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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F64G08CBEFBWPR: f | - - - |  | 3146 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F64G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | Verkäfer undefiniert | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | |||||
 | M29W640GT70ZS6F TR | - - - | | 4086 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | M29W640 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-FBGA (11x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.800 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 70ns | ||||
 | MTFC32GAMALAM-WT ES | - - - | | 6074 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tablett | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - - - | - - - | MTFC32G | Flash - Nand | - - - | - - - | - - - | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.520 | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | MMC | - - - | ||||||
 | MT46H16M32LFCX-6: B Tr | - - - | | 6467 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT46H16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-VFBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | 15ns | ||
 | MT58L256L18P1T-10 | 6.4000 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SyncBurst ™ | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | SRAM - Standard | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-TQFP (14x20.1) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 4mbit | 5 ns | Sram | 256k x 18 | Parallel | - - - | |||
| M29W640GL70ZF3F TR | - - - | | 1316 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | M29W640 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 64-TBGA (10x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 8m x 8, 4m x 16 | Parallel | 70ns | |||
| M28W640HCB70ZB6E | - - - | | 2430 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | M28W640 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-TFBGA (6,39 x 10,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 160 | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | Blitz | 4m x 16 | Parallel | 70ns | |||
| MT41K512M8DA-93: p tr | - - - | | 3385 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-FBGA (8x10.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 0000.00.0000 | 2.000 | 1.066 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 512 MX 8 | Parallel | - - - | |||
| EMB8164B4PT-DV-FD | - - - | | 5880 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.680 | |||||||||||||||||
 | MT48LC4M16A2P-7E: J Tr | - - - | | 5162 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC4M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | 14ns | ||
 | MT35XU256ABA2G12-0AUT TR | 7.3500 | | 5329 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Xccela ™ - mt35x | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | MT35XU256 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT35XU256ABA2G12-0AUTTR | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Xccela -bus | - - - | ||
| N25Q128A13ESED0F TR | - - - | | 1001 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | N25Q128A13 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.500 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 32m x 4 | Spi | 8 ms, 5 ms | ||||
| MT29TZZZ5D6DKFRL-093 W.9A6 Tr | 50.9250 | | 2207 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | MT29TZZZ5 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT29TZZZ5D6DKFRL-093W.9A6TR | 0000.00.0000 | 1.000 | ||||||||||||||||
| MT53B512M64D4NK-062 WT: B Tr | - - - | | 7420 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 366-WFBGA | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA (15x15) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | 1,6 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 512 MX 64 | - - - | - - - | |||
| MT29TZZZ8D6DKEZB-107 W.9H6 | - - - | | 9639 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -25 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 221-WFBGA | MT29TZZZ8 | Flash - Nand, Dram - LPDDR3 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 221-WFBGA (13x11.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | MT29TZZZ8D6DKEZB-107W.9H6 | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.520 | 933 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 128Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR3) | Blitz, Ram | 16g x 8 (NAND), 256 mx 32 (LPDDR3) | MMC, LPDRAM | - - - | |||
 | MT29F64G08CBABBWP-12: b | - - - | | 5083 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F64G08 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 960 | 83 MHz | Nicht Flüchtig | 64Gbit | Blitz | 8g x 8 | Parallel | - - - | |||
 | MT41K512M8DA-107 ES: p | - - - | | 7393 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-FBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.440 | 933 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 512 MX 8 | Parallel | - - - | ||
| MT53E512M32D2FW-046 AIT: D Tr | 16.5000 | | 8697 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | - - - | 557-MT53E512M32D2FW-046AIT: DTR | 2.000 | |||||||||||||||||||||
| M28W160CB70N6F TR | - - - | | 4938 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | M28W160 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Nicht Flüchtig | 16mbit | 70 ns | Blitz | 1m x 16 | Parallel | 70ns | |||
 | PC28F00AP33BF0 | - - - | | 9465 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-Tbga | PC28F00A | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 64 EasyBga (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 184 | 52 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 95 ns | Blitz | 64m x 16 | Parallel | 95ns | ||
 | MT48LC4M32B2TG-7: g | - - - | | 9650 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC4M32B2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 2 (1 Jahr) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 143 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.5 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | 14ns | ||
 | MTFC4GMTEA-4M IT Tr | - - - | | 2750 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-WFBGA | MTFC4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-WFBGA (11,5x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 32Gbit | Blitz | 4g x 8 | MMC | - - - | |||||
 | MT41K256M16TW-107: p tr | 5.2703 | | 3454 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-FBGA (8x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | MT41K256M16TW-107: PTR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 933 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | - - - | |
| MT60B1G16HT-48B AAT: a Tr | 31.3050 | | 2839 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C. | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | SDRAM - DDR5 | - - - | 144-FBGA (11x18.5) | - - - | 557-MT60B1G16HT-48BAAT: ATR | 2.000 | 2,4 GHz | Flüchtig | 16gbit | Dram | 1g x 16 | Parallel | - - - | ||||||||
 | MT48LC4M32B2B5-6A AIT: l | - - - | | 8006 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-VFBGA | MT48LC4M32B2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-VFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.440 | 167 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | 12ns | ||
| MT48LC32M16A2TG-75 IT: C Tr | - - - | | 3217 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | MT48LC32M16A2 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 4 (72 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| MT29F32G08CFACAWP: C Tr | - - - | | 6918 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | MT29F32G08 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | MT29F32G08CFACAWP: CTR | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.000 | Nicht Flüchtig | 32Gbit | Blitz | 4g x 8 | Parallel | - - - | ||||
 | N25Q128A11BSF40F TR | - - - | | 4304 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | N25Q128A11 | Flash - Nor | 1,7 V ~ 2 V | 16-Sop2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 108 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi | 8 ms, 5 ms | |||
 | MT53D1024M32D4DT-053 AAT: D Tr | 39.1050 | | 5756 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-VFBGA | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14,5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.866 GHz | Flüchtig | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | - - - | - - - | |||
 | MT40A4G4DVN-068H: E Tr | - - - | | 2043 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | MT40A4G4 | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-FBGA (7,5x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 557-MT40A4G4DVN-068H: ETR | Veraltet | 2.000 | 1.467 GHz | Flüchtig | 16gbit | 27 ns | Dram | 4g x 4 | Parallel | - - - |
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