SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
JS28F128P33B85A Micron Technology Inc. JS28F128P33B85A - - -
RFQ
ECAD 2913 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) JS28F128P33 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 56-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 576 40 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 85 ns Blitz 8m x 16 Parallel 85ns
M25PE40-VMC6G Micron Technology Inc. M25PE40-VMC6G - - -
RFQ
ECAD 6462 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-VDFN Exposed Pad M25PE40 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-mlp (3x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 2.940 75 MHz Nicht Flüchtig 4mbit Blitz 512k x 8 Spi 15 ms, 3 ms
M50FW040N5TG TR Micron Technology Inc. M50FW040N5TG TR - - -
RFQ
ECAD 1178 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 40-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) M50FW040 Flash - Nor 3v ~ 3,6 V 40-tsop - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 1.500 33 MHz Nicht Flüchtig 4mbit 250 ns Blitz 512k x 8 Parallel - - -
MT40A512M8RH-083E AUT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E AUT: B Tr - - -
RFQ
ECAD 8613 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT40A512M8 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 78-FBGA (9x10.5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 1,2 GHz Flüchtig 4Gbit Dram 512 MX 8 Parallel - - -
EDF8164A3MD-GD-F-R Micron Technology Inc. EDF8164A3MD-GD-FR - - -
RFQ
ECAD 1529 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - - - - - EDF8164 SDRAM - Mobile LPDDR3 1,14 V ~ 1,95 V. - - - - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8542.32.0036 1 800 MHz Flüchtig 8gbit Dram 128 MX 64 Parallel - - -
MT29F4G16ABAEAWP:E TR Micron Technology Inc. MT29F4G16ABAEAWP: E Tr - - -
RFQ
ECAD 6172 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F4G16 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 4Gbit Blitz 256 mx 16 Parallel - - -
MT29F8G16ADADAH4:D Micron Technology Inc. MT29F8G16ADADAH4: d - - -
RFQ
ECAD 9925 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA MT29F8G16 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 63-VFBGA (9x11) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.260 Nicht Flüchtig 8gbit Blitz 512 mx 16 Parallel - - -
MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CFCBBWWWP-10: B Tr - - -
RFQ
ECAD 6334 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F512G08 Blitz - Nand (MLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 100 MHz Nicht Flüchtig 512Gbit Blitz 64g x 8 Parallel - - -
MT40A512M8RH-083E:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E: B Tr - - -
RFQ
ECAD 4444 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga MT40A512M8 SDRAM - DDR4 1,14 V ~ 1,26 V. 78-FBGA (9x10.5) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) MT40A512M8RH-083E: BTR Veraltet 2.000 1,2 GHz Flüchtig 4Gbit 19 ns Dram 512 MX 8 Parallel 15ns
N25Q032A13EV740 Micron Technology Inc. N25Q032A13EV740 - - -
RFQ
ECAD 9325 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - - - - - N25Q032A13 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. - - - - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1 108 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 8m x 4 Spi 8 ms, 5 ms
MT62F768M64D4BG-031 WT:A Micron Technology Inc. MT62F768M64D4BG-031 WT: a - - -
RFQ
ECAD 2478 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Veraltet -25 ° C ~ 85 ° C. - - - - - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - - - - - - - 557-MT62F768M64D4BG-031WT: a Veraltet 1 3,2 GHz Flüchtig 48Gbit Dram 768m x 64 Parallel - - -
MT53B768M32D4TT-062 WT:B Micron Technology Inc. MT53B768M32D4TT-062 WT: b - - -
RFQ
ECAD 1065 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - - - - - MT53B768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - - - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.680 1,6 GHz Flüchtig 24gbit Dram 768 mx 32 - - - - - -
MT53E2G32D4DE-046 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AIT: C Tr 51.3600
RFQ
ECAD 2435 0.00000000 Micron Technology Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 V ~ 1,17 V. 200-TFBGA (10x14,5) - - - 557-MT53E2G32D4DE-046AIT: Ctr 2.000 2.133 GHz Flüchtig 64Gbit 3,5 ns Dram 2g x 32 Parallel 18ns
MT44K64M18RB-107E IT:A TR Micron Technology Inc. MT44K64M18RB-107E ES: a Tr - - -
RFQ
ECAD 2532 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 168-Tbga MT44K64M18 RLDRAM 3 1,28 V ~ 1,42 V. 168-BGA (13,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 933 MHz Flüchtig 1.125Gbit 8 ns Dram 64m x 18 Parallel - - -
MT62F1536M32D4DS-023 IT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-023 IT: b 37.6950
RFQ
