - - - | ||||||||
| MT29F2G08ABDHC: D Tr | - - - | | 2150 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F2G08 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (10,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | - - - | ||||
 | MT53D1024M64D8NW-046 WT: D Tr | - - - | | 4207 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 432-vfbga | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 432-VFBGA (15x15) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 2.133 GHz | Flüchtig | 64Gbit | Dram | 1g x 64 | - - - | - - - | |||
 | MT58L64V36PT-7,5 | 4.1500 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 2mbit | 4 ns | Sram | 64k x 36 | Parallel | - - - | ||||||
 | MT47H64M8CB-5E ES: b | - - - | | 3056 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-fbga | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-fbga | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 600 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||
 | MT53E128M32D2FW-046 AAT: a | 8.7450 | | 4118 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V. | 200-TFBGA (10x14,5) | - - - | 557-MT53E128M32D2FW-046AAT: a | 1 | 2.133 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 3,5 ns | Dram | 128 mx 32 | Parallel | 18ns | |||||||
 | MT46H128M32L2KQ-5 WT: b | - - - | | 9545 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 168-WFBGA | MT46H128M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-WFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5 ns | Dram | 128 mx 32 | Parallel | 15ns | |||
| MT48LC128M4A2TG-75: C Tr | - - - | | 6833 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC128M4A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 128 mx 4 | Parallel | 15ns | ||
| N25Q032A13EV741 | - - - | | 7579 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | - - - | - - - | N25Q032A13 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 8m x 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||
| M29W800DT70ZM6f Tr | - - - | | 9639 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | - - - | M29W800 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.500 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 70 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 70ns | ||||
 | MT46V64M8TG-5B: D Tr | - - - | | 2802 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT46V64M8 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||
 | MT29F512G08CMEABH7-12: a Tr | - - - | | 5426 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 152-Tbga | MT29F512G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 152-TBGA (14x18) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 512Gbit | Blitz | 64g x 8 | Parallel | - - - | ||||
| MT29PZZZ8D4BKFSK-18 W.94L TR | - - - | | 4195 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | |||||||||||||||||
 | MT28F800B3SG-9 Wette | - - - | | 9228 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-Soic (0,496 ", 12,60 mm Breit) | MT28F800B3 | Flash - Nor | 3v ~ 3,6 V | 44 Also | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 500 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 90 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 90ns | |||
| MT29F2G16ABBEAH4: E Tr | - - - | | 9372 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | MT29F2G16 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 1,95 V. | 63-VFBGA (9x11) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 128 MX 16 | Parallel | - - - | ||||
 | MT28F800B5WP-8 B Tr | - - - | | 5842 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT28F800B5 | Flash - Nor | 4,5 V ~ 5,5 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 8mbit | 80 ns | Blitz | 1m x 8, 512k x 16 | Parallel | 80ns | |||
| MT48LC16M16A2B4-6A AIT: g | - - - | | 4103 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-VFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,560 | 167 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 12ns |
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