ECAD 8394 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Kasten Aktiv - - - Oberflächenhalterung 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 200-WFBGA (10x14,5) - - - 557-MT62F1536M32D4DS-023it: b 1 4,266 GHz Flüchtig 48Gbit Dram 1,5 GX 32 Parallel - - -
MT29VZZZCD91SKSM-046 W.17Y TR Micron Technology Inc. MT29VZZZZZCD91SK-046 W.17Y TR 49.5750
RFQ
ECAD 3933 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM 557-mt29vzzzzcd91sk-046W.17Ytr 1
MT29F64G08AJABAWP:B Micron Technology Inc. MT29F64G08AJABAWP: b - - -
RFQ
ECAD 5843 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F64G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 Parallel - - -
MT29RZ8C4DZZHGPL-18 W.81U Micron Technology Inc. MT29RZ8C4DZZHGPL-18 W.81U - - -
RFQ
ECAD 9285 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000
MT46H32M16LFBF-6 AT:B Micron Technology Inc. MT46H32M16LFBF-6 AT: b - - -
RFQ
ECAD 7366 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-VFBGA MT46H32M16 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 60-VFBGA (8x9) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 166 MHz Flüchtig 512mbit 5 ns Dram 32m x 16 Parallel 15ns
M29W160ET70ZS6E Micron Technology Inc. M29W160ET70ZS6E - - -
RFQ
ECAD 6171 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 64-lbga M29W160 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 64-FBGA (11x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen -M29W160ET70ZS6E Ear99 8542.32.0071 960 Nicht Flüchtig 16mbit 70 ns Blitz 2m x 8, 1m x 16 Parallel 70ns
MTFC32GJWDQ-4M AIT Z TR Micron Technology Inc. MTFC32GJWDQ-4M AIT Z TR - - -
RFQ
ECAD 8039 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 100 lbga MTFC32G Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 100 lbga (14x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) MTFC32GJWDQ-4MAITZTR Veraltet 0000.00.0000 1.000 Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 MMC - - -
MT29F64G08AJABAWP-P:B Micron Technology Inc. MT29F64G08AJABAWP-P: b - - -
RFQ
ECAD 4081 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT29F64G08 Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 64Gbit Blitz 8g x 8 Parallel - - -
MT52L256M32D1PH-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PH-107 WT ES: B Tr - - -
RFQ
ECAD 8979 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - - - - - MT52L256 SDRAM - Mobile LPDDR3 1,2 v - - - - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.000 933 MHz Flüchtig 8gbit Dram 256 mx 32 - - - - - -
MT41K128M16JT-125 IT:K TR Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 ES: K TR 5.9100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga MT41K128M16 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-FBGA (8x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 800 MHz Flüchtig 2Gbit 13.75 ns Dram 128 MX 16 Parallel - - -
MT42L32M32D2AC-25 FAAT:A Micron Technology Inc. MT42L32M32D2AC-25 FAAT: a - - -
RFQ
ECAD 5463 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 134-vfbga MT42L32M32 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 V ~ 1,95 V. 134-VFBGA (10x11.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Ear99 8542.32.0032 1.000 400 MHz Flüchtig 1Gbit Dram 32m x 32 Parallel - - -
M25P40-VMN3PB Micron Technology Inc. M25P40-VMN3PB - - -
RFQ
ECAD 9599 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) M25P40 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 2.000 75 MHz Nicht Flüchtig 4mbit Blitz 512k x 8 Spi 15 ms, 5 ms
MTFC32GASAONS-IT Micron Technology Inc. MTFC32GASAONS-IT 28.0200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 153-tfbga MTFC32G Flash - Nand 2,7 V ~ 3,6 V. 153-TFBGA (11,5x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.520 52 MHz Nicht Flüchtig 256Gbit Blitz 32g x 8 MMC - - -
MT28F004B3VG-8 T TR Micron Technology Inc. MT28F004B3VG-8 T Tr - - -
RFQ
ECAD 2768 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 40-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) MT28F004B3 Flash - Nor 3v ~ 3,6 V 40-tsop i Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 1.000 Nicht Flüchtig 4mbit 80 ns Blitz 512k x 8 Parallel 80ns
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B Micron Technology Inc. MT29F512G08MCBBJ5-6: b - - -
RFQ
ECAD 9114 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung - - - MT29F512G08 Flash - Nand (TLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 132-TBGA (12x18) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Veraltet 0000.00.0000 1 167 MHz Nicht Flüchtig 512Gbit Blitz 64g x 8 Parallel - - -
MT48LC64M4A2TG-75:D TR Micron Technology Inc. MT48LC64M4A2TG-75: D Tr - - -
RFQ
ECAD 1331 0.00000000 Micron Technology Inc. - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) MT48LC64M4A2 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.000 133 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 64m x 4 Parallel 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